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반도체 장치

  • 기술번호 : KST2019011587
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 기술에 의한 반도체 장치는 입력 신호에 따라 출력 신호 및 제어 전압을 생성하는 신호 생성부; 전원단과 상기 신호 생성부 사이에 연결되고 바이어스 전압에 따라 전류가 제어되는 제 1 구동부; 신호 생성부와 접지단 사이에 연결되고 바이어스 전압에 따라 전류가 제어되는 제 2 구동부; 및 기준 전압과 제어 전압의 차이에 따라 바이어스 전압을 제어하는 바이어스 제어부를 포함한다.
Int. CL H03K 17/06 (2006.01.01) H03K 17/687 (2006.01.01)
CPC H03K 17/06(2013.01) H03K 17/06(2013.01)
출원번호/일자 1020150039101 (2015.03.20)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1576190-0000 (2015.12.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20151209) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.03.20)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김민오 대한민국 서울특별시 관악구
2 김수환 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김선종 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 *** (서초동, 서초현대타워아파트) ****(김선종 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교 산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0277094-10
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-0336028-24
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-0384502-24
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0361785-91
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.07.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0709920-85
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-0709932-22
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0666286-39
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.10.15 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0996458-45
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2015-0996427-30
11 등록결정서
Decision to Grant Registration
2015.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0823570-96
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
입력 신호에 따라 출력 신호 및 제어 전압을 생성하는 신호 생성부;전원단과 상기 신호 생성부 사이에 연결되고 바이어스 전압에 따라 전류가 제어되는 제 1 구동부;상기 신호 생성부와 접지단 사이에 연결되고 상기 바이어스 전압에 따라 전류가 제어되는 제 2 구동부; 및기준 전압과 상기 제어 전압의 차이에 따라 아날로그 신호인 상기 바이어스 전압을 출력하는 바이어스 제어부를 포함하는 반도체 장치
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 제 1 구동부는 게이트에 상기 바이어스 전압이 입력되는 PMOS 트랜지스터를 포함하고, 상기 제 2 구동부는 게이트에 상기 바이어스 전압이 입력되는 NMOS 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 제 1 구동부는 게이트에 상기 바이어스 전압이 입력되는 다수의 PMOS 트랜지스터와 다수의 제 1 스위치를 포함하되 상기 다수의 PMOS 트랜지스터 중 어느 하나는 상기 다수의 제 1 스위치 중 어느 하나와 직렬 연결되고, 상기 제 2 구동부는 게이트에 상기 바이어스 전압이 입력되는 다수의 NMOS 트랜지스터와 다수의 제 2 스위치를 포함하되 상기 다수의 NMOS 트랜지스터 중 어느 하나는 상기 다수의 제 2 스위치 중 어느 하나와 직렬 연결되는 반도체 장치
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 신호 생성부와 상기 전원단 사이에 연결되는 제 1 초기화부와 상기 신호 생성부와 상기 접지단 사이에 연결되는 제 2 초기화부를 더 포함하고, 상기 제 1 초기화부와 상기 제 2 초기화부는 상기 제어 전압의 초기값을 결정하는 반도체 장치
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 제 1 초기화부 및 상기 제 2 초기화부는 상기 제어 전압의 초기값이 결정된 후 상기 신호 생성부로의 경로를 차단하는 스위치를 더 포함하는 반도체 장치
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 신호 생성부는 상기 입력 신호에 따라 차동의 상기 출력 신호를 생성하는 반도체 장치
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 신호 생성부는 상기 입력 신호 중 제 1 입력 신호가 게이트에 인가되고 드레인이 공통 연결되어 상기 출력 신호 중 제 2 출력 신호를 생성하는 제 1 PMOS 트랜지스터와 제 1 NMOS 트랜지스터 및 상기 입력 신호 중 제 2 입력 신호가 게이트에 인가되고 드레인이 공통 연결되어 상기 출력 신호 중 제 1 출력 신호를 생성하는 제 2 PMOS 트랜지스터와 제 2 NMOS 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 제어 전압은 차동의 상기 출력 신호의 전압을 선형 결합하여 결정되는 반도체 장치
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 신호 생성부는 상기 제 1 출력 신호와 상기 제 2 출력 신호의 전압을 분배하여 상기 제어 전압을 생성하는 제 1 저항 및 제 2 저항을 포함하는 반도체 장치
10 10
청구항 1에 있어서, 상기 바이어스 제어부는 상기 기준 전압과 상기 제어 전압의 차이에 따라 상기 바이어스 전압을 출력하는 증폭기를 포함하는 반도체 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.