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투명 기재 상에 배치된 나노구조체; 및 상기 나노구조체의 적어도 일부 표면 및 상기 나노구조체가 배치되지 않은 상기 투명 기재의 표면에 코팅된 제 1 층을 포함하는 하이브리드 나노구조체를 포함하는, 광 필터로서, [식 1]유전 상수 ε = ε' + iε";상기 나노구조체는 상기 광 필터가 작동하는 파장 영역에서 상기 식 1로 표시되는 유전 상수(permittivity) ε 의 실수 부분인 ε'의 값이 양수인 물질을 포함하며; 상기 제 1 층은 상기 광 필터가 작동하는 파장 영역에서 상기 식 1로 표시되는 유전 상수(permittivity) ε 의 실수 부분인 ε'의 값이 음수인 물질을 포함하는 것이고,상기 광 필터로 입사되는 빛의 편광 방향을 상기 나노구조체의 축과 동일한 방향으로 고정함으로써 상기 입사되는 빛에 의하여 형성된 상기 제 1 층 내의 쌍극자 (dipole)와 상기 나노구조체 내의 쌍극자 간의 간섭으로 인하여 빛의 산란이 상쇄되어 상기 광 필터의 투과도가 증가하는 것인, 광 필터
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제 1 항에 있어서,상기 나노구조체와 상기 제 1 층의 하부에 형성된 제 2 층을 추가 포함하는, 광 필터
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제 1 항에 있어서,상기 광 필터의 작동 파장 영역은 가시광선 범위 또는 적외선 범위를 포함하는 것인, 광 필터
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제 1 항에 있어서,상기 나노구조체는 상기 광 필터의 작동 파장 영역보다 큰 밴드갭을 갖는 물질을 포함하는 것인, 광 필터
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제 1 항에 있어서,상기 나노구조체는 C(diamond), Si, Ge, Sn, SiC, S8, Se, Te, BN, BP, BAs, ZnO, ZnSe, ZnS, ZnTe, CuCl, Cu2S, PbSe, PbS, ObTe, SnS, SnS2, SnTe, B12As2, AlN, AlP, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, CdS, CdSe, CdTe, InGaP, InGaN, InN, InP, InAs, InSb, BaTiO2, BaTiO3, PbSeTe, Tl2SnTe5, Tl2GeTe5, Bi2Te3, Cd3P2, Cd3As2, Cd3Sb2, ZnsP2, Zn3As2, Zn3Sb2, TiO2, Cu2O, CuO, UO2, UO3, Bi2O3, SnO2, SrTiO3, LiNbO3, La2CuO4, PbI2, MoS2, VO2, V2O3, GaSe, Bi2S3, NiO, CuInSe2, Ag2S, FeS2, Cu2ZnSnS4, CuZnSbS, Cu2SnS3, Si1-xGex, Si1-xSnx, AlxGa1-xAs, InxGa1-xAs, InxGa1-xP, AlxIn1-xAs, AlxIn1-xSb, GaAsN, GaAsP, GaAsSb, AlGaN, AlGaP, InGaN, InAsSb, InGaSb, AlGaInP, AlGaAsP, IGaAsP, InGaAsSb, InAsSbP, AlInAsP, AlGaAsN, InGaAsN, InAsAsN, GaAsSbN, GaInNAsSb, GaInAsSbP, CdZnTe, HgCdTe, HgZnTe, HgZnSe, 및 Cu(In,Ga)Se2로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 포함하는 것인, 광 필터
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제 1 항에 있어서,상기 광 필터의 작동 파장 영역이 가시광선 범위를 포함하는 경우, 상기 제 1 층은 Ag, Au, Pt, Al, Si, Ge, Cu, P-도핑 Si, B-도핑 Si, 및 P-도핑 Ge으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 것인, 광 필터
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제 1 항에 있어서,상기 광 필터의 작동 파장 영역이 적외선 범위를 포함하는 경우, 상기 제 1 층은 TiN, InP, Si, Ge, ZnO, GaN, InGaN, InN, Cu, Ga-도핑 ZnO, 및 Si-도핑 GaN으로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 포함하는 것인, 광 필터
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제 1 항에 있어서,상기 나노구조체의 두께에 의해 상기 광 필터의 투과 파장 또는 투과 파장 영역이 조절되는 것인, 광 필터
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제 1 항에 있어서,상기 나노구조체는 상기 광 필터의 작동 파장보다 작은 두께를 가지는 것인, 광 필터
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제 1 항에 있어서,상기 광 필터의 작동 파장 영역이 가시광선 범위를 포함하는 경우에 있어서, 상기 나노구조체가 ZnO를 포함하는 경우, 상기 나노구조체는 50 nm 내지 400 nm 범위의 직경을 갖는 것인, 광 필터
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제 1 항에 있어서,상기 광 필터의 작동 파장 영역이 적외선 범위를 포함하는 경우에 있어서, 상기 나노구조체가 ZnO를 포함하는 경우, 상기 나노구조체는 50 nm 내지 5,000 nm 범위의 직경을 갖는 것인, 광 필터
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제 2 항에 있어서,상기 제 2 층 하부에 형성된 웨팅(wetting) 층을 추가 포함하는, 광 필터
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제 12 항에 있어서,상기 웨팅 층은 Ge, 또는 Al-도핑 Ag를 포함하는 것인, 광 필터
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제 1 항에 있어서,상기 나노구조체는 나노로드, 나노와이어, 나노월, 또는 나노디스크를 포함하는 것인, 광 필터
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 층은 상기 나노구조체의 표면 중 상기 기재에 접촉되지 않은 표면의 적어도 일부 또는 접촉되지 않은 모든 표면에 형성되는 것인, 광 필터
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투명 기재 상에 나노구조체를 배치하고; 상기 나노구조체의 적어도 일부 표면과 상기 나노구조체가 배치되지 않은 상기 투명 기재의 표면에 제 1 층을 코팅하여 하이브리드 나노구조체를 형성하는 것을 포함하는 광 필터의 제조 방법으로서, [식 1]유전 상수 ε = ε' + iε";상기 나노구조체는 상기 광 필터가 작동하는 파장 영역에서 상기 식 1로 표시되는 유전 상수(permittivity) ε의 실수 부분인 ε'의 값이 양수인 물질을 포함하며; 상기 제 1 층은 상기 광 필터가 작동하는 파장 영역에서 상기 식 1로 표시되는 유전 상수(permittivity) ε의 실수 부분인 ε'의 값이 음수인 물질을 포함하는 것이고,상기 광 필터로 입사되는 빛의 편광 방향을 상기 나노구조체의 축과 동일한 방향으로 고정함으로써 상기 입사되는 빛에 의하여 형성된 상기 제 1 층 내의 쌍극자 (dipole)와 상기 나노구조체 내의 쌍극자 간의 간섭으로 인하여 빛의 산란이 상쇄되어 상기 광 필터의 투과도가 증가하는 것인, 광 필터의 제조 방법
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제 17 항에 있어서, 상기 나노구조체를 상기 기재에 배치하기 전에 상기 기재 상에 제 2 층을 코팅하는 것을 추가 포함하는, 광 필터의 제조 방법
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제 18 항에 있어서, 상기 제 2 층을 코팅하기 전에 상기 기재 상에 웨팅 층을 코팅하는 것을 추가 포함하는, 광 필터의 제조 방법
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제 17 항에 있어서,상기 제 1 층은 상기 나노구조체의 표면 중 상기 기재에 접촉되지 않은 표면의 적어도 일부 또는 접촉되지 않은 모든 표면에 형성되는 것인, 광 필터의 제조 방법
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