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기판 위에 그래핀을 증착하여 그래핀층을 형성하는 단계,상기 그래핀층을 식각하여 제1 방향으로 뻗어 있는 복수의 제1 전극을 형성하는 단계,상기 제1 전극 위에 복수의 반도체층을 형성하는 단계,상기 복수의 반도체층 사이에서 상기 반도체층의 측면을 둘러싸는 절연층을 형성하는 단계,상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 뻗어있는 복수의 제2 전극을 형성하는 단계, 및상기 기판을 제거하는 단계를 포함하며,상기 복수의 반도체층 중 적어도 하나는 상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극의 교차점에 위치하는 발광 소자 제조 방법
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제13항에서, 상기 반도체층을 형성하는 단계는,상기 제1 전극 위에 코어를 형성하는 단계, 및상기 코어 표면에 적어도 한층 이상의 쉘을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조 방법
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제14항에서,상기 코어는 실리콘, 산화아연, 산화아연마그네슘, 산화아연카드뮴, 산화아연마그네슘카드뮴, 산화아연베릴륨, 산화아연마그네슘베릴륨, 산화아연망간, 산화아연마그네슘망간, 질화갈륨, 질화알루미늄, 질화갈륨알루미늄 및 질화인듐갈륨 중 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 발광 소자 제조 방법
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제14항에서,상기 쉘은 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 제3 반도체층을 포함하고,상기 제1 내지 제3 반도체층은 질화갈륨, 질화인듐, 질화알루미늄, 질화갈륨알루미늄 및 질화인듐갈륨 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광 소자 제조 방법
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제16항에서,상기 제1 반도체층은 n형으로 도핑하고,상기 제3 반도체층은 p형으로 도핑하는 발광 소자 제조 방법
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제17항에서,상기 제2 반도체층은 양자우물층과 장벽층이 질화인듐갈륨/ 질화갈륨, 질화갈륨/ 질화인듐갈륨, 질화인듐갈륨/ 질화갈륨알루미늄 또는 질화인듐갈륨/ 질화인듐갈륨알루미늄을 포함하는 다중 양자 우물층(multi quantum well)으로 형성하는 발광 소자 제조 방법
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제18항에서,상기 코어는 600~ 700℃에서 상기 제1 전극 위에 형성하고,상기 제1 반도체층은 900~ 1100℃에서 상기 코어 표면에 형성하고,상기 제2 반도체층은 700~ 900℃에서 상기 제1 반도체층 표면에 형성하고,상기 제3 반도체층은 900~ 1100℃에서 상기 제2 반도체층 표면에 형성하는 발광 소자 제조 방법
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제13항에서,상기 제2 전극은 투명 도전성 산화물을 포함하는 발광 소자 제조 방법
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제20항에서,상기 투명 도전성 산화물은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), AZO(aluminium zinc oxide), AZGO(aluminium zinc gallium oxide) 및 IZTO(indium zinc tin oxide) 중 선택된 어느 하나 이상인 발광 소자 제조 방법
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제13항에서,상기 기판은 SiO2/ Si 기판인 발광 소자 제조 방법
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제22항에서,상기 기판을 제거하는 단계는,상기 SiO2를 습식 식각으로 제거하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조 방법
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