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누설 전류가 저감된 수직형 유기 발광 트랜지스터 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019011692
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 오프 상태 누설 전류를 감소시켜, 전류 및 발광 점멸 비(on-off ratio)를 향상시키기 위한 수직형 유기 발광 트랜지스터는, 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 위치하는 하부 반도체 층; 상기 하부 반도체 층상에 위치하는 소스 전극; 및 상기 소스 전극 상에 위치하여 상기 소스 전극의 상단부 및 측면부를 덮는 소스 절연막을 포함하되, 상기 하부 반도체 층은 상기 게이트 전극에 전압이 인가되면 상기 소스 전극으로부터 상기 하부 반도체 층으로 전하가 주입되도록 구성된다.
Int. CL H01L 51/52 (2006.01.01) H01L 51/56 (2006.01.01) H01L 51/05 (2006.01.01)
CPC H01L 51/5296(2013.01) H01L 51/5296(2013.01) H01L 51/5296(2013.01) H01L 51/5296(2013.01)
출원번호/일자 1020150145581 (2015.10.19)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1730902-0000 (2017.04.21)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170427) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.10.19)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이신두 대한민국 서울특별시 동작구
2 이인호 대한민국 경기도 화성시 병점
3 이규정 대한민국 경기도 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2015-1011498-15
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-1015102-44
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0691318-23
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-1159886-87
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.11.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1159885-31
6 등록결정서
Decision to grant		 2017.04.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0244601-12
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
누설전류 저감 및 점멸 비 향상을 위한 수직형 유기 발광 트랜지스터로서,게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 위치하는 하부 반도체 층;상기 하부 반도체 층상에 위치하는 소스 전극; 및상기 소스 전극 상에 위치하여 상기 소스 전극의 상단부 및 측면부를 덮는 소스 절연막을 포함하되,상기 하부 반도체 층은, 상기 게이트 전극에 전압이 인가되면 상기 소스 전극으로부터 상기 하부 반도체 층으로 전하가 주입되도록 구성되는, 수직형 유기 발광 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서, 상기 하부 반도체 층은 0 초과 100 nm 이하의 두께를 가지는, 수직형 유기 발광 트랜지스터
3 3
제1항에 있어서, 상기 하부 반도체 층은 저분자 유기 반도체 물질, 고분자 유기 반도체 물질, 산화물 반도체 물질, 또는 무기 반도체 물질 중 하나 이상을 포함하는, 수직형 유기 발광 트랜지스터
4 4
제1항에 있어서, 상기 소스 절연막은 0 초과 20 ㎛ 이하의 선폭을 가지는, 수직형 유기 발광 트랜지스터
5 5
제1항에 있어서,상기 소스 절연막 상에 위치하는 상부 반도체 층; 및상기 상부 반도체 층상에 위치하는 유기 발광 층을 더 포함하는, 수직형 유기 발광 트랜지스터
6 6
누설전류 저감 및 점멸 비 향상을 위한 수직형 유기 발광 트랜지스터의 제조 방법으로서, 상기 방법은,게이트 전극 상에 하부 반도체 층을 형성하는 단계;상기 하부 반도체 층상에 소스 전극을 형성하는 단계; 및상기 소스 전극 상에 상기 소스 전극의 상단부 및 측면부를 덮는 소스 절연막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 하부 반도체 층은, 상기 게이트 전극에 전압이 인가되면 상기 소스 전극으로부터 상기 하부 반도체 층으로 전하가 주입되도록 구성되는, 수직형 유기 발광 트랜지스터의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 하부 반도체 층은 0 초과 100 nm 이하의 두께를 가지는, 수직형 유기 발광 트랜지스터의 제조 방법
8 8
제6항에 있어서,상기 하부 반도체 층은 저분자 유기 반도체 물질, 고분자 유기 반도체 물질, 산화물 반도체 물질, 또는 무기 반도체 물질 중 하나 이상을 포함하는, 수직형 유기 발광 트랜지스터의 제조 방법
9 9
제6항에 있어서, 상기 소스 절연막은 0 초과 20 ㎛ 이하의 선폭을 가지는, 수직형 유기 발광 트랜지스터의 제조 방법
10 10
제6항에 있어서,상기 소스 절연막 상에 상부 반도체 층을 형성하는 단계; 및상기 상부 반도체 층상에 유기 발광 층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 수직형 유기 발광 트랜지스터의 제조 방법
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2 US20170110691 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2017110691 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9780340 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 서울대산학협력단 중견연구자지원사업-도약연구지원사업 나노네트워크전극 기반의 고 발광 수직 유기발광 전계효과 트랜지스터 개발