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전원 공급부; 상기 전원 공급부의 음극(-)에 전기적으로 연결되는 공구부; 상기 전원 공급부의 양극(+)에 전기적으로 연결되어 상기 공구부의 형상을 가공하는 공구 가공부; 전해액에 잠긴 상태에서, 상기 전원 공급부의 양극(+)에 전기적으로 연결되어 상기 공구부에 의해 가공되는 기판부; 상기 공구 가공부 및 상기 기판부에 공급되는 전원에 펄스를 인가하는 펄스 공급부; 및상기 공구부, 상기 공구 가공부 및 상기 기판부를 이송하는 스테이지부를 포함하고, 상기 펄스 공급부에서 펄스 전원으로 변환된 전원이 인가됨에 따라 상기 기판부의 가공 범위(d)는, d= T/(r*Cd) 식 (1) {T는 온-타임 시간, r은 전해액의 비저항, Cd는 전기 이중층의 축전용량}식 (1)로 국부화되는 것을 특징으로 하는 미세패턴 가공 시스템
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제1항에 있어서, 상기 공구부가 인접한 상기 기판부의 영역에서 산화층이 형성되며, 상기 공구부가 이송됨에 따라 상기 기판부에는 산화층이 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 미세패턴 가공 시스템
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제3항에 있어서, 상기 기판부는 알루미늄(Al)을 포함하는 박막(thin-film)이며, 상기 산화층은 산화알루미늄(Al2O3)을 포함하는 것을 특징으로 하는 미세패턴 가공 시스템
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제4항에 있어서, 상기 기판부는 원통형 형상의 베이스 샤프트의 외면을 따라 고정된 상태로 가공되는 것을 특징으로 하는 미세패턴 가공 시스템
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제3항에 있어서, 상기 공구 가공부는 와이어 방전가공(wire EDM)으로 상기 공구부의 형상을 가공하는 것을 특징으로 하는 미세패턴 가공 시스템
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제6항에 있어서, 상기 공구부는, 끝단부에 돌출부가 형성되도록 가공되며, 상기 돌출부는 상기 기판부와 인접하도록 위치하여 상기 기판부에 산화층이 형성되는 것을 특징으로 하는 미세패턴 가공 시스템
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베이스 샤프트의 외면을 따라 기판부를 고정하는 단계;전원 공급부의 양극(+)에 전기적으로 연결된 공구 가공부로 상기 전원 공급부의 음극(-)에 전기적으로 연결된 공구부를 가공하는 단계;펄스 공급부에 의해 펄스를 인가받으며, 전해액에 잠긴 상태에서 상기 전원 공급부의 양극(-)에 전기적으로 연결된 기판부를 상기 공구부로 가공하는 단계; 및상기 가공된 기판부를 상기 베이스 샤프트로부터 제거하는 단계를 포함하고, 상기 펄스 공급부에서 펄스 전원으로 변환된 전원이 인가됨에 따라 상기 기판부의 가공 범위(d)는, d= T/(r*Cd) 식 (1) {T는 온-타임 시간, r은 전해액의 비저항, Cd는 전기 이중층의 축전용량}식 (1)로 국부화되는 것을 특징으로 하는 미세패턴 가공방법
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제8항에 있어서, 상기 공구 가공부로 상기 공구부를 가공하는 단계에서, 상기 공구 가공부는 와이어 방전가공(wire EDM)으로 상기 공구부를 가공하여, 상기 공구부의 끝단부에 돌출부가 형성되도록 제작하는 것을 특징으로 하는 미세패턴 가공방법
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제9항에 있어서, 상기 기판부를 상기 공구부로 가공하는 단계에서, 상기 돌출부가 상기 기판부와 인접하도록 위치시켜, 상기 기판부에 산화층을 미세 패턴으로 형성하는 것을 특징으로 하는 미세패턴 가공방법
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제10항에 있어서, 상기 기판부를 상기 공구부로 가공하는 단계에서, 상기 베이스 샤프트를 회전시키며 상기 기판부 상에 나선형 미세 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 미세패턴 가공방법
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