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고주파 전력을 공급하는 제1 전력 공급부;저주파 전력을 공급하는 제2 전력 공급부;적어도 2 이상의 서로 연결된 안테나들을 포함하고 상기 제1 전력 공급부 및 상기 제2 전력 공급부가 서로 다른 위치에 연결되는 단일 코일형 플라즈마 소스; 및상기 단일 코일형 플라즈마 소스에 의해서 플라즈마로 여기되는 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하고,상기 단일 코일형 플라즈마 소스는 접지된 제1 단부 및 상기 제1 단부와 이격된 제2 단부를 구비하는 코일 형태의 제1 안테나 및 상기 제2 단부와 전기적으로 연결된 제3 단부 및 상기 제3 단부와 이격된 제4 단부를 구비하는 코일 형태의 제2 안테나를 포함하고,상기 제1 전력 공급부는 상기 제1 안테나 중 단일 지점에 연결되어 상기 제1 안테나에 고주파 전력을 인가하고,상기 제2 전력 공급부는 상기 제2 안테나의 상기 제4 단부에 연결되어 상기 제2 안테나에 저주파 전력을 인가하고,상기 단일 코일형 플라즈마 소스는 상기 제1 안테나의 상기 제1 단부에서만 접지되어 상기 제1 전력 공급부에 의해 공급된 고주파 전력 및 상기 제2 전력 공급부에 의해 공급된 저주파 전력은 모두 상기 제1 안테나의 상기 제1 단부를 통해 상기 단일 코일형 플라즈마 소스 외부로 방출되는 것을 특징으로 하는,유도결합 플라즈마 발생 장치
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제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 안테나들 각각은 개구를 갖는 링 형상의 동심원이고,상기 제1 안테나의 개구와 상기 제2 안테나의 개구는 동일한 방향을 향하도록 배치되어 서로 연결된 것을 특징으로 하는,유도결합 플라즈마 발생 장치
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제1항에 있어서,상기 제1 전력 공급부는 고주파수 매칭 회로부를 포함하고, 상기 제2 전력 공급부는 저주파수 매칭 회로부를 포함하며,상기 고주파수 매칭 회로부와 상기 저주파수 매칭 회로부가 주파수 차이에 의한 임피던스를 매칭 시키는 것을 특징으로 하는,유도결합 플라즈마 발생 장치
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제1항에 있어서,상기 단일 코일형 플라즈마 소스는상기 제1 안테나와 상기 제2 안테나 사이에 배치되고 개구를 갖는 링 형상의 동심원으로 서로 연결된 제3 안테나 및 제4 안테나를 더 포함하고,상기 제1 안테나의 제2 단부와 상기 제3 안테나의 일 단부가 연결되고, 상기 제4 안테나의 일 단부와 상기 제2 안테나의 제3 단부가 연결된 것을 특징으로 하는,유도결합 플라즈마 발생 장치
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제4항에 있어서,상기 고주파 전력은 상기 제1 안테나의 제2 단부에 인가되는 것을 특징으로 하는,유도결합 플라즈마 발생 장치
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제1항에 있어서,상기 고주파 전력은 상기 제1 안테나의 제1 단부와 제2 단부 사이에 인가되는 것을 특징으로 하는,유도결합 플라즈마 발생 장치
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제1항에 있어서,상기 고주파 전력이 상기 저주파 전력으로 인가되는 것을 방지하기 위한 제1 필터 및 제2 필터가 각각 상기 제1 전력 공급부 및 제1 안테나 사이와, 상기 제2 전력 공급부 및 제2 안테나 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는,유도결합 플라즈마 발생 장치
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8
제1항에 있어서,상기 단일 코일형 플라즈마 소스와 상기 가스 공급부 사이에 배치된 유전성 윈도우를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,유도결합 플라즈마 발생 장치
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제8항에 있어서,상기 유전성 윈도우에서 상기 고주파 전력이 인가되는 제1 안테나와 대응하는 영역의 두께가, 상기 저주파 전력이 인가되는 제2 안테나와 대응하는 영역의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는,유도결합 플라즈마 발생 장치
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제1항에 있어서,상기 단일 코일형 플라즈마 소스와 연결되되, 상기 단일 코일형 플라즈마 소스의 안테나들 중에서 상기 제1 및 제2 안테나와 다른 안테나에 상기 고주파 전력과 상기 저주파 전력에 대응하는 주파수와 다른 주파수를 인가하는 전력을 공급하는 적어도 1 이상의 전력 공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,유도결합 플라즈마 발생 장치
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11
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 플라즈마 발생 장치를 포함하고,상기 플라즈마 발생 장치에서 제공받은 플라즈마를 이용하여 피처리 기판에 대해서 기판 처리 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는,기판 처리 장치
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12
제11항에 있어서,상기 피처리 기판이 놓인 챔버와 상기 플라즈마 발생 장치 사이에 배치되어, 플라즈마를 이온 빔 또는 중성 빔으로 변환하여 상기 피처리 기판으로 제공하는 플라즈마소스 변환 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는,기판 처리 장치
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