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세라믹막(201)을 포함하는 침지막여과부(100)에서 생성된 처리수에 염소를 주입하는 방법으로서, (a) 상기 침지막여과부(100)에 원수가 유입되는 단계; (b) 상기 유입된 원수가 상기 세라믹막(201)에 의하여 막여과 처리됨으로써, 처리수와 슬러지가 생성되는 단계; (c) 상기 침지막여과부(100)의 후단에 위치한 흡입용 여과펌프(410)가 동작하여, 상기 (b) 단계에서 생성된 처리수가 처리수조(600)에서 집수되는 단계; (d) 상기 침지막여과부(100)의 다른 후단에 위치한 슬러지 유입펌프(190)가 동작하여, 상기 (b) 단계에서 생성된 슬러지가 다른 세라믹막(240)을 포함하는 슬러지 가압막여과부(900)에 슬러지가 유입되어 막여과 처리됨으로써, 가압막 처리수와 탈수용 슬러지가 생성되는 단계;(e) 상기 슬러지 가압막여과부(900)에 구비된 세라믹막(940)에 전력이 인가되어, 상기 슬러지에 포함된 염소 이온이 분리되는 단계; 및(f) 상기 (e) 단계에서 분리된 염소 이온이 상기 (d) 단계에서 생성된 가압막 처리수와 함께 상기 처리수조(600)에 공급되는 단계를 포함하며, 상기 (a) 단계에서 유입되는 원수는, 염소 분자를 포함하는 하폐수, 기수 또는 해수 중 어느 하나이며, 상기 세라믹막(940)은 SiC를 포함하는, 세라믹 막여과 공정에서의 염소 주입 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 세라믹막(940)은 전력 공급원(950)으로부터 전력을 공급받으며, 공급되는 전력은 상기 처리수조(600)에서 집수된 처리수에 필요한 염소의 양에 비례하여 제어되는, 세라믹 막여과 공정에서의 염소 주입 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 슬러지 가압막여과부(900)에 전해질 주입부(951)가 구비되어 있으며, 여기서 주입되는 전해질의 양은 상기 처리수조(600)에서 집수된 처리수에 필요한 염소의 양에 비례하여 제어되는, 세라믹 막여과 공정에서의 염소 주입 방법
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제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 처리수조(600)에는 처리수의 수질을 측정하는 센서가 구비되어 있으며, 상기 센서에 의해 측정된 수질은 상기 처리수조(600)에서 집수된 처리수에 필요한 염소의 양과 반비례하는, 세라믹 막여과 공정에서의 염소 주입 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (f) 단계는, (f1) 상기 (e) 단계에서 분리된 염소 이온이 상기 (d) 단계에서 생성된 가압막 처리수와 함께 상기 침지막여과부(100)로 재순환하는 단계를 포함하는, 세라믹 막여과 공정에서의 염소 주입 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 침지막여과부(100)의 공정은, 여과 공정과 세정 공정으로 구분되고, 상기 (f) 단계는, 상기 침지막여과부(100)의 여과 공정에서 염소 이온을 상기 처리수조(600)에 공급하고, 세정 공정에서 상기 처리수조(600) 또는 상기 침지막여과부(100)에 공급하는 단계를 더 포함하는, 세라믹 막여과 공정에서의 염소 주입 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 (f) 단계는, 상기 침지막여과부(100)의 여과 공정에서 상기 슬러지 유입 펌프(190)를 작동시킨 후 동력을 감소시킴으로써, 염소 이온을 상기 처리수조(600)에 공급하는 단계를 포함하는, 세라믹 막여과 공정에서의 염소 주입 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 (f) 단계는, 상기 침지막여과부(100)의 세정 공정에서, 상기 슬러지 유입 펌프(190)를 작동시켜, 염소 이온을 상기 처리수조(600) 또는 상기 침지막여과부(100)에 공급하는 단계를 포함하며, 상기 슬러지 유입 펌프(190)의 작동 동력은, 세정 공정에서의 작동 동력이 여과 공정에서의 작동 동력보다 큰, 세라믹 막여과 공정에서의 염소 주입 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 처리수조(600)에 염소 주입부(650)가 구비되지 않는, 세라믹 막여과 공정에서의 염소 주입 방법
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