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광활성층을 포함하는 수처리용 반투과막에 있어서,상기 광활성층은 복수 개의 일차원 나노 구조체 번들을 포함하고, 상기 일차원 나노 구조체가 나노 구조화되어 수처리용 반투과막의 표면이 소수성을 갖는 것인, 수처리용 반투과막
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제 1 항에 있어서, 상기 광활성층은 빛이 조사되어 광분해성을 가지는 것인, 수처리용 반투과막
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제 1 항에 있어서, 상기 일차원 나노 구조체의 양단은 댕글링 본드를 포함하고, 측면은 소수성을 가지는 것인, 수처리용 반투과막
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제 1 항에 있어서,상기 일차원 나노 구조체들은 반데르발스 힘(van der Waals force)에 의하여 상호 결합된 것인, 수처리용 반투과막
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제 1 항에 있어서, 상기 일차원 나노 구조체는 Sb2X3(X 는 S, Se, 또는 Te) 일차원 나노 구조체를 포함하는 것인, 수처리용 반투과막
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제 5 항에 있어서,상기 일차원 나노 구조체는 n 타입 Sb2X3 또는 p 타입 Sb2X3 를 포함하는 것인, 수처리용 반투과막
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제 1 항에 있어서,상기 광활성층 표면의 접촉각은 130° 이상인 것인, 수처리용 반투과막
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일차원 나노 구조체의 측면이 노출되도록 제 1 기판 상에 복수 개의 일차원 나노 구조체를 성장시키는 단계를 포함하고, 상기 일차원 나노 구조체의 측면은 소수성을 가지는 것인, 수처리용 반투과막의 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 일차원 나노 구조체를 열처리하여 상기 일차원 나노 구조체를 제 2 기판 상에 증착시키는 단계를 추가 포함하고, 상기 증착에 의해 상기 일차원 나노 구조체가 상기 제 2 기판 상에 수평하게 재배열되는 것인, 수처리용 반투과막의 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 일차원 나노 구조체는 Sb2X3(X 는 S, Se, 또는 Te) 일차원 나노 구조체를 포함하는 것인, 수처리용 반투과막의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 일차원 나노 구조체를 증착시키는 단계는 CVD, PVD, 전기증착, ALD, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 공정에 의해 수행되는 것인, 수처리용 반투과막의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 제 1 기판은 유리, Mo, SiO2, 실리콘, 실리콘 카바이드, 게르마늄, 실리콘 게르마늄, 실리콘 탄화물, InAs, AlAs, GaAs, InP, GaN, InGaAs, InAlAs, GaSb, AlSb, AlP, GaP, ITO, FTO, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는, 수처리용 반투과막의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 제 2 기판은 폴리이미드(polyimide), 폴리에테르술폰(polyether-sulfone), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리카보네이트(polycarbonate), POM(polyoxymethylene), 에폭시(epoxy), 폴리프탈아미드(Polyphthalamide), PCO(polycyclic olefins/polynorbornenes), PEEK(polyetheretherketone), PAR(polyarlyates), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는, 수처리용 반투과막의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 수처리용 반투과막을 이용한 오염수 처리 시스템에 있어서, 상기 오염수는 오일 및 오염물질을 포함하고, 상기 오일은 상기 수처리용 반투과막을 통과하여 제거되고, 상기 오염물질은 상기 광활성층에 의해 분해되어 제거되는 것인, 오염수 처리 시스템
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제 14 항에 있어서, 상기 광활성층에 빛이 조사됨으로써, 상기 오염물질은 상기 광활성층에 의해 분해되는 것인, 오염수 처리 시스템
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제 14 항에 있어서, 상기 광활성층에 전압을 인가하는 전원을 추가 포함하는, 오염수 처리 시스템
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제 16 항에 있어서,상기 전원은 태양전지, 압전소자, 열전소자, 자성유체, 마찰전기, 광전소자, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 에너지원을 포함하는 것인, 오염수 처리 시스템
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