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기판(substrate); 및상기 기판의 상면에 복수의 도체 패턴이 대칭적 구조로 배열된 복수의 하이브리드 유닛셀(hybrid unit cell)을 포함하되, 상기 하이브리드 유닛셀은, 대칭적 구조를 가지며 제1 공진 주파수를 발생시키는 제1 및 제2 도체 패턴; 및대칭적 구조를 가지며 제2 공진 주파수를 발생시키는 제3 및 제4 도체 패턴을 포함하며, 상기 제1 내지 제4 도체 패턴은,중앙에 정사각형으로 형성되는 패치(patch) 및 상기 패치 주변에 형성된 적어도 하나의 부채꼴(circular sector)을 포함하는 형상으로 패터닝(patterning)되고, 수평 및 수직으로 대칭이 되도록 상기 정사각형의 각 꼭지점과 4개의 부채꼴 각각의 중점이 중첩되어 형성되며, 상기 4개의 부채꼴간은 소정의 간극이 형성된 것을 특징으로 하는 메타물질 흡수체
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제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 도체 패턴은 상하, 좌우, 대각선 중 적어도 하나의 방향으로 대칭 구조를 형성하고, 상기 제3 및 제4 도체 패턴은 상하, 좌우, 대각선 중 적어도 하나의 방향으로 대칭 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 메타물질 흡수체
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제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 도체 패턴과 제3 및 제4 도체 패턴이 형성된 대칭 구조의 중앙에 제3 공진 주파수를 발생시키는 제5 도체 패턴을 더 포함하되, 상기 제5 도체 패턴은 상기 대칭 구조를 유지시키는 것을 특징으로 하는 메타물질 흡수체
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제1항에 있어서,상기 제1 공진 주파수와 제2 공진 주파수는 근접 공진 주파수로 서로 다른 흡수 피크(absorption peak)를 발생하고, 상기 제1 공진 주파수와 제2 공진 주파수를 결합하여 상기 메타물질 흡수체의 대역폭을 확장하는 것을 특징으로 하는 메타물질 흡수체
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제4항에 있어서, 상기 제1 공진 주파수가 상기 제2 공진 주파수보다 낮은 주파수인 경우, 상기 제1 공진 주파수와 제2 공진 주파수는, 기 설정된 흡수율(absorptivity)일 때 제1 공진 주파수대역의 하이레벨 주파수와 제2 공진 주파수 대역의 로우레벨 주파수 사이의 값이되, 상기 제1 공진 주파수대역의 하이레벨 주파수는 상기 제2 공진 주파수대역의 로우레벨 주파수보다 크거나 같은 것을 특징으로 하는 메타물질 흡수체
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제5항에 있어서, 상기 제1 공진 주파수는 10
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제1항에 있어서, 상기 제1 내지 제4 도체 패턴은 상기 정사각형 한변의 길이, 상기 정사각형 중심에서 부채꼴 호까지의 길이, 상기 간극의 길이에 따라 공진 주파수가 결정되는 것을 특징으로 하는 메타물질 흡수체
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제1항에 있어서, 상기 대칭적 구조는 상기 메타물질 흡수체의 흡수율(absorptivity)이 편광각(polarization angle)에 둔감하게 하는 것을 특징으로 하는 메타물질 흡수체
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