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유전체 기판;상기 유전체 기판의 상부면에 형성되는 도체부;상기 유전체 기판의 하부면에 형성된 평판 도체부; 및상기 도체부 상에 구비되며, 액체 금속이 수용되기 위한 유체채널을 포함하고,상기 도체부는 복수의 단위 셀로 구성되며,상기 단위 셀은 소정의 간극을 두고 직선 방향으로 배열된 패턴구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 주파수 가변 메타물질 흡수체
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제1항에 있어서,상기 유체채널은 상기 도체부와 전기적 커플링을 형성할 수 있는 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 주파수 가변 메타물질 흡수체
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제3항에 있어서,상기 유체채널은 상기 도체부에 전기 신호가 인가됨에 따라 전기장이 가장 크게 형성되는 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 주파수 가변 메타물질 흡수체
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제1항에 있어서,상기 유체채널에 액체 금속을 주입 또는 제거함에 따라 공진 주파수가 스위칭될 수 있는 것을 특징으로 하는 주파수 가변 메타물질 흡수체
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제5항에 있어서, 상기 액체 금속은 EGaIn인 것을 특징으로 하는 주파수 가변 메타물질 흡수체
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제5항에 있어서,상기 액체 금속을 주입 또는 제거하기 위한 펌프를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 주파수 가변 메타물질 흡수체
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제1항에 있어서,상기 유체채널은 라인 형상을 가지며, 상기 단위 셀과의 상대 위치가 동일하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 주파수 가변 메타물질 흡수체
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제1항에 있어서,상기 유전체 기판의 상부면에 고분자 기판이 적층되고,상기 유체채널은 상기 고분자 기판의 하부면에 형성되는 것을 특징으로 하는 주파수 가변 메타물질 흡수체
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제1항에 있어서,상기 단위 셀은 대향하는 두 변에서 T자형 제거부가 형성된 I자 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 주파수 가변 메타물질 흡수체
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제11항에 있어서,상기 유체채널은 상기 단위 셀의 양단을 커버하도록 두 라인으로 배치되는 것을 특징으로 하는 주파수 가변 메타물질 흡수체
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제1항, 제3항 내지 제7항, 제9항 내지 제12항 중 어느 한 항의 흡수체를 포함하여 구성되며 전자기기에 적용되는 것을 특징으로 하는 EMI용 시트
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유전체 기판의 일면에 도체부를 형성하는 단계;상기 유전체 기판의 타면에 평판 도체부를 접합하는 단계;고분자 기판의 일면을 식각하여 액체 금속이 수용되기 위한 유체채널을 형성하는 단계; 및상기 유전체 기판의 일면과 상기 고분자 기판의 일면을 접합하여 메타물질 흡수체를 제조하는 단계를 포함하고,상기 도체부는 복수의 단위 셀로 구성되며,상기 단위 셀은 소정의 간극을 두고 직선 방향으로 배열된 패턴구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 주파수 가변 메타물질 흡수체의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 도체부는 상기 유전체 기판의 일면에 프린팅됨으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 주파수 가변 메타물질 흡수체의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 도체부는 상기 유전체 기판의 일면을 식각함에 따라 타면에 형성된 상기 평판 도체부가 노출됨으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 주파수 가변 메타물질 흡수체의 제조방법
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