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하기 화학식을 갖는 열전 물질로서,[화학식]Am+12-n/mBn+X2-6-zY1-z(상기 화학식에서, A는 Cu, Ag, Na, Li, K, Cd, Hg, 및 Zn 중에서 하나 또는 둘 이상을 포함하고, B는 Ga, Ge, Si, Sn, P, 및 As 중에서 하나 또는 둘 이상을 포함하며, X는 S, Se, 및 Te 중에서 하나 또는 둘 이상을 포함하고, Y는 F, Cl, Br, 및 I 중에서 하나 또는 둘 이상을 포함하며, m은 A의 이온가를 나타내고, n은 B의 이온가를 나타내며, z는 0과 1 사이의 실수를 나타냄)상기 열전 물질은,A, B, X, 및 Y를 포함하는 반응 성분을 열처리하여 미세 입자를 형성하는 단계; 및 상기 미세 입자를 소결하여 펠렛을 형성하는 단계를 포함하는 방법에 의해 형성되며,상기 열처리는,제1 온도에서 제1 열처리한 후 냉각시키는 단계 및상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도에서 제2 열처리한 후 냉각시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 물질
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제 1 항에 있어서,상기 열전 물질은 300 ~ 800℃의 온도 범위에서 0
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제 1 항에 있어서,상기 열전 물질은, A, B, 및 X로 이루어지는 결정에 Y가 도핑된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 열전 물질
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제 1 항에 있어서,상기 제1 열처리는 800 ~ 1000℃에서 10 ~ 14시간 이루어지고,상기 제2 열처리는 500 ~ 600℃에서 3 ~ 5시간 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전 물질
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하기 화학식을 갖는 열전 물질을 형성하는 방법으로서,[화학식]Am+12-n/mBn+X2-6-zY1-z(상기 화학식에서, A는 Cu, Ag, Na, Li, K, Cd, Hg, 및 Zn 중에서 하나 또는 둘 이상을 포함하고, B는 Ga, Ge, Si, Sn, P, 및 As 중에서 하나 또는 둘 이상을 포함하며, X는 S, Se, 및 Te 중에서 하나 또는 둘 이상을 포함하고, Y는 F, Cl, Br, 및 I 중에서 하나 또는 둘 이상을 포함하며, m은 A의 이온가를 나타내고, n은 B의 이온가를 나타내며, z는 0과 1 사이의 실수를 나타냄)A, B, X, 및 Y를 포함하는 반응 성분을 열처리하여 미세 입자를 형성하는 단계; 및 상기 미세 입자를 소결하여 펠렛을 형성하는 단계를 포함하며,상기 열처리는,제1 온도에서 제1 열처리한 후 냉각시키는 단계 및상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도에서 제2 열처리한 후 냉각시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 물질의 형성 방법
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제 5 항에 있어서,상기 반응 성분은 진공 조건에서 열처리되는 것을 특징으로 하는 열전 물질의 형성 방법
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제 5 항에 있어서,상기 제1 열처리는 800 ~ 1000℃에서 10 ~ 14시간 이루어지고,상기 제2 열처리는 500 ~ 600℃에서 3 ~ 5시간 이루어지는 것을 특징으로 하는 열전 물질의 형성 방법
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제 5 항에 있어서,상기 미세 입자는 상기 반응 성분을 열처리하여 형성된 결과물을 분쇄하는 것에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 열전 물질의 형성 방법
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제 5 항에 있어서,상기 소결은 SPS(spark plasma sintering) 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 열전 물질의 형성 방법
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제 9 항에 있어서,상기 소결은 500 ~ 600℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 열전 물질의 형성 방법
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제 5 항에 있어서,상기 펠렛을 어닐링하는 단계를 더 포함하는 열전 물질의 형성 방법
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제 11 항에 있어서,상기 어닐링은 비활성 가스 분위기에서 500 ~ 600℃에서 0
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