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기판 상에 형성되는 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성되는 절연층;상기 절연층 상부에 형성되는 상부 전극;상기 절연층의 적어도 일면에 형성되는 산화물 반도체층; 및열처리 또는 자외선 처리를 진행하여 상기 산화물 반도체층과 상기 절연층 계면에 형성되고, 상기 산화물 반도체층 내의 전자를 상기 하부 전극 또는 상기 상부 전극으로 이동하도록 제어하는 계면층(interlayer)을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 열처리 또는 상기 자외선 처리는,상기 산화물 반도체층 내의 금속 원소를 상기 계면층으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 열처리 또는 상기 자외선 처리는,상기 계면층 내의 산소를 상기 산화물 반도체층으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 절연층의 두께에 따라, F-N 터널링(F-N tunneling)이 제어되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 계면층의 두께에 따라, F-N 터널링이 제어되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 산화물 반도체층의 두께에 따라, F-N 터널링이 제어되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 열처리는,25℃ 내지 350℃의 온도에서 진행되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 자외선 처리는,185nm 및 245nm의 파장 대역의 자외선을 사용하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 산화물 반도체층은 비정질 인듐 갈륨 아연 산화물(a-IGZO), 아연 산화물(ZnO), 인듐 갈륨 산화물(IGO) 및 인듐 아연 산화물(IZO) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 절연층은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiO2) 및 알루미늄 산화물(Al2O3) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 다이오드
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기판 상에 형성되는 하부 전극;상기 하부 전극 상의 제1 영역에 형성되는 제1 산화물 반도체층;상기 하부 전극 및 상기 제1 산화물 반도체층 상에 형성되는 절연층;상기 제1 영역과 오버랩(overlap)되지 않는 제2 영역의 절연층 상에 형성되는 제2 산화물 반도체층;상기 절연층 및 상기 제2 산화물 반도체층 상에 형성되는 상부 전극; 및열처리 또는 자외선 처리를 진행하여 상기 제1 산화물 반도체층과 상기 절연층 계면 및 상기 제2 산화물 반도체층과 상기 절연층 계면에 형성되고, 상기 제1 산화물 반도체층 및 상기 제2 산화물 반도체층 내의 전자를 상기 하부 전극 또는 상기 상부 전극으로 이동하도록 제어하는 계면층을 포함하는 것을 특징으로 하는 수평 구조의 상호 보완 산화물 반도체 다이오드
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기판 상에 형성되는 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성되는 제1 절연층;상기 제1 절연층 상에 형성되는 중간 전극;상기 중간 전극 상에 형성되는 제2 절연층;상기 제2 절연층 상부에 형성되는 상부 전극;상기 제1 절연층 또는 제2 절연층의 적어도 일면에 형성되는 산화물 반도체층; 및열처리 또는 자외선 처리를 진행하여 상기 산화물 반도체층과 제1 절연층 계면 및 상기 산화물 반도체층과 상기 제2 절연층 계면에 형성되고, 상기 산화물 반도체층 내의 전자를 상기 하부 전극 또는 상기 상부 전극으로 이동하도록 제어하는 계면층을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 다이오드
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