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기판 상에 제1전극을 형성하는 단계;상기 제1전극 상에 제1저항변화층을 형성하는 단계;상기 제1저항변화층 상에 산소플라즈마 처리를 통해 상기 제1 저항변화층의 상부영역을 산화시켜 제2저항변화층으로 형성하는 단계; 및상기 제2저항변화층 상에 아르곤가스 및 소량의 산소가스 분위기 하에 스퍼터링을 통해 이리듐(Ir)전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 산소플라즈마 처리를 통해 상기 제1저항변화층 및 제2저항변화층의 표면 거칠기를 감소시키는 것을 특징으로 하고,상기 이리듐전극을 형성하는 단계는 아르곤가스에 산소가스의 부분압이 0
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제1항에 있어서,상기 인공시냅스 소자는 상기 이리듐 전극 형성시 소량의 산소가스에 의해 산소 이온을 공급받는 것을 특징으로 하는 인공시냅스 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1전극을 형성하는 단계는 화학기상증착, 열진공법, 스퍼터링법 또는 전자빔법을 수행하는 것을 특징으로 하는 인공시냅스 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1전극은 백금(Pt) 또는 텅스텐(W)을 포함하는 것을 특징으로 하는 인공시냅스 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1저항변화층을 형성하는 단계는 화학기상증착, 열진공법, 스퍼터링법 또는 전자빔법을 수행하는 것을 특징으로 하는 인공시냅스 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1저항변화층은 TiO2, NiO, Nb2O6, HfO2, Al2O3, V2O5 또는 TaO2-a를 포함하고, 상기 a는 0 내지 2인 것을 특징으로 하는 인공시냅스 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1저항변화층이 TaO2-a일경우, 상기 제2저항변화층이 Ta2O5-a이고, 상기 a는 0 내지 2인 것을 특징으로 하는 인공시냅스 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제2저항변화층을 형성하는 단계는 아르곤가스에 산소가스의 부분압이 1% 내지 5%가 되도록 혼합하여 수행하는 것을 특징으로 하는 인공시냅스 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판 상에 제1전극을 형성하는 단계 및 상기 제1전극 상에 제1저항변화층을 형성하는 단계 사이에 상기 제1전극 상에 터널링베리어층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인공시냅스 소자 제조방법
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제10항에 있어서,상기 터널링베리어층을 형성하는 단계는 화학기상증착, 열진공법, 스퍼터링법 또는 전자빔법을 수행하는 것을 특징으로 하는 인공시냅스 소자 제조방법
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제10항에 있어서,상기 터널링베리어층은 TiOx, TixOy, HfOx, HfxOy, AlOx, AlxOy, TaOx, TaxOy, VOx, VxOy, NbxOy, NbOx, FexOy, FeOx, WxOy, 또는 WOx를 포함하고, 상기 x 및 상기 y는 0보다 큰 실수인 것을 특징으로 하는 인공시냅스 소자 제조방법
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제1항의 제조방법에 의해 제조된 인공시냅스 소자
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