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고밀도 염소화 양용매인 클로로포름, 클로로벤젠 또는 디클로로벤젠 중 어느 하나는 하부에 위치하고,한계성 용매(Marginal solvent)인 자일렌(Xylene)에 폴리사이오펜(Polythiophene)을 용해시킨 반도체 고분자 용액은 상기 양용매 상부에 위치하며, 상부 용매와 하부 용매의 한센 용해도 파라미터(Hansen solubility parameter)의 차이는 0
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제1항에 있어서,상기 폴리사이오펜은 폴리(3-헥실사이오펜)(Poly(3-hexylthiophene); P3HT)인 것을 특징으로 하는 2상 딥 코팅용 조성물
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제1항에 있어서,상기 반도체 고분자 용액은 폴리사이오펜과 자일렌이 0
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제1항에 있어서, 상부 용매와 하부 용매의 밀도차이는 0
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제1항에 있어서,상기 계면에서는 염소화 양용매와 고분자 용매가 혼합되어 반도체 고분자의 용해도-유도 응집(solubility-induced aggregation)이 일어나는 것은 특징으로 하는 2상 딥 코팅용 조성물
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폴리사이오펜을 자일렌에 혼합하여 85 ~ 90℃로 가열하여 폴리사이오펜 용액을 제조하는 단계;용기에 고밀도 염소화 양용매인 클로로포름, 클로로벤젠 또는 디클로로벤젠 중 어느 하나를 첨가하는 단계;폴리사이오펜 용액을 상기 양용매와 계면을 형성하도록 양용매 위에 적하하여 2상 딥 코팅 용액을 제조하는 단계;상기 2상 딥 코팅 용액에 기판을 침지시키는 단계;및상기 기판을 회수하는 단계를 포함하며,상기 양용매와 자일렌의 한센 용해도 파라미터(Hansen solubility parameter)의 차이는 0
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제9항에 있어서,상기 기판의 회수 속도가 증가할수록 반도체 고분자 박막의 두께가 증가하는 것을 특징으로 하는 반도체 고분자 박막의 형성 방법
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제9항에 있어서,염소화 양용매가 클로로포름인 경우, 상기 2상 딥 코팅 용액을 제조한 후 3분 이내의 숙성 시간을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 고분자 박막의 형성 방법
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제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 의하여 형성된 반도체 고분자 박막
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제12항에 따른 반도체 고분자 박막을 포함하는 전계효과 트랜지스터(Field-Effect Transistors; FETs)
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