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Cu-Bi-Te계 열전 재료 및 그 형성 방법

  • 기술번호 : KST2019014475
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 Cu-Bi-Te계 열전 재료 및 그 형성 방법이 제공된다. 상기 Cu-Bi-Te계 열전 재료의 형성 방법은, Cu, Bi, 및 Te를 반응시켜 Cu-Bi-Te계 분말을 형성하는 단계 및 상기 Cu-Bi-Te계 분말을 소결하는 단계를 포함한다. 상기 Cu-Bi-Te계 분말은 Cu와 Bi-Te계 분말을 고상반응시키는 것에 의해 형성될 수 있고, 상기 소결은 SPS(Spark Plasma Sintering) 공정에 의해 수행될 수 있다. 상기 Cu-Bi-Te계 열전 재료는 상기 방법에 의해 형성된다. 상기 Cu-Bi-Te계 열전 재료는 n 타입일 수 있다.
Int. CL H01L 35/14 (2006.01.01) H01L 35/16 (2006.01.01) H01L 35/18 (2006.01.01) H01L 35/34 (2006.01.01)
CPC H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01)
출원번호/일자 1020180007900 (2018.01.22)
출원인 서울대학교산학협력단, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0089431 (2019.07.31) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.01.22)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정인 서울특별시 종로구
2 차준일 서울특별시 관악구
3 조병진 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 강문호 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ** (반포동) 우주빌딩 *층(다민특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2018-0075462-30
2 보정요구서
Request for Amendment
2018.02.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0018833-99
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-0198209-02
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.01.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.03.14 수리 (Accepted) 9-1-2019-0011786-27
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0276089-08
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2019-0618940-24
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.06.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0618811-43
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
13 등록결정서
Decision to grant
2019.10.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0752398-33
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Cu-Bi-Te계 열전 재료의 형성 방법으로서,Cu, Bi, 및 Te를 반응시켜 Cu-Bi-Te계 분말을 형성하는 단계; 및상기 Cu-Bi-Te계 분말을 소결하는 단계를 포함하며,상기 Cu-Bi-Te계 분말은 상기 Cu와 Bi-Te계 분말을 고상반응시키는 것에 의해 형성되고,상기 소결은 SPS(Spark Plasma Sintering) 공정에 의해 수행되며,과량의 Te 분위기(Bi 대 Te의 몰수비가 1:(1
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서,상기 고상반응은 650 ~ 750℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 Cu-Bi-Te계 열전 재료의 형성 방법
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 SPS 공정은 500 ~ 600℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 Cu-Bi-Te계 열전 재료의 형성 방법
7 7
제 1 항, 제 4 항, 및 제 6 항 중 어느 한 항의 방법에 의해 형성된 Cu-Bi-Te계 열전 재료로서,상기 Cu-Bi-Te계 열전 재료는 하기 화학식을 갖는 것을 특징으로 하는 Cu-Bi-Te계 열전 재료
8 8
삭제
9 9
제 7 항에 있어서,상기 Cu-Bi-Te계 열전 재료는 n 타입인 것을 특징으로 하는 Cu-Bi-Te계 열전 재료
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부(전 미래창조과학부) 한국과학기술원 선도연구센터지원사업 유연 열전 반도체 소자기술 센터