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하기 화학식 1로 표시되는 비스-아릴 암모늄(bis-aryl ammonium) 화합물을 포함하는 도금용 평탄제: [화학식 1](여기서, 중앙 사슬의 A는 CH2 또는 O일 수 있다
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제1항에 있어서, 상기 R1의 아릴기는 페닐(Phenyl), 벤질(benzyl), 나프틸(naphthyl), 및 안트라세닐(anthracenyl)에서 선택되는, 비스-아릴 암모늄(bis-aryl ammonium) 화합물을 포함하는 도금용 평탄제
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제1항에 있어서,상기 R2 및 R3의 C1~C7 알킬기는 메틸(methyl), 에틸(ethyl), 프로필(propyl), 이소프로필(iso-propyl), 부틸(butyl), 이소부틸(iso-butyl), 터트부틸(tert-butyl), 펜틸(pentyl), 이소펜틸(iso-pentyl), 헥실(hexyl), 및 이소헥실(iso-hexyl)에서 선택되고, 상기 아릴기는 페닐(Phenyl), 벤질(benzyl), 나프틸(naphthyl), 및 안트라세닐(anthracenyl)에서 선택되는, 비스-아릴 암모늄(bis-aryl ammonium) 화합물을 포함하는 도금용 평탄제
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제1항에 있어서, 상기 X-는 요오드화 이온 (I-), 브롬화 이온(Br-), 염화 이온(Cl-), 플로오르화 이온(F-), 요오드산 이온(IO3-), 염소산 이온(ClO3-), 과염소산 이온(ClO4-), 브롬산 이온(BrO3-), 질산 이온(NO3-), 아질산 이온(NO2-), 헥사플루오르화인산 이온(PF6-), 사불화붕산 이온(BF4-), 황산 이온(HSO4-), 및 메틸황산 이온(CH3SO4-)에서 선택되는, 비스-아릴 암모늄(bis-aryl ammonium) 화합물을 포함하는 도금용 평탄제
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제1항에 있어서, 하기 화학식 2 또는 하기 화학식 3으로 표시되는, 비스-아릴 암모늄(bis-aryl ammonium) 화합물을 포함하는 도금용 평탄제:[화학식 2][화학식 3]
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 도금용 평탄제를 포함하는, 구리 도금액
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제6항에 있어서, 상기 평탄제의 농도는 0
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제6항에 있어서, 상기 구리 도금액은 탈이온수(deionized water), 구리이온 화합물, 지지전해질, 염소이온 화합물, 가속제 및 억제제에서 선택되는 1종 이상을 더 포함하는, 구리 도금액
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제8항에 있어서, 상기 구리이온 화합물은 황산구리(CuSO4), 질산구리(Cu(NO3)2), 아세트산구리(Cu(CO2CH3)2), 구리 메탄 술폰산염(Cu(CH3SO3)2), 탄산구리(CuCO3), 시안화동(CuCN), 염화제2구리(CuCl2) 및 과염소산구리(Cu(ClO4)2)에서 선택되는 1종 이상인, 구리 도금액
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제8항에 있어서, 상기 지지전해질은 황산(H2SO4), 시트르산(HOC(COOH)(CH2COOH)2), 과염소산(HClO4), 메탄술폰산(CH3SO3H), 황산나트륨(Na2SO4), 황산칼륨(K2SO4) 및 붕산(H3BO3)에서 선택되는 1종 이상인, 구리 도금액
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제8항에 있어서, 상기 염소이온 화합물은 염산(HCl), 염화나트륨(NaCl) 및 염화칼륨(KCl)에서 선택되는 1종 이상인, 구리 도금액
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제8항에 있어서, 상기 가속제는 비스(3-설포프로필)디설파이드(bis(3-sulfopropyl)-disulfide, SPS), 3-머캅토-1-프로판설포닉애시드(3-mercapto-1-propanesulfonic acid; MPSA), 및 3-N,N-디메틸아미노디티오카바모일-1-프로판설포닉애시드(3-N,N-dimethylaminodithiocarbamoyl-1-propanesulfonic acid; DPS)에서 선택되는 1종 이상인, 구리 도금액
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제8항에 있어서,상기 억제제는 폴리에틸렌글리콜(polyethylene glycol; PEG), 폴리프로필렌글리콜(polypropylene glycol; PPG), 폴리에틸렌이민(polyethylene imine) 및 이의 공중합체에서 선택되는 1종 이상인, 구리 도금액
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비아 홀(via hole)이 형성된 기판을 전처리하는 단계; 및상기 전처리된 기판을 제5항에 기재된 구리 도금액으로 도금하여 비아(via)를 형성하는 단계를 포함하는, 구리 도금 방법
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제14항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판이고, 상기 비아는 실리콘 관통전극(Through Silicon Via, TSV)인, 구리 도금 방법
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제14항에 있어서, 상기 전처리하는 단계는 전극 부위 박리 단계 및 세정 단계 중 1종 이상을 포함하는, 구리 도금 방법
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제14항에 있어서, 비아 홀은 깊이 80 ~ 150 ㎛이고, 상부 직경 100 ~ 200 ㎛이고, 하부 직경 80 ~ 150 ㎛인, 구리 도금 방법
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제14항에 있어서,상기 비아 홀은 1 이상의 종횡비(aspect ratio)를 갖는, 구리 도금 방법
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