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무전력 화학물질 감지센서 및 센싱방법

  • 기술번호 : KST2019016186
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 무전력 화학물질 감지센서 및 센싱방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 무전력 화학물질 감지센서 및 센싱방법은 그래핀, 광흡수층 및 전극이 적층되어 이루어진 감지센서로 빛의 조사로 인해 무전력으로 화학물질을 감지할 수 있는 무전력 화학물질 감지센서 및 센싱방법을 제공한다.
Int. CL G01N 27/12 (2006.01.01) G01N 21/17 (2006.01.01)
CPC G01N 27/125(2013.01) G01N 27/125(2013.01) G01N 27/125(2013.01) G01N 27/125(2013.01) G01N 27/125(2013.01) G01N 27/125(2013.01)
출원번호/일자 1020180014042 (2018.02.05)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0094646 (2019.08.14) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.02.05)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이철호 서울특별시 성북구
2 박해리 서울특별시 도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김정연 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
2 강일신 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층 혜산빌딩(양재동)(시공특허법률사무소)
3 백두진 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0125597-02
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.01.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0041540-12
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.05.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0334029-18
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2019-0702569-92
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.08.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0789413-40
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2019-0789416-87
8 보정요구서
Request for Amendment
2019.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0130784-89
9 [출원서 등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2019.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2019-0812118-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.12.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0868790-60
12 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2020.01.02 수리 (Accepted) 1-1-2020-0000722-29
13 법정기간연장승인서
2020.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0003844-09
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2020-0105200-93
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2020.01.31 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-0105257-84
16 보정요구서
Request for Amendment
2020.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0020120-16
17 [출원서 등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2020.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2020-0120847-19
18 등록결정서
Decision to Grant Registration
2020.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0116878-10
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그래핀, 광흡수층 및 전극이 적층되어 이루어진 감지센서로 빛의 조사로 인해 광흡수층에서 광전하가 생성 및 분리되어 광전류가 흐름에 따라 무전력으로 화학물질을 감지하되,상기 광흡수층 상부에 배치된 상기 그래핀 표면에 화학물질 흡착 시 상기 그래핀은 p-doped 또는 n-doped 되어, 페르미 에너지 준위가 변화하게 되고, 상기 그래핀의 페르미 에너지 준위의 변화에 의해 상기 그래핀과 상기 광흡수층 사이 계면의 내부 확산 전위가 변화하게 되고,상기 그래핀과 상기 광흡수층 사이 계면의 내부 확산 전위의 변화에 의해 광전류량이 변화되어 화학물질의 존재를 감지할 수 있고,상기 그래핀에 전자를 주는 타입의 화학물질이 흡착되면, 상기 그래핀의 일함수가 감소하고 그에 따라 밴드 기울기가 감소하여 광전류량이 감소하고, 상기 그래핀에 전자를 받는 타입의 화학물질이 흡착되면, 상기 그래핀의 일함수가 증가하고 그에 따른 밴드 기울기가 증가하여 광전류량이 증가하는 무전력 화학물질 센싱방법
2 2
제1항에 있어서,상기 그래핀 및 광흡수층의 쇼트키 접합계면에 페르미 에너지 준위 차이에 의해 내부 확산 전위(built-in potential)가 생기고, 광흡수층에 밴드갭 이상의 빛을 조사함으로써 광전류가 발생하는 것을 특징으로 하는 무전력 화학물질 센싱방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,화학물질 중 특정 화학물질을 감지하기 위해 그래핀 표면에 촉매 물질들을 형성할 수 있으며,수소를 감지하기 위해 그래핀 표면에 Pd 또는 Pt를 증착하여 수소 물질 존재여부를 감지하는 것을 특징으로 하는 무전력 화학물질 센싱방법
5 5
그래핀, 광흡수층 및 전극이 적층되어 이루어진 감지센서로,상기 그래핀 및 광흡수층은 이종접합 구조로 형성되며,빛의 조사로 인해 광흡수층에서 광전하가 생성 및 분리되어 광전류가 흐름에 따라 무전력으로 화학물질을 감지하되,상기 그래핀 및 광흡수층의 쇼트키 접합계면에 페르미 에너지 준위 차이에 의해 내부 확산 전위(built-in potential)가 생기고, 광흡수층에 밴드갭 이상의 빛을 조사함으로써 광전류가 발생하고,상기 그래핀의 페르미 에너지 준위의 변화에 의해 상기 그래핀과 상기 광흡수층 사이 계면의 내부 확산 전위가 변화하게 되고,상기 광흡수층 상부에 배치된 상기 그래핀 표면에 화학물질이 흡착 또는 탈착함에 따라 페르미 에너지준위 변화로 광전류가 증가 또는 감소함으로써 상기 화학물질을 감지할 수 있고, 상기 그래핀에 전자를 주는 타입의 화학물질이 흡착되면, 상기 그래핀의 일함수가 감소하고 그에 따라 밴드 기울기가 감소하여 광전류량이 감소하고,상기 그래핀에 전자를 받는 타입의 화학물질이 흡착되면, 상기 그래핀의 일함수가 증가하고 그에 따른 밴드 기울기가 증가하여 광전류량이 증가하는 무전력 화학물질 감지센서
6 6
제5항에 있어서,상기 광흡수층은 반도체 또는 전이금속 칼코겐 화합물인 것을 특징으로 하는 무전력 화학물질 감지센서
7 7
제6항에 있어서,상기 반도체는 Si, GaN계 화합물, GaAs계 화합물, Copper indium gallium selenide (CIGS) 계 화합물, 페로브스카이계 화합물, 흑린(black phosphorous) 중 1이상 선택되며,상기 전이금속 칼코겐 화합물로는 MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2, WTe2, SnS2, InSe, In2Se3, GaS, GaSe, HfS2, HfSe2, ZrS2, ZrSe2, HfSe2 중 1이상 선택되는 것을 특징으로 하는 무전력 화학물질 감지센서
8 8
제5항에 있어서,화학물질 중 특정 화학물질을 감지하기 위해 그래핀 표면에 촉매물질 들을 형성할 수 있으며,수소를 감지하기 위해 그래핀 표면에 Pd 또는 Pt를 증착하여 수소 물질 존재여부를 감지하는 것을 특징으로 하는 무전력 화학물질 감지센서
9 9
삭제
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순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20190242827 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2019242827 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.