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은 나노입자 전극 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2019016426
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시예는 은 나노입자 전극 및 이의 제조방법에 대한 것이다. 실시예에 따른 은 나노입자 전극은, 기판; 및 상기 기판 상에 배치되는 은 나노입자 박막;을 포함하며, 상기 은 나노입자 박막은, 은 나노입자; 및 상기 은 나노입자의 표면 상의 할로겐 리간드(halide ligand);를 포함할 수 있다.
Int. CL H01B 5/14 (2006.01.01) H01B 1/02 (2006.01.01) H01B 13/00 (2006.01.01) H01B 13/32 (2006.01.01)
CPC H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01)
출원번호/일자 1020180015832 (2018.02.08)
출원인 엘지이노텍 주식회사, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0096197 (2019.08.19) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성동현 서울특별시 중구
2 오승주 서울특별시 강남구
3 이승욱 서울특별시 동대문구
4 성민기 서울특별시 성북구
5 김한은 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허용록 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 현죽빌딩)(선영특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2018-0141485-62
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 및상기 기판 상에 배치되는 은 나노입자 박막;을 포함하며,상기 은 나노입자 박막은,은 나노입자; 및상기 은 나노입자의 표면 상의 할로겐 리간드(halide ligand);를 포함하는 것을 특징으로 하는 은 나노입자 전극
2 2
제1 항에 있어서,상기 할로겐 리간드는,상기 은 나노입자 표면에 있던 표면 리간드가 치환된 치환 리간드인 것을 특징으로 하는 은 나노입자 전극
3 3
제2 항에 있어서,상기 할로겐 리간드는,상기 표면 리간드가 염소, 브롬 및 아이오딘 중 하나로 치환된 치환 리간드인 것을 특징으로 하는 은 나노입자 전극
4 4
제1 항에 있어서,상기 은 나노입자 박막은, 2층 이상의 복수의 층으로 배치되는 것을 특징으로 하는 은 나노입자 전극
5 5
기판 상에 은 나노입자 용액을 코팅하여 은 나노입자 박막을 생성하는 제1 단계; 및상기 은 나노입자 박막의 표면 리간드를, 상기 표면 리간드보다 상대적으로 길이가 짧은 치환 리간드로 치환하는 제2 단계;를 포함하는 은 나노입자 전극의 제조방법
6 6
제5 항에 있어서,상기 치환 리간드는, 할로겐 이온인 은 나노입자 전극의 제조방법
7 7
제5항에 있어서,상기 제2 단계는,상기 치환 리간드가 혼합된 리간드 용액을, 상기 은 나노입자 박막의 표면에 뿌려서, 상기 표면 리간드를 치환하는 은 나노입자 전극의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.