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태양전지용 CIGS 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019016947
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법이 제공된다. 상기 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법은 용액 처리된 CIG산화물 박막을 3단계 칼코겐화 공정을 통하여 열처리함으로써 큰 입자 크기 및 이상적인 이중 밴드갭 등급 구조를 갖는 CIGS 박막을 제조할 수 있고, 이를 통해 태양전지의 성능을 개선시킬 수 있다.
Int. CL H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/0445 (2014.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/032 (2006.01.01)
CPC H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01)
출원번호/일자 1020180044533 (2018.04.17)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-2015985-0000 (2019.08.23)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190829) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.04.17)
심사청구항수 23

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 민병권 서울특별시 성북구
2 박기순 서울특별시 성북구
3 오형석 서울특별시 성북구
4 황윤정 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2018-0381076-64
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.06.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.08.07 수리 (Accepted) 9-1-2018-0040320-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0136649-16
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.04.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0422720-01
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2019-0422719-54
7 등록결정서
Decision to grant
2019.08.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0562633-12
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번호 청구항
1 1
Cu, In 및 Ga 전구체를 포함하는 용액을 기판 상에 코팅하고 공기 분위기 하에서 열처리하여 CIG(구리인듐갈륨)산화물 박막을 얻는 단계;상기 기판 상에 코팅된 CIG산화물 박막을 불활성 가스 분위기 하에서 열처리하는 제1단계;상기 CIG산화물 박막에 기상의 셀레늄 전구체를 공급하면서 열처리하여 Cu2-xSe (0≤x003c#1) 상을 형성하는 제2단계; 및상기 Cu2-xSe 상이 형성된 박막을 기상의 황 전구체 함유 분위기 하에서 열처리하여 CIGS 박막을 형성하는 제3단계;를 포함하는 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 제1단계의 열처리는 불활성 가스 분위기 하에서 수행되는 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 제1단계의 열처리는 200 내지 400 ℃에서 5 내지 90 분 동안 수행되는 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 제2단계의 열처리는 상기 제1단계의 열처리 온도보다 더 높은 온도로 승온시켜 진행되는 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 제2단계는 상기 CIG산화물 박막을 불활성 가스 분위기 하에서 기상의 셀레늄 전구체를 공급하면서 200 내지 600 ℃로 승온시켜 5 내지 120 분 동안 열처리하는 것인 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 기상의 셀레늄 전구체는 셀레늄 증기인 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 제3단계의 열처리는 상기 제2단계의 열처리보다 더 높은 온도로 승온시켜 수행되는 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 제3단계의 열처리는 상기 제2단계의 열처리 온도에서 단계적으로 승온시키면서 수행되는 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 제3단계의 열처리는 상기 제2단계의 열처리보다 10 내지 100 ℃의 온도를 더 승온시킴으로써 수행되는 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법
10 10
제1항에 있어서,상기 기상의 황 전구체는 H2S인 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법
11 11
제1항에 있어서,상기 CIG산화물 박막을 얻는 단계는 알코올계 용매 내에 Cu, In 및 Ga 전구체를 포함하는 용액을 이용하여 수행되는, 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법
12 12
제1항에 있어서,상기 코팅은 스핀코팅, 닥터블레이딩, 및 스크린프린팅 중 적어도 하나의 용액공정 방법으로 수행되는 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법
13 13
제1항에 있어서,상기 기판은 몰리브데늄, 플루오린 틴 옥사이드 및 인듐 틴 옥사이드 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법
14 14
제1항에 있어서,상기 CIGS 박막은 이중 밴드갭 등급 구조를 갖는 것인 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법
15 15
제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따른 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법을 통해 CIGS 박막을 제조하는 단계; 및상기 CIGS 박막 상에 황화아연카드뮴을 포함하는 버퍼층을 형성하는 단계;를 포함하는 태양전지용 CIGS 박막 및 버퍼층 접합구조의 제조방법
16 16
제1전극 상에 CIGS 박막을 형성하는 단계; 및상기 CIGS 박막 상에 제2전극층을 형성하는 단계;를 포함하는 태양전지의 제조방법에 있어서,상기 CIGS 박막은 상기 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따른 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법을 통해 제조되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
17 17
제16항에 있어서,상기 제1전극은 몰리브데늄, 플루오린 틴 옥사이드 및 인듐 틴 옥사이드 중에서 선택된 1종 이상인 태양전지의 제조방법
18 18
제16항에 있어서,상기 제2전극은 몰리브데늄, 플루오린 틴 옥사이드, 인듐 틴 옥사이드, 니켈 및 알루미늄 중에서 선택된 1종 이상인 태양전지의 제조방법
19 19
제16항에 있어서,상기 태양전지는 황화아연카드뮴을 포함하는 버퍼층을 더 포함하는 태양전지의 제조방법
20 20
제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따른 태양전지용 CIGS 박막의 제조방법에 의하여 제조된 태양전지용 CIGS 박막
21 21
제20항에 있어서,상기 CIGS 박막은 이중 밴드갭 등급 구조를 갖는 것인 태양전지용 CIGS 박막
22 22
제20항에 따른 태양전지용 CIGS 박막을 포함하는 태양전지
23 23
제22항에 있어서,상기 CIGS 박막 상에 황화아연카드뮴을 포함하는 버퍼층을 더 포함하는 태양전지
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국과학기술연구원 신재생에너지핵심기술개발 나노패턴 후면전극 및 용액공정 기반 1 마이크로미터 이하 초박막 CIGS를 이용한 효율 20%급 박막 태양전지 개발