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유기 발광 소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019017124
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따르면, 유기 발광 소자의 제조 방법은 보호 기판 상에 발광부들을 형성하는 것; 상기 보호 기판 상에 상기 발광부들을 덮는 봉지층을 형성하는 것; 상기 봉지층 상에 제1 도전 배선을 형성하는 것; 상기 제1 도전 배선 상에 제1 유연 기판을 형성하는 것; 및 상기 보호 기판 및 상기 봉지층 내에 트렌치를 형성하여, 복수의 발광 유닛들을 분리시키는 것을 포함할 수 있다. 상기 트렌치는 상기 제1 도전 배선 및 상기 제1 유연 기판을 노출시킬 수 있다. 상기 발광 유닛들은 상기 발광부들을 각각 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 27/32 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020180061371 (2018.05.29)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0101270 (2019.08.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020180021260   |   2018.02.22
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조두희 대전광역시 서구
2 변춘원 대전광역시 유성구
3 권오은 서울특별시 송파구
4 박영삼 대전광역시 서구
5 유병곤 충북 영동군
6 조남성 대전광역시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2018-0528454-78
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번호 청구항
1 1
보호 기판 상에 발광부들을 형성하는 것;상기 보호 기판 상에 상기 발광부들을 덮는 봉지층을 형성하는 것; 상기 봉지층 상에 제1 도전 배선을 형성하는 것;상기 제1 도전 배선 상에 제1 유연 기판을 형성하는 것; 및상기 보호 기판 및 상기 봉지층 내에 트렌치를 형성하여, 복수의 발광 유닛들을 분리시키는 것을 포함하되, 상기 트렌치는 상기 제1 도전 배선 및 상기 제1 유연 기판을 노출시키고, 상기 발광 유닛들은 상기 발광부들을 각각 포함하는 유기 발광 소자 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 유연 기판은 복수의 픽셀 영역들 및 상기 픽셀 영역들을 둘러싸는 브릿지 영역을 가지고, 상기 발광 유닛들은 상기 픽셀 영역들에 각각 제공되고, 상기 트렌치는 상기 브릿지 영역 상에 제공되는 유기 발광 소자 제조 방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 제1 도전 배선은 상기 제1 유연 기판의 상기 픽셀 영역들 및 상기 브릿지 영역 상에 제공되는 유기 발광 소자 제조 방법
4 4
제 2항에 있어서, 상기 보호 기판 상에 게이트 패턴을 형성하는 것; 상기 게이트 패턴 상에 절연 패턴을 형성하는 것; 상기 절연 패턴 상에 소스 패턴, 드레인 패턴, 및 활성 패턴을 형성하는 것; 및상기 소스 패턴, 상기 드레인 패턴, 및 상기 활성 패턴을 덮는 평탄층을 형성하는 것을 더 포함하되, 상기 발광부들 및 상기 봉지층은 상기 평탄층 상에 배치되는 유기 발광 소자 제조 방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 제1 도전 배선은 상기 발광 유닛들의 소스 패턴들과 전기적으로 연결되는 유기 발광 소자 제조 방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 발광부들 각각은 적층된 제1 전극, 유기 발광층, 및 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 드레인 패턴과 전기적으로 연결되는 유기 발광 소자 제조 방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 제1 유연 기판 상에 제2 도전 배선을 형성하는 것을 더 포함하되, 상기 제2 도전 배선은 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되는 유기 발광 소자 제조 방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 복수의 발광 유닛들을 분리된 후, 상기 제2 도전 배선은 상기 브릿지 영역 상에 남아있는 유기 발광 소자 제조 방법
9 9
제 1항에 있어서, 상기 발광부들은 상기 트렌치에 노출되지 않는 유기 발광 소자 제조 방법
10 10
제 1항에 있어서 상기 봉지층 및 상기 보호 기판은 견고(rigid)하고, 상기 봉지층 및 상기 보호 기판은 가스 배리어 물질들을 포함하는 유기 발광 소자 제조 방법
11 11
제 1항에 있어서,상기 브릿지 영역의 제1 유연 기판은 주름 구조를 갖고, 상기 제1 유연 기판의 상기 브릿지 영역 상의 상기 제1 도전 배선은 주름 구조를 갖는 유기 발광 소자 제조 방법
12 12
제 1항에 있어서,상기 트렌치 내에 보호 패턴을 형성하여, 상기 제1 도전 배선의 하부면을 덮은 것을 더 포함하는 유기 발광 소자 제조 방법
13 13
제 1항에 있어서,상기 트렌치를 형성하기 이전에, 상기 보호 기판의 두께 감소 공정을 수행하는 것을 더 포함하는 유기 발광 소자 제조 방법
14 14
제 1항에 있어서,상기 발광 유닛들은 상기 제1 유연 기판에 의해 서로 연결되는 유기 발광 소자 제조 방법
15 15
제 1항에 있어서,상기 트렌치를 형성하는 것은 레이저를 사용한 공정 또는 포토 리소그래피를 사용한 식각 공정에 의해 수행되는 유기 발광 소자 제조 방법
16 16
픽셀 영역들 및 브릿지 영역을 포함하는 유연 기판을 준비하는 것; 상기 유연 기판 상에 제1 도전 배선 및 제2 도전 배선을 형성하는 것, 상기 제1 도전 배선 및 상기 제2 도전 배선은 상기 픽셀 영역들 및 상기 브릿지 영역 상에 제공되고; 상기 제1 도전 배선 및 상기 제2 도전 배선 상에 평탄층을 형성하는 것;상기 평탄층 상에 발광부들을 형성하되, 상기 발광 유닛들은 상기 픽셀 영역들 상에 각각 제공되고; 상기 평탄층 상에 봉지층을 형성하여, 상기 발광부들을 덮는 것; 상기 봉지층 상에 보호 기판을 형성하는 것; 및상기 유연 기판의 상기 브릿지 영역 상에 상기 보호 기판, 상기 봉지층, 및 상기 평탄층을 관통하는 트렌치를 형성하여, 복수의 발광 유닛들을 서로 분리시키는 것을 포함하고, 상기 트렌치는 상기 유연 기판, 상기 제1 도전 배선, 및 상기 제2 도전 배선을 노출시키는 유기 발광 소자 제조 방법
17 17
제 16항에 있어서,상기 발광 유닛들은 상기 발광부들을 각각 포함하고, 상기 발광부들은 상기 트렌치에 노출되지 않는 유기 발광 소자 제조 방법
18 18
제 16항에 있어서,상기 발광부들 각각은 적층된 제1 전극, 유기 발광층, 및 제2 전극을 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 제2 도전 배선과 전기적으로 연결되는 유기 발광 소자 제조 방법
19 19
제 16항에 있어서,상기 유연 기판 상에 게이트 패턴을 형성하는 것; 상기 게이트 패턴, 상기 제1 도전 배선, 및 상기 제2 도전 배선을 덮는 절연 패턴을 형성하는 것; 상기 절연 패턴 상에 소스 패턴, 드레인 패턴, 및 활성 패턴을 형성하는 것; 및상기 평탄층은 상기 소스 패턴, 상기 드레인 패턴, 및 상기 활성 패턴을 덮는 유기 발광 소자 제조 방법
20 20
제 19항에 있어서, 상기 제1 도전 배선은 상기 소스 패턴과 전기적으로 연결되는 유기 발광 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.