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기판; 상기 기판 상에 제공되는 화합물 반도체 층; 및상기 화합물 반도체 층과 상기 기판 사이에 개재하는 버퍼층을 포함하되,상기 화합물 반도체 층은:제1 도전형을 갖는 제1 반도체 영역; 및제2 도전형을 갖는 제2 반도체 영역을 포함하고,상기 버퍼층은 고 전자밀도 영역을 포함하고,상기 버퍼층 내에서, 상기 고 전자밀도 영역의 전자밀도는 상기 고 전자밀도 영역 외부의 전자밀도보다 높고, 상기 제1 및 제2 반도체 영역들의 각각 제1 5족 원소 및 제2 5족 원소를 포함하고, 상기 제1 반도체 영역 내의 상기 제1 및 제2 5족 원소들의 비율은 상기 제2 반도체 영역 내의 상기 제1 및 제2 5족 원소들의 비율과 다른 3족-5족 화합물 반도체 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제2 5족 원소는 상기 제1 5족 원소보다 원자번호가 낮은 3족-5족 화합물 반도체 장치
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기판; 상기 기판 상에 제공되는 화합물 반도체 층; 및상기 화합물 반도체 층과 상기 기판 사이에 개재하는 버퍼층을 포함하되,상기 화합물 반도체 층은:제1 도전형을 갖는 제1 반도체 영역; 및제2 도전형을 갖는 제2 반도체 영역을 포함하고,상기 버퍼층은 고 전자밀도 영역을 포함하고,상기 버퍼층 내에서, 상기 고 전자밀도 영역의 전자밀도는 상기 고 전자밀도 영역 외부의 전자밀도보다 높고, 상기 제2 반도체 영역은 제1 5족 원소 및 제2 5족 원소를 포함하고, 상기 제1 5족 원소와 상기 제2 5족 원소의 농도 비율은 상기 제2 반도체 영역 내에서 상기 기판의 상면에 평행한 방향을 따라 변하는 3족-5족 화합물 반도체 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제2 반도체 영역의 밴드갭은 상기 제1 반도체 영역의 밴드갭과 동일한 3족-5족 화합물 반도체 장치
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제 1 항에 있어서,상기 고 전자밀도 영역은 상기 제2 반도체 영역 아래에 배치되는 3족-5족 화합물 반도체 장치
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제 1 항에 있어서,상기 고 전자밀도 영역은 상기 버퍼층의 상부에 제공되는 3족-5족 화합물 반도체 장치
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제 1 항에 있어서,상기 고 전자밀도 영역과 상기 제2 반도체 영역은 서로 접하는 3족-5족 화합물 반도체 장치
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제 1 항에 있어서,상기 버퍼층의 격자 상수는 상기 제1 반도체 영역의 격자 상수보다 작되, 상기 제2 반도체 영역의 격자 상수보다 큰 3족-5족 화합물 반도체 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제1 반도체 영역 및 상기 제2 반도체 영역은 서로 동일한 3족 원소들을 포함하는 3족-5족 화합물 반도체 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제1 반도체 영역은 GaSb를 포함하고,상기 제2 반도체 영역은 GaAsSb를 포함하는 3족-5족 화합물 반도체 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제1 반도체 영역의 두께와 상기 제2 반도체 영역의 두께는 서로 동일한 3족-5족 화합물 반도체 장치
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제 12 항에 있어서,상기 제1 반도체 영역의 바닥면과 상기 제2 반도체 영역의 바닥면은 서로 동일한 레벨에 배치되는 3족-5족 화합물 반도체 장치
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삭제
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삭제
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제 1 항에 있어서,상기 제1 반도체 영역 내의 상기 제2 5족 원소의 분포 및 상기 제2 반도체 영역 내의 상기 제2 5족 원소의 분포는 상기 기판의 상면에 평행한 방향을 따라 변하는 3족-5족 화합물 반도체 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제1 반도체 영역과 상기 제2 반도체 영역은 상기 기판의 상면에 평행한 방향으로 배열되고,상기 제1 반도체 영역과 상기 제2 반도체 영역은 서로 접하는 3족-5족 화합물 반도체 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제1 반도체 영역은 한 쌍으로 제공되고,상기 제2 반도체 영역은 상기 한 쌍의 제1 반도체 영역들 사이에 배치되는 3족-5족 화합물 반도체 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제2 반도체 영역은 한 쌍으로 제공되고,상기 제1 반도체 영역은 상기 한 쌍의 제2 반도체 영역들 사이에 배치되는 3족-5족 화합물 반도체 장치
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