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Ω 형상의 채널을 갖는 고이동도 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2014051258
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 Ω 형상의 채널을 구비하는 HEMT(high electron mobility transistor)가 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 HEMT는 소스, 드레인, 그 양단부가 각각 소스와 드레인에 연결되는 Ω 형상의 채널 및 적어도 채널의 일부를 덮는 게이트를 포함한다. 나노스케일을 갖는 HEMT의 채널이 Ω 형상을 가짐으로써 채널의 길이가 실질적으로 증가되고, 단채널 효과가 감소되어 스위칭 특성이 향상된다.HEMT, 채널, 단채널 효과, Ω 형상
Int. CL H01L 29/778 (2011.01) H01L 21/336 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 29/7783(2013.01) H01L 29/7783(2013.01) H01L 29/7783(2013.01)
출원번호/일자 1020060137487 (2006.12.29)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0782941-0000 (2007.11.30)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071207) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.29)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이규환 대한민국 서울 성북구
2 김재호 대한민국 서울 동대문구
3 오정수 대한민국 서울 강남구
4 정환원 대한민국 서울 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주성민 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)
2 장수길 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0980463-44
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.09.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.10.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0058473-62
4 등록결정서
Decision to grant		 2007.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0624725-32
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
소스;드레인;그 양단부가 각각 상기 소스와 상기 드레인에 연결되는 Ω 형상의 채널; 및적어도 상기 채널의 일부를 덮는 게이트를 포함하는 HEMT
2 2
제1항에 있어서,상기 Ω 형상 채널의 곡면은 외주와 내주를 갖고,상기 외주의 반경은 상기 내주의 반경의 2배인, HEMT
3 3
제1항에 있어서,상기 게이트는 상기 Ω 형상 채널의 곡면을 덮는 부채꼴 부분과 상기 부채꼴 부분의 중심에서 연장되는 연장부를 포함하는, HEMT
4 4
제3항에 있어서,상기 부채꼴 부분은 중심각이 70°내지 120°인 부채꼴 형상을 갖는, HEMT
5 5
제1항에 있어서,상기 채널 상에 형성된 2차원 전자가스층을 더 포함하는, HEMT
6 6
제5항에 있어서,상기 2차원 전자가스층은 양자우물층 또는 삼각 우물층인, HEMT
7 7
제6항에 있어서,상기 2차원 전자가스층 내에 형성된 델타 도핑층을 더 포함하는, HEMT
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.