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광자를 전달 받는 반사실적 CNOT 게이트;상기 반사실적 CNOT 게이트와 일 경로를 통해 연결되고 광자를 편광하고 분광하는 제1 편광 빔 스플리터; 및상기 제1 편광 빔 스플리터에서 방출되는 광의 편광 상태에 따라서 광자를 검출하거나 또는 검출하지 않는 복수의 제1 검출기;를 포함하되,상기 복수의 제1 검출기 중에서 광자를 검출한 검출기에 따라서 벨 상태가 결정되고,상기 반사실적 CNOT 게이트는,입력된 광자를 편광하여 분광하는 제3 편광 빔 스플리터;상기 제3 편광 빔 스플리터와 연결되고 제어 비트의 입력 상태에 따라서 일 출력 경로로 광자를 출력하는 수평-반사실적 양자 제논 효과부;상기 제3 편광 빔 스플리터와 연결되고 제어 비트의 입력 상태에 따라서 다른 출력 경로로 광자를 출력하는 수직-반사실적 양자 제논 효과부;를 포함하는 반사실적 양자 벨 상태 분석 장치
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제1항에 있어서,상기 일 경로와 다른 경로를 통해 상기 반사실적 CNOT 게이트와 연결되고 광자를 편광하고 분광하는 제2 편광 빔 스플리터; 및상기 제2 편광 빔 스플리터에서 방출되는 광의 편광 상태에 따라서 광자를 검출하거나 또는 검출하지 않는 복수의 제2 검출기;를 더 포함하는 반사실적 양자 벨 상태 분석 장치
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제1항에 있어서,상기 반사실적 CNOT 게이트는, 상기 수평-반사실적 양자 제논 효과부 및 상기 수직 반사실적 양자 제논 효과부와 연결되고, 외부의 다른 단말 장치와 통신 가능한 채널에 연결되는 제4 편광 빔 스플리터;를 더 포함하는 반사실적 양자 벨 상태 분석 장치
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제1항에 있어서,상기 수평-반사실적 양자 제논 효과부 및 상기 수직-반사실적 양자 제논 효과부 중 적어도 하나는,광자를 진입시키거나 또는 광자의 진입을 차단하는 제1 전환 가능 미러;상기 제1 전환 가능 미러와 연결되고 광자를 편광시키는 제1 전환 가능 편광 회전자;상기 제1 전환 가능 편광 회전자와 연결되고 전달된 광의 수직 성분 및 수평 성분을 분광하는 제5 편광 빔 스플리터;를 포함하는 반사실적 양자 벨 상태 분석 장치
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광자가 입력되는 제1 편광 빔 스플리터;상기 제1 편광 빔 스플리터와 연결되고 제어 비트의 입력 상태에 따라서 일 출력 경로로 광자를 출력하는 수평-반사실적 양자 제논 효과부;상기 수평-반사실적 양자 제논 효과부와 선택적으로 연결되고 광자를 편광하고 분광하는 제2 편광 빔 스플리터;상기 수평-반사실적 양자 제논 효과부와 선택적으로 연결되고 전달된 광을 편광 빔 스플리터에 제공하는 빔 스플리터; 상기 수평 반사실적 양자 제논 효과부를 상기 제2 편광 빔 스플리터 및 상기 빔 스플리터 중 어느 하나와 선택적으로 연결시키는 전환부; 및상기 제1 편광 빔 스플리터와 연결되고 제어 비트의 입력 상태에 따라서 다른 출력 경로로 광자를 출력하는 수직-반사실적 양자 제논 효과부;를 더 포함하되,상기 수직-반사실적 양자 제논 효과부는 상기 전환부에 의해 상기 빔 스플리터와 선택적으로 연결되는 반사실적 양자 벨 상태 분석 장치
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제6항에 있어서,상기 제2 편광 빔 스플리터에서 방출되는 광의 편광 상태에 따라서 광자를 검출하거나 또는 검출하지 않는 복수의 검출기;를 더 포함하는 반사실적 양자 벨 상태 분석 장치
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제1 단말 장치; 및상기 제1 단말 장치와 공간적으로 분리되고 상기 제1 단말 장치와 상호 얽힌 상태의 광자 및 전자 쌍을 갖는 제2 단말 장치;를 포함하되,상기 제1 단말 장치는 반사실적 CNOT 게이트에 광자를 전달하여 광자와 전자를 분리 가능하게 하고,상기 제2 단말 장치는 하다마드 게이트에 제2 단말 장치의 제어 비트를 적용하고,상기 제1 단말 장치는 반사실적 CNOT 게이트에 광자를 다시 전달하여 반사실적으로 전자의 상태를 결정하고, 반사실적 CNOT 게이트에서 출력되는 광자를 검출하여 벨 상태를 결정하되,상기 제1 단말 장치는,광자를 전달 받는 반사실적 CNOT 게이트;상기 반사실적 CNOT 게이트와 일 경로를 통해 연결되고 광자를 편광하고 분광하는 제1 편광 빔 스플리터; 및상기 제1 편광 빔 스플리터에서 방출되는 광의 편광 상태에 따라서 광자를 검출하거나 또는 검출하지 않는 복수의 제1 검출기;를 포함하되,상기 복수의 제1 검출기 중에서 광자를 검출한 검출기에 따라서 벨 상태가 결정되고, 상기 반사실적 CNOT 게이트는,입력된 광자를 편광하여 분광하는 제3 편광 빔 스플리터;상기 제3 편광 빔 스플리터와 연결되고 제어 비트의 입력 상태에 따라서 일 출력 경로로 광자를 출력하는 수평-반사실적 양자 제논 효과부;상기 제3 편광 빔 스플리터와 연결되고 제어 비트의 입력 상태에 따라서 다른 출력 경로로 광자를 출력하는 수직-반사실적 양자 제논 효과부;를 포함하는 반사실적 양자 벨 상태 분석 시스템
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제9항에 있어서,상기 수평-반사실적 양자 제논 효과부 및 상기 수직-반사실적 양자 제논 효과부 중 적어도 하나는,광자를 진입시키거나 또는 광자의 진입을 차단하는 제1 전환 가능 미러;상기 제1 전환 가능 미러와 연결되고 광자를 편광시키는 제1 전환 가능 편광 회전자;상기 제1 전환 가능 편광 회전자와 연결되고 전달된 광의 수직 성분 및 수평 성분을 분광하는 제5 편광 빔 스플리터;를 포함하는 반사실적 양자 벨 상태 분석 시스템
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13
제1 단말 장치; 및상기 제1 단말 장치와 공간적으로 분리되고 상기 제1 단말 장치와 채널을 통해 연결되며 상기 제1 단말 장치와 상호 얽힌 상태의 광자 및 전자 쌍을 갖는 제2 단말 장치;를 포함하되,상기 제1 단말 장치는,광자가 입력되는 제1 편광 빔 스플리터;상기 제1 편광 빔 스플리터와 연결되고 제어 비트의 입력 상태에 따라서 일 출력 경로로 광자를 출력하는 수평-반사실적 양자 제논 효과부;상기 수평-반사실적 양자 제논 효과부와 선택적으로 연결되고 광자를 편광하고 분광하는 제2 편광 빔 스플리터;상기 수평-반사실적 양자 제논 효과부와 선택적으로 연결되고 전달된 광을 상기 편광 빔 스플리터에 제공하는 빔 스플리터;상기 수평 반사실적 양자 제논 효과부를 상기 제2 편광 빔 스플리터 및 상기 빔 스플리터 중 어느 하나와 선택적으로 연결시키는 전환부; 및상기 수평-반사실적 양자 제논 효과부 및 상기 채널에 연결되는 제3 편광 빔 스플리터;를 더 포함하는 반사실적 양자 벨 상태 분석 시스템
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제1 편광 빔 스플리터가 입력단과 연결되고 입력된 광자가 상기 제1 편광 빔 스플리터에 제공되는 단계;상기 제1 편광 빔 스플리터에 의해 편광 및 분광된 광자가 수평-반사실적 양자 제논 효과부 및 수직-반사실적 양자 제논 효과부 중 적어도 하나에 전달되는 단계;상기 수평-반사실적 양자 제논 효과부 및 상기 수직-반사실적 양자 제논 효과부 중 적어도 하나가 빔 스플리터와 연결되고, 상기 수평-반사실적 양자 제논 효과부 및 상기 수직-반사실적 양자 제논 효과부 중 적어도 하나에 전달된 광자가 상기 빔 스플리터에 전달되는 단계; 및상기 빔 스플리터가 상기 제1 편광 빔 스플리터와 연결되고, 상기 빔 스플리터가 광자를 상기 제1 편광 빔 스플리터와 연결되는 단계;를 포함하는 양자 벨 상태 분석 방법
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제17항에 있어서,상기 수평-반사실적 양자 제논 효과부 및 상기 수직-반사실적 양자 제논 효과부가 각각 제2 편광 빔 스플리터 및 제3 편광 빔 스플리터와 연결되는 단계;상기 수평-반사실적 양자 제논 효과부 및 상기 수직-반사실적 양자 제논 효과부 중 적어도 하나로부터 상기 제2 편광 빔 스플리터 및 상기 제3 편광 빔 스플리터 중 적어도 하나에 광자가 제공되는 단계; 및상기 제2 편광 빔 스플리터 및 상기 제3 편광 빔 스플리터 중 적어도 하나에서 방출된 광자가 어느 하나의 검출기에 의해 검출되는 단계;를 더 포함하는 양자 벨 상태 분석 방법
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제1 편광 빔 스플리터가 입력단과 연결되고 입력된 광자가 상기 제1 편광 빔 스플리터에 제공되는 단계;상기 제1 편광 빔 스플리터에 의해 편광 및 분광된 광자가 수평-반사실적 양자 제논 효과부 및 수직-반사실적 양자 제논 효과부 중 적어도 하나에 전달되는 단계;상기 수평-반사실적 양자 제논 효과부 및 상기 수직-반사실적 양자 제논 효과부가 각각 제2 편광 빔 스플리터 및 제3 편광 빔 스플리터와 연결되는 단계;상기 수평-반사실적 양자 제논 효과부 및 상기 수직-반사실적 양자 제논 효과부 중 적어도 하나로부터 상기 제2 편광 빔 스플리터 및 상기 제3 편광 빔 스플리터 중 적어도 하나에 광자가 제공되는 단계; 및상기 제2 편광 빔 스플리터 및 상기 제3 편광 빔 스플리터 중 적어도 하나에서 방출된 광자가 어느 하나의 검출기에 의해 검출되는 단계;를 더 포함하는 양자 벨 상태 분석 방법
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