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기판에 음각 패턴을 형성하는 단계; 스탬프 표면에 도금 억제 물질을 도포하는 단계; 음각 패턴이 형성된 상기 기판 위에 상기 스탬프를 접촉시켜 상기 도금 억제 물질을 기판에 전사시키는 스탬핑 단계; 상기 도금 억제 물질이 전사되지 않은 상기 음각 패턴 내에 전해 증착에 의해 구리를 충진하는 단계; 및 상기 도금 억제 물질을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 접촉식 표면 처리를 통한 선택적 구리 충진 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 구리 충진 단계에서 전해 증착 시 평활제를 전해액에 첨가하는 것을 특징으로 하는 접촉식 표면 처리를 통한 선택적 구리 충진 방법
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 음각 패턴이 트렌치인 것을 특징으로 하는 접촉식 표면 처리를 통한 선택적 구리 충진 방법
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 도금 억제 물질이 자기조립 단분자 물질인 것을 특징으로 하는 접촉식 표면 처리를 통한 선택적 구리 충진 방법
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청구항 4에 있어서, 상기 자기조립 단분자 물질이 알킬티올인 것을 특징으로 하는 접촉식 표면 처리를 통한 선택적 구리 충진 방법
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청구항 5에 있어서, 상기 알킬티올이 HDT(hexadecanethiol, CH3(CH2)15SH)인 것을 특징으로 하는 접촉식 표면 처리를 통한 선택적 구리 충진 방법
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청구항 2에 있어서, 상기 평활제가 야누스 그린 비(Janus Green B, JGB)), 사프라닌O(Safranin O), 염화도데실트리메틸암모늄(Dodecyltrimethylammonium Chloride, DTAC), 알시안 블루: 피리딘 변이체(Alcian Blue: a Pyridine Variant), 디아진 블랙(Diazine Black), Benzotriazole, 티오우레아(thiourea), 염기성청색3호(Basic Blue 3), 사프라닌T(Safranin T), 벤조트리아졸(benzotriazole, BTA), 폴리에틸렌이민(polyethyleneimine, PEI), 세틸트리메틸암모늄염화물(cetyltrimethylammonium chloride, CTAC) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 접촉식 표면 처리를 통한 선택적 구리 충진 방법
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 구리 충진이 Ag/AgCl 기준전극과 Pt 애노드를 포함하는 전해조에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 접촉식 표면 처리를 통한 선택적 구리 충진 방법
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청구항 8에 있어서, 상기 구리 충진이 1M CuSO4의 전해액 내에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 접촉식 표면 처리를 통한 선택적 구리 충진 방법
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청구항 9에 있어서, 상기 구리 충진이 25mV의 인가 전압에서 250sec 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 접촉식 표면 처리를 통한 선택적 구리 충진 방법
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청구항 7에 있어서, 상기 평활제로서 야누스 그린 비(Janus Green B, JGB))를 40ppm 첨가하는 것을 특징으로 하는 접촉식 표면 처리를 통한 선택적 구리 충진 방법
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 기판에 음각 패턴을 형성하는 단계 이후, 상기 기판에 시드층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉식 표면 처리를 통한 선택적 구리 충진 방법
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 스탬프의 재질이 PDMS인 것을 특징으로 하는 접촉식 표면 처리를 통한 선택적 구리 충진 방법
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 도금 억제 물질은 에탄올 용액에 혼합하여 상기 스탬프에 적하한 뒤 건조함으로써 상기 스탬프에 도포되는 것을 특징으로 하는 접촉식 표면 처리를 통한 선택적 구리 충진 방법
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