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전기수력학 프린팅을 이용한 패턴 형성 방법

  • 기술번호 : KST2019018928
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전원부 및 상기 전원부의 일단에 전기적으로 연결된 노즐을 포함하는 전기수력학 프린팅 장치를 이용한 패턴 형성 방법에서, 기판의 상면에 전도체층을 형성한다. 상기 전원부의 타단을 상기 전도체층에 전기적으로 연결한다. 상기 전도체층의 상면에 상기 노즐로부터 잉크를 드롭(drop)하여 패턴을 형성한다. 상면에 상기 패턴이 형성되지 않은 전도체층을 상기 기판으로부터 제거한다. 상기 기판에 잔류한 전도체층 및 상기 패턴을 소결(sintering)하여 금속 패턴을 형성한다.
Int. CL H05K 3/12 (2006.01.01) H05K 3/06 (2006.01.01)
CPC H05K 3/125(2013.01) H05K 3/125(2013.01) H05K 3/125(2013.01)
출원번호/일자 1020180043701 (2018.04.16)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-2026701-0000 (2019.09.27)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20191004) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.04.16)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김홍경 대전광역시 유성구
2 김용진 대전광역시 서구
3 송준엽 대전광역시 유성구
4 이재학 세종특별자치시 만남로 ***,
5 김승만 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김민태 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2018-0373269-36
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.04.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.06.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0064853-81
4 등록결정서
Decision to grant
2019.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0455385-17
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전원부 및 상기 전원부의 일단에 전기적으로 연결된 노즐을 포함하는 전기수력학 프린팅 장치를 이용한 패턴 형성 방법에서,기판의 상면에 전도체층을 형성하는 단계;상기 전원부의 타단을 상기 전도체층에 전기적으로 연결하는 단계; 상기 전도체층의 상면에 상기 노즐로부터 잉크를 드롭(drop)하여 패턴을 형성하는 단계; 상면에 상기 패턴이 형성되지 않은 전도체층을 상기 기판으로부터 제거하는 단계; 및상기 기판에 잔류한 전도체층 및 상기 패턴으로 금속 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판은 지지부 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 패턴 형상 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 전도체층을 형성하는 단계에서,전사 서포트(support)부를 이용하여 상기 전도체층을 상기 기판의 전면(全面)으로 전사하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 전도체층은,그래핀(graphene)을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 전도체층을 상기 기판으로부터 제거하는 단계에서,플라즈마 에칭(plasma etching) 또는 화학 에칭(chemical etching) 공정으로 상기 전도체층을 식각하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 전도체층을 형성하는 단계에서,상기 전도체층을 상기 기판의 전면(全面)에 코팅하거나 프린팅하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 전도체층은,금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 전도체층을 상기 기판으로부터 제거하는 단계에서,상기 금속을 포함하는 전도체층만 선택적으로 식각하여 제거하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 전도체층을 형성하는 단계에서, 복수의 금속층들을 상기 기판의 전면(全面) 상에 순차적으로 적층하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 전도체층을 상기 기판으로부터 제거하는 단계에서, 상기 적층된 금속층들만을 순차적으로 식각하여 제거하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 적층된 금속층들을 순차적으로 식각하기 위하여, 각각의 금속층들만을 식각하는 식각액을 순차적으로 제공하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
12 12
제9항에 있어서, 상기 복수의 금속층들 중 적어도 하나는 그래핀인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
13 13
제1항에 있어서, 상기 기판은 비전도성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 기계연구원 산업부-국가연구개발사업(IV) 3차원 이종 유연소자 Interconnection 시스템 기술개발 (3/6)
2 산업통상자원부 고려대학교 세종산학협력단 산업부-국가연구개발사업(IV) 스트레쳐블 디스플레이를 위한 20%이상 신축성을 갖는 백플레인 발광용 소재·소자·공정 원천 기술 개발 (1/4)