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제1 반도체 물질을 포함하는 나노시트;상기 나노시트와 결합된 금속 입자; 및상기 금속 입자의 표면에 선택적으로 형성되며, 상기 제1 반도체 물질과 다른 제2 반도체 물질을 포함하고, 다공성 구조를 갖는 쉘을 포함하는 금속-반도체 하이브리드 나노구조체
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제1항에 있어서, 상기 제1 반도체 물질은, MoS2, WS2, MoSe2, NbSe2, TaSe2, NiTe2, MoTe2, h-BN 및 Bi2Te3 로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속-반도체 하이브리드 나노구조체
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제1항에 있어서, 상기 나노시트는, 2차원으로 결합된 금속 칼코게나이드의 단일층구조 또는 다층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 금속-반도체 하이브리드 나노구조체
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제1항에 있어서, 상기 금속 입자는, 백금, 금, 은, 팔라듐, 루테늄, 지르코늄, 티타늄, 코발트, 니켈, 철로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속-반도체 하이브리드 나노구조체
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제2항에 있어서, 상기 금속 입자는, 사면체(tetrahedron), 팔면체(octahedron), 사륙면체(tetrahexahedron), 육팔면체(hexoctahedron), 큐브(cube) 또는 오목한 큐브(concave cube) 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 금속-반도체 하이브리드 나노구조체
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제1항에 있어서, 상기 제2 반도체 물질은, CdS, ZnO, ZnSe, ZnS, GaN, GaP, In2O3, TiO2, Cu2O, CuO 및 SrTiO3 로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속-반도체 하이브리드 나노구조체
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제1항에 있어서, 상기 금속 입자는 상기 나노시트의 표면에 물리적으로 흡착되는 것을 특징으로 하는 금속-반도체 하이브리드 나노구조체
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제1 반도체 물질을 포함하는 나노시트의 표면에 금속 입자를 결합하는 단계; 및상기 나노시트와 결합된 금속 입자의 표면에 제2 반도체 물질을 선택적으로 성장시켜 쉘을 형성하는 단계를 포함하고,상기 쉘을 형성하는 단계는, 상기 나노시트와 결합된 금속 입자가 분산된 용액에 상기 제2 반도체 물질의 전구체를 제공하는 단계를 포함하고,상기 나노시트와 결합된 금속 입자가 분산된 용액은, 세틸트리메틸암모늄 클로라이드(CTAC), 세틸트리메틸암모늄 브로마이드(CTAB), 테트라데실트리메틸암모늄 클로라이드(TTAC) 및 옥타데실트리메틸암모늄 클로라이드(OTAC)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 계면활성제를 포함하고
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제9항에 있어서, 상기 제1 반도체 물질은, MoS2, WS2, MoSe2, NbSe2, TaSe2, NiTe2, MoTe2, h-BN 및 Bi2Te3 로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속-반도체 하이브리드 나노구조체의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 금속 입자는, 백금, 금, 은, 팔라듐, 루테늄, 지르코늄, 티타늄, 코발트, 니켈, 철로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속-반도체 하이브리드 나노구조체의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 제2 반도체 물질은, CdS, ZnO, ZnSe, ZnS, GaN, GaP, In2O3, TiO2, Cu2O, CuO 및 SrTiO3 로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속-반도체 하이브리드 나노구조체의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 나노시트의 표면에 금속 입자를 결합하는 단계는, 상기 나노시트와 상기 금속 입자를 극성 용매 내에서 교반하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속-반도체 하이브리드 나노구조체의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 제2 반도체 물질의 전구체는, 아스코르빅 산 및 헥사메틸렌테트라민과 함께 제공되는 것을 특징으로 하는 금속-반도체 하이브리드 나노구조체의 제조 방법
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