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원자-스케일 채널(atomic-scale channel)을 포함하는, 입자로서,하나 이상의 상기 원자-스케일 채널이 상기 입자의 표면, 또는 표면과 내부에 형성되어 있는 것이고,상기 원자-스케일 채널의 폭이 1 nm 미만이고,상기 입자에 포함된 상기 원자-스케일 채널의 내부 표면은 환원된 금속을 포함하는 것인,입자
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제 1 항에 있어서, 상기 입자에 있어서 상기 채널들 사이의 표면은 상기 환원된 금속을 포함하는 것인, 입자
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제 1 항에 있어서,상기 원자-스케일 채널의 폭이 7 Å 이하인 것인, 입자
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제 1 항에 있어서,상기 원자-스케일 채널의 폭이 5 Å 이상 내지 6 Å 이하인 것인, 입자
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제 1 항에 있어서,상기 입자에 포함되는 상기 원자-스케일 채널은 금속 화합물-함유 입자를 전기화학적 리튬화시킨 후 탈리튬화하는 것을 포함하는 공정에 의하여 형성되는 것이고, 상기 원자-스케일 채널의 내부 표면은 상기 리튬화 동안 상기 금속 화합물의 환원에 의하여 형성되는 환원된 상기 금속을 포함하는 것인, 입자
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제 7 항에 있어서,상기 원자-스케일 채널의 폭의 크기는 상기 금속 화합물-함유 입자를 전기화학적 리튬화시키는 과정의 컷오프 전압에 의해 조절되는 것인, 입자
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제 1 항에 있어서,상기 환원된 금속은 Mg, Al, Au, Ag, Cd, Co, Cr, Cu, In, Ir, Mo, Nb, Ni, Os, Pd, Pt, Rh, Ru, Sn, Ti, V, W, Zn, Sc, Y, Zr, Hf, Ta, Mn, Fe, Tc, 및 Re에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 금속을 포함하는 것인, 입자
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제 1 항에 있어서, 상기 원자-스케일 채널의 체적 밀도는 상기 입자의 단위 체적당 0
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제 1 항에 따른 원자-스케일 채널(atomic-scale channel)을 포함하는 입자를 포함하는, 촉매로서,하나 이상의 상기 원자-스케일 채널이 상기 입자의 표면, 또는 표면과 내부에 형성되어 있는 것이고,상기 원자-스케일 채널의 폭이 1 nm 미만이고,상기 입자에 포함된 상기 원자-스케일 채널의 내부 표면은 환원된 금속을 포함하는 것인,촉매
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제 11 항에 있어서,상기 입자에 있어서 상기 채널들 사이의 표면은 상기 환원된 금속을 포함하는 것인, 촉매
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제 11 항에 있어서,상기 입자가 산소 원자-함유 물질의 환원용 촉매로서 작용하는 것인, 촉매
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제 14 항에 있어서,상기 산소 원자-함유 물질은 이산화탄소, 황 산화물(SOx), 또는 질소 산화물(NOx)을 포함하는 것인, 촉매
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제 14 항에 있어서,상기 환원은 전기화학적 환원에 의하여 수행되는 것인, 촉매
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제 11 항에 있어서,상기 입자에 포함된 상기 원자-스케일 채널의 폭의 크기에 따라 상기 촉매의 활성, 선택도, 또는 활성 및 선택도가 조절되는 것인, 촉매
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제 14 항에 있어서,상기 촉매를 이용한 상기 환원 반응 전후에 상기 원자-스케일 채널의 폭의 크기가 일정하게 유지되는 것인, 촉매
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제 11 항에 있어서,상기 원자-스케일 채널의 폭이 7 Å 이하인 것인, 촉매
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제 11 항에 있어서,상기 원자-스케일 채널의 폭이 5 Å 이상 내지 6 Å 이하인 것인, 촉매
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제 11 항에 있어서,상기 환원된 금속은 Mg, Al, Au, Ag, Cd, Co, Cr, Cu, In, Ir, Mo, Nb, Ni, Os, Pd, Pt, Rh, Ru, Sn, Ti, V, W, Zn, Sc, Y, Zr, Hf, Ta, Mn, Fe, Tc, 및 Re에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 금속을 포함하는 것인, 촉매
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제 11 항에 있어서, 상기 원자-스케일 채널의 체적 밀도는 상기 입자의 단위 체적당 0
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제 15 항에 있어서,상기 입자의 상기 원자-스케일 채널의 폭이 7 Å이하이고, 상기 입자를 촉매로서 이용하여 이산화탄소 환원에 의하여 생성되는 C2+ 이상의 탄화수소류 생성물에 대한 선택도가 상기 원자-스케일 채널이 없는 입자에 비하여 증가되는 것인, 촉매
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제 23 항에 있어서,상기 입자의 상기 원자-스케일 채널의 폭이 5 Å 이상 내지 6 Å이하인, 촉매
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금속 화합물-함유 입자를 전기화학적으로 리튬화시킨 후 탈리튬화시켜 상기 입자의 표면, 또는 표면과 내부에 하나 이상의 원자-스케일 채널을 형성하는 것을 포함하는, 제 1 항에 따른 원자-스케일 채널을 포함하는 입자의 제조 방법으로서,상기 리튬화 정도를 조절함으로써 상기 원자-스케일 채널의 폭의 크기가 제어되고,상기 리튬화 과정 동안 상기 금속 화합물의 표면, 또는 표면과 내부의 적어도 일부가 환원되어 상기 원자-스케일 채널이 형성되고, 상기 입자에 포함되는 상기 원자-스케일 채널의 내부 표면이 환원된 상기 금속을 포함하는 것이고,상기 원자-스케일 채널의 폭이 1 nm 미만인 것인,입자의 제조 방법
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제 25 항에 있어서,상기 입자에 있어서 상기 채널들 사이의 표면은 상기 환원된 금속을 포함하는 것인, 입자의 제조 방법
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제 25 항에 있어서,상기 리튬화는 전기화학적 셀(cell)을 이용하여 정전류 및 0 V 초과 내지 3 V 이하의 컷-오프 전압을 인가하는 것을 포함하는 것인, 입자의 제조 방법
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제 25 항에 있어서,상기 입자에 포함되는 상기 원자-스케일 채널의 폭이 상기 전기화학적 리튬화 과정의 컷-오프 전압에 의해 조절되는 것인, 입자의 제조 방법
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제 25 항에 있어서,상기 환원된 금속은 Mg, Al, Au, Ag, Cd, Co, Cr, Cu, In, Ir, Mo, Nb, Ni, Os, Pd, Pt, Rh, Ru, Sn, Ti, V, W, Zn, Sc, Y, Zr, Hf, Ta, Mn, Fe, Tc, 및 Re에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 금속을 포함하는 것인, 입자의 제조 방법
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