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펠리클 구조체 및 이를 이용한 리소그래피용 마스크의 결함 검사 방법

  • 기술번호 : KST2019019116
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 루테늄(Ru)을 포함하는 제1 보호층(the first protective layer), 상기 제1 보호층 상에 제공되고, 그라파이트(Graphite) 또는 실리콘 질화물을 포함하는 코어층(core layer), 및 상기 코어층 상에 제공되고, 루테늄을 포함하는 제2 보호층(the second protective layer)을 포함하는 펠리클 구조체가 제공될 수 있다. 또한, 본 발명의 실시 예에 따른. 펠리클 구조체를 준비하는 단계, 상기 펠리클 구조체를 마스크 상에 배치하는 단계, 극자외선 또는 심자외선을 포함하는 검사 광이 조사되어, 제1 보호층, 코어층, 및 제2 보호층을 포함하는 상기 펠리클 구조체의 멤브레인을 투과하는 단계, 상기 검사 광이 상기 마스크에서 반사되는 단계, 반사된 상기 검사 광이, 상기 펠리클 구조체의 상기 멤브레인을 재투과하는 단계, 및 재투과된 상기 검사 광을, 검출계로 수집하여, 상기 마스크의 결함 여부를 검출하는 단계를 포함하는 리소그래피용 마스크의 결함 검사 방법이 제공될 수 있다.
Int. CL G03F 1/64 (2012.01.01) G03F 7/20 (2006.01.01)
CPC G03F 1/64(2013.01) G03F 1/64(2013.01) G03F 1/64(2013.01) G03F 1/64(2013.01) G03F 1/64(2013.01)
출원번호/일자 1020180036176 (2018.03.28)
출원인 한양대학교 에리카산학협력단, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0113460 (2019.10.08) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.03.28)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이성규 서울특별시 중랑구
2 오혜근 서울특별시 영등포구
3 박진구 서울특별시 강남구
4 안진호 서울특별시 강남구
5 김국진 경상남도 진주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-0310636-80
2 보정요구서
Request for Amendment
2018.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0055416-75
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2018-0454487-16
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.12.07 수리 (Accepted) 9-1-2018-0067924-43
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0592370-57
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2019-1065069-89
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2019-1183546-91
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.11.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1183547-36
12 등록결정서
Decision to grant
2020.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0210735-84
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
루테늄(Ru)을 포함하는 제1 보호층(the first protective layer);상기 제1 보호층 상에 제공되고, 그라파이트(Graphite)를 포함하는 코어층(core layer); 및상기 코어층 상에 제공되고, 루테늄을 포함하는 제2 보호층(the second protective layer)을 포함하되,상기 제1 보호층 및 상기 제2 보호층의 두께는 1
2 2
제1 항에 있어서, 상기 제1 보호층 및 상기 제2 보호층의 두께는 서로 동일하고, 상기 코어층의 두께는, 상기 제1 보호층 및 상기 제2 보호층의 두께의 합보다 두꺼운 것을 포함하는 펠리클 구조체
3 3
삭제
4 4
제1 항에 있어서,상기 코어층의 두께가 8 nm인 것을 포함하는 펠리클 구조체
5 5
제1 항에 있어서,상기 코어층의 두께가 18 nm인 것을 포함하는 펠리클 구조체
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
제1 항에 따른, 펠리클 구조체를 준비하는 단계;상기 펠리클 구조체를 마스크 상에 배치하는 단계;극자외선 또는 심자외선을 포함하는 검사 광이 조사되어, 제1 보호층, 코어층, 및 제2 보호층을 포함하는 상기 펠리클 구조체의 멤브레인을 투과하는 단계;상기 검사 광이 상기 마스크에서 반사되는 단계;반사된 상기 검사 광이, 상기 펠리클 구조체의 상기 멤브레인을 재투과하는 단계; 및재투과된 상기 검사 광을, 검출계로 수집하여, 상기 마스크의 결함 여부를 검출하는 단계를 포함하는 리소그래피용 마스크의 결함 검사 방법
10 10
제9 항에 있어서,극자외선 및 심자외선이 상기 펠리클 구조체의 상기 멤브레인을 투과하여, 상기 마스크 상에 상기 펠리클 구조체가 배치된 상태에서 결함 검사가 수행되는 것을 포함하는 리소그래피용 마스크의 결함 검사 방법
11 11
제9 항에 있어서,상기 펠리클 구조체의 상기 멤브레인은, 극자외선 투과율이 90 % 이상이고, 심자외선 투과율이 40 % 이상인 것을 포함하는 리소그래피용 마스크의 결함 검사 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국산업기술평가관리원 산업기술혁신사업 / 산업핵심기술개발사업 / 전자정보디바이스산업원천기술개발사업(RCMS) 1x nm급 Defect Free EUVL을 위한 마스크 세정 공정 및 펠리클 개발