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구리 박막의 건식 식각방법

  • 기술번호 : KST2019019320
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 구리 박막의 식각방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 구리 박막에 대하여 식각가스의 종류 및 식각가스의 농도 그리고 식각의 공정 변수 등을 포함한 최적의 식각공정 조건을 적용함으로써, 종래 구리 박막의 식각법에 비해 재증착이 발생하지 않으면서 빠른 식각속도 및 높은 이방성 (또는 식각 경사)의 식각프로파일을 제공할 수 있는 구리 박막의 식각방법에 관한 것이다.
Int. CL C23F 4/00 (2006.01.01) H01L 21/3213 (2006.01.01) H01L 21/3065 (2006.01.01)
CPC C23F 4/00(2013.01) C23F 4/00(2013.01) C23F 4/00(2013.01)
출원번호/일자 1020180140785 (2018.11.15)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2030548-0000 (2019.10.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20191010) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.11.15)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정지원 서울특별시 서초구
2 임은택 서울특별시 서초구
3 류진수 전라북도 군산시 공단대로 ** 타워써미트아파트 *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 공간 대한민국 대전광역시 서구 둔산서로 ***, *층(둔산 *동, 산업은행B/D)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2018-1137630-71
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2019.01.02 수리 (Accepted) 1-1-2019-0002992-62
4 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2019.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2019-0023877-56
5 보정요구서
Request for Amendment
2019.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0036121-10
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2019.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2019-0129714-86
7 [공지예외적용대상(신규성, 출원시의 특례)증명서류]서류제출서
[Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)] Submission of Document
2019.02.07 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2019-0129757-38
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2019.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2019-0156925-35
9 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2019.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0026910-84
10 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2019.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0045456-46
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0230350-54
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.05.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0495152-66
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2019-0495165-59
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.07.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0485230-97
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.08.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0830410-66
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2019-0830432-60
17 등록결정서
Decision to grant
2019.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0657883-14
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 구리 박막을 하드 마스크로 패터닝하고 식각하여 마스킹하는 단계;(b) 알코올류 (R-OH), 알데히드류 (R-CHO), 케톤류 (R-CO-R’), 에스테르류 (R-COO-R’)로 구성된 군에서 선택된 1종 이상의 가스 및 불활성 가스를 함유하는 혼합가스를 플라즈마화하는 단계; 및 (c) 상기 (b) 단계에서 생성된 플라즈마를 이용하여 (a) 단계에서 마스킹된 하드마스크를 이용하여 식각하는 단계를 포함하며,상기 (c) 단계는 구리 박막이 로딩되는 기판에 10 ~ 20℃인 쿨링 유체를 적용하는 것을 특징으로 하는 구리 박막의 식각방법
2 2
(a) 구리 박막을 하드 마스크로 패터닝하고 식각하여 마스킹하는 단계;(b) 알코올류 (R-OH), 알데히드류 (R-CHO), 케톤류 (R-CO-R’), 에스테르류 (R-COO-R’)로 구성된 군에서 선택된 1종 이상의 가스 및 산소 및/또는 오존을 함유하는 혼합가스를 플라즈마화하는 단계; 및 (c) 상기 (b) 단계에서 생성된 플라즈마를 이용하여 (a) 단계에서 마스킹된 하드마스크를 이용하여 식각하는 단계를 포함하며,상기 (c) 단계는 구리 박막이 로딩되는 기판에 10 ~ 20℃인 쿨링 유체를 적용하는 것을 특징으로 하는 구리 박막의 식각방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 하드마스크에 대한 구리 박막의 식각선택도는 0
4 4
제1항에 있어서, 상기 불활성 가스는 He, Ne, Ar 및 N2로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 구리 박막의 식각방법
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서, 하드마스크는 이산화규소(SiO2), Si3N4, TiO2, TiN, Ti, Ta, W, Cr 및 카본(C) 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 구리 박막의 식각방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 (b) 단계의 혼합가스는 알코올류 (R-OH), 알데히드류 (R-CHO), 케톤류 (R-CO-R’), 에스테르류 (R-COO-R’)로 구성된 군에서 선택된 1종 이상의 가스를 50~100 vol% 포함하는 것을 특징으로 하는 구리 박막의 식각방법
7 7
제2항에 있어서, 상기 산소 및/또는 오존은 5~20 vol%의 농도로 혼합가스에 포함되는 것을 특징으로 하는 구리 박막의 식각 방법
8 8
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (b) 단계의 플라즈마화는 0
9 9
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (b) 단계의 플라즈마화는 유도결합플라즈마 반응성 이온식각법을 포함하는 고밀도 플라즈마 반응성 이온식각법, 자기증강반응성 이온식각법, 반응성 이온 식각법, 원자층 식각법 (atomic layer etching) 및 펄스 모듈레이트된 (pulse-modulated) 고밀도 플라즈마 반응성 이온 식각법으로 구성된 군으로부터 선택되는 1종의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 구리박막의 식각방법
10 10
제1항, 제2항, 제4항, 제6항 및 제7항 중 어느 한 항에 기재된 방법으로 제조되며, 70˚ 이상의 식각경사를 가지는 구리박막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 인하대학교산학협력단 전자정보디바이스산업원천기술개발사업(시스템 반도체) 구리 건식 식각용 비온실 식각가스 개발 및 구리 박막의 건식 식각공정 개발 (2차년도)