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제1 영역의 중적외선을 흡수 및 복사하며, 복수의 공극(cavity)을 포함하는 공극 패턴이 형성되는 제1 유전체층;제2 영역의 중적외선을 흡수 및 복사하며, 상기 제1 유전체층 상에 형성되는 제2 유전체층; 그리고제3 영역의 중적외선을 흡수 및 복사하며, 상기 제1 및 제2 유전체층의 사이 또는 상기 제2 유전체층 상에 형성되는 금속 박막층을 포함하되,상기 제1 및 제2 유전체층과 상기 금속 박막층은 가시광선을 투과하는 복사 냉각 구조
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제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 유전체층과 상기 금속 박막층은 상기 공극 패턴과 동일 또는 유사한 형태로 형성되며, 각각 일정한 두께로 형성되는 복사 냉각 구조
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제1항에 있어서,상기 금속 박막층의 두께는 가시광선의 투과율 및 상기 제3 영역의 중적외선에 대한 복사율에 기초하여 결정되는 복사 냉각 구조
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제1항에 있어서,상기 금속 박막층의 두께는 상기 제3 영역의 중적외선을 흡수 및 복사하기 위해 1nm 내지 20nm의 값을 가지는 복사 냉각 구조
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제1항에 있어서,상기 제1 영역은 상기 제2 영역과 동일한 복사 파장 크기를 포함하고,상기 제3 영역은 상기 제1 및 제2 영역의 복사 파장 크기의 최솟값보다 작은 복사 파장 크기를 포함하는 복사 냉각 구조
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제1항에 있어서,상기 제1 영역은 12㎛ 내지 20㎛의 복사 파장 크기를 포함하고,상기 제2 영역은 8㎛ 내지 12㎛의 복사 파장 크기를 포함하고,상기 제3 영역은 4㎛ 내지 8㎛의 복사 파장 크기를 포함하는 복사 냉각 구조
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제1항에 있어서,상기 복수의 공극의 높이 또는 너비는 상기 제3 영역의 복사 파장 크기의 최솟값의 절반보다 큰 것을 특징으로 하는 복사 냉각 구조
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8
제1항에 있어서,상기 복수의 공극의 높이 또는 너비는 2㎛ 내지 20㎛의 크기를 가지는 복사 냉각 구조
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9
제1항에 있어서,상기 복수의 공극의 높이 또는 너비는 목표 중적외선의 복사 효율에 기초하여 결정되는 복사 냉각 구조
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제1항에 있어서,상기 복수의 공극 각각은 돔 형태를 가지도록 형성되는 복사 냉각 구조
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제1항에 있어서,상기 제2 유전체층 및 상기 금속 박막층 중 최상위층 상에 형성되어 표면을 보호하는 고분자 화합물 층을 더 포함하는 복사 냉각 구조
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12
제1 영역의 중적외선을 흡수 및 복사하며, 복수의 공극(cavity)을 포함하는 공극 패턴이 형성되는 금속 박막층;제2 영역의 중적외선을 흡수 및 복사하며, 상기 금속 박막층 상에 형성되는 제1 유전체층; 그리고제3 영역의 중적외선을 흡수 및 복사하며, 상기 제1 유전체층 상에 형성되는 제2 유전체층을 포함하되,상기 금속 박막층의 두께는 가시광선을 투과하도록 결정되고,상기 금속 박막층과 상기 제1 및 제2 유전체층은 상기 공극 패턴과 동일 또는 유사한 형태로 형성되는 복사 냉각 구조
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13
제12항에 있어서,상기 금속 박막층은 냉각 대상에 접촉되어 상기 냉각 대상과 열적 평형 상태를 이루는 복사 냉각 구조
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기판 상에 제1 감광층을 형성하고, 상기 제1 감광층 상에 제2 감광층을 형성하는 단계;사진 식각 방식을 통해 상기 제2 감광층에 공극 희생 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 감광층 및 상기 공극 희생 패턴 상에 제1 유전체층, 제2 유전체층 및 금속 박막층을 형성하는 단계; 그리고습식 식각 과정을 통하여 상기 제1 감광층 및 상기 공극 희생 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 복사 냉각 구조의 형성 방법
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15
제14항에 있어서,상기 공극 희생 패턴을 형성하는 단계는,상기 제2 감광층에 패턴 마스크를 통해 노광하는 단계;상기 제2 감광층을 현상하여 상기 공극 희생 패턴을 형성하는 단계; 및특정 온도로 가열하여 상기 공극 희생 패턴을 변형하는 단계를 포함하는 복사 냉각 구조의 형성 방법
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제15항에 있어서,상기 공극 희생 패턴은 상기 특정 온도로 가열되어 돔 형태로 변형되는 복사 냉각 구조의 형성 방법
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제14항에 있어서,상기 제1 유전체층, 상기 제2 유전체층 및 상기 금속 박막층 각각은 상기 공극 희생 패턴의 형상과 동일 또는 유사하도록 일정한 두께로 형성되는 복사 냉각 구조의 형성 방법
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제14항에 있어서,상기 제2 유전체층은 상기 제1 유전체층 상에 적층되고,상기 금속 박막층은 상기 제1 유전체층의 하부, 상기 제2 유전체층의 상부 또는 상기 제1 및 제2 유전체층의 사이 중 하나에 적층되는 복사 냉각 구조의 형성 방법
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제14항에 있어서,상기 제1 감광층 및 상기 공극 희생 패턴을 제거하는 단계는,아세톤을 통해 상기 제1 감광층을 제거하는 단계; 및아세톤을 통해 상기 공극 희생 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 복사 냉각 구조의 형성 방법
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제14항에 있어서,상기 제1 유전체층, 상기 제2 유전체층 및 상기 금속 박막층 중 최상위층 상에 고분자 화합물 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 복사 냉각 구조의 형성 방법
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제14항에 있어서,상기 제1 감광층 및 상기 제2 감광층은 서로 톤(tone)이 다른 PR(photo resist)로 구성되는 복사 냉각 구조의 형성 방법
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