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소프트 몰딩을 이용한 잔여층이 없는 레지스트 패턴형성방법 및 그 방법을 이용한 패턴화된 금속층의 형성 방법

  • 기술번호 : KST2014030212
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전자소자 또는 디스플레이용 소자 제조방법에 있어서 나노 임프린트 리소그래피 공정 중의 하나인 소프트 몰딩공정을 이용하여 레지스트 패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로, 특히 전자소자 또는 디스플레이용 소자를 형성하기 위한 기판 상부에 레지스트 용액을 도포한 후 가압력 없이 소프트 스탬프를 올려놓는 것 만으로 잔여층이 없는 레지스트 패턴을 형성하는 소프트 몰딩을 이용한 잔여층이 없는 레지스트 패턴 형성방법 및 그 방법을 이용한 패턴화된 금속층을 형성하는 방법을 제공한다.잔여층(residual layer), 나노 임프린트 리소그래피, 소프트 몰딩, 전자소자, 디스플레이용 소자
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/027 (2011.01)
CPC H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01)
출원번호/일자 1020070050192 (2007.05.23)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0876386-0000 (2008.12.22)
공개번호/일자 10-2008-0103195 (2008.11.27) 문서열기
공고번호/일자 (20081231) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.23)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박규창 대한민국 서울 광진구
2 장 진 대한민국 서울 서초구
3 추병권 대한민국 서울 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세중 대한민국 서울시 강남구 테헤란로 ***, **** (역삼동. 성지하이츠 Ⅱ)(해오름국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0378066-56
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.09.07 수리 (Accepted) 4-1-2007-5139506-36
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.02.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5020006-08
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0170036-56
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0378434-90
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.05.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0378432-09
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.09.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0476490-59
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.11.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0780639-16
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0780640-63
10 등록결정서
Decision to grant
2008.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0606325-06
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전자소자 또는 디스플레이용 소자의 제조에 있어서, 기판 상부에 레지스트 용액을 도포하고, 그 상부에 패턴닝된 홈을 갖는 소프트 스탬프를 올려놓고 가압 없이 소프트 몰딩방법을 이용하여 패턴닝된 레지스트를 형성하는 것을 특징으로 하는 소프트 몰딩을 이용한 잔여층이 없는 레지스트 패턴 형성방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 소프트 스탬프를 올려 놓은 후 압력을 가하지 않거나, 1 내지 9 N/cm2 의 압력을 가하여 패턴닝된 레지스트를 형성하는 것을 특징으로 하는 소프트 몰딩을 이용한 잔여층이 없는 레지스트 패턴 형성방법
3 3
전자소자 또는 디스플레이용 소자를 제조하는 방법에 있어서, 기판 또는 기판에 형성된 금속층 상부에 형성되는 레지스트 패턴에 대칭되는 소프트 스탬프를 형성하는 단계와; 상기 기판 또는 기판에 형성된 금속층 상부에 레지스트 용액을 도포하는 단계와; 상기 소프트 스탬프를 상기 레지스트 용액 상부에 올려놓는 단계와; 상기 소프트 스탬프가 기판 또는 기판에 형성된 금속층에 밀착되면 레지스트 용액을 경화시키는 단계와; 상기 레지스트가 경화되면 소프트 스탬프를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 소프트 몰딩을 이용한 잔여층 없는 레지스트 패턴의 형성방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 기판은, 실리콘 웨이퍼 기판, 글래스 기판, 플렉서블한 스텐인레스 기판, 또는 플렉서블한 플라스틱 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 소프트 몰딩을 이용한 잔여층 없는 레지스트 패턴의 형성방법
5 5
제 3 항에 있어서,상기 금속층은,상기 기판 상부에 스퍼터링 방법 또는 CVD 방법으로 증착하는 것을 특징으로 하는 소프트 몰딩을 이용한 잔여층 없는 레지스트 패턴의 형성방법
6 6
제 3 항에 있어서,상기 레지스트 용액(resist solution)은, PEG(polyethyleneglycole), 광개시제가 첨가된 레지스트 및 광 촉매제가 첨가된 레지스트 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 소프트 몰딩을 이용한 잔여층 없는 레지스트 패턴의 형성방법
7 7
제 3 항 또는 제 6 항에 있어서,상기 레지스트 용액은 UV 조사 또는 열처리를 이용하여 경화시키는 것을 특징으로 하는 소프트 몰딩을 이용한 잔여층 없는 레지스트 패턴의 형성방법
8 8
제 3 항에 있어서,상기 소프트 스탬프의 재질은, 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane; PDMS), 우레탄 및 하드-폴리디메틸실록산(hard-PDMS) 중에서 선택된 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 소프트 몰딩을 이용한 잔여층 없는 레지스트 패턴의 형성방법
9 9
제 3 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 소프트 스탬프는,레지스트를 경화한 후에 이형이 잘 되도록 자기정렬 단분자막(SAM) 물질을 이용하여 표면 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 소프트 몰딩을 이용한 잔여층 없는 레지스트 패턴의 형성방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 SAM 물질은, 헥사데카네티올(hexadecanethiol, HDT) 또는 OTS(otadecyltrichlorosilane)를 사용하는 것을 특징으로 하는 소프트 몰딩을 이용한 잔여층 없는 레지스트 패턴의 형성방법
11 11
제 3 항에 있어서,상기 소프트 스탬프를 형성하는 단계는,소프트 스탬프의 표면 에너지를 낮추거나 또는 접촉각을 올리는 표면처리를 실시하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 소프트 몰딩을 이용한 잔여층 없는 레지스트 패턴의 형성방법
12 12
전자소자 또는 디스플레이용 소자를 제조하는 방법에 있어서, 기판에 형성된 금속층 상부에 형성되는 레지스트 패턴에 대칭되는 소프트 스탬프를 형성하는 단계와; 상기 기판에 형성된 금속층 상부에 레지스트 용액을 도포하는 단계와; 상기 소프트 스탬프를 상기 레지스트 용액 상부에 올려놓는 단계와; 상기 소프트 스탬프가 기판에 형성된 금속층에 밀착되면 레지스트 용액을 경화시키는 단계와; 상기 레지스트가 경화되면 소프트 스탬프를 제거하여 레지스트를 패턴닝하는 단계와; 상기 레지스트가 패턴화된 이외 부분의 노출된 금속층을 에칭하는 단계와; 상기 에칭단계에 의해 에칭되지 않은 금속층 상부의 레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 소프트 몰딩을 이용한 잔여층 없는 패턴닝된 금속층의 형성방법
13 13
전자소자 또는 디스플레이용 소자를 제조하는 방법에 있어서, 기판 상부에 형성되는 레지스트 패턴에 대칭되는 소프트 스탬프를 형성하는 단계와; 상기 기판 상부에 레지스트 용액을 도포하는 단계와; 상기 소프트 스탬프를 상기 레지스트 용액 상부에 올려놓는 단계와; 상기 소프트 스탬프가 기판에 밀착되면 레지스트 용액을 경화시키는 단계와; 상기 레지스트가 경화되면 소프트 스탬프를 제거하여 레지스트를 패턴닝하는 단계와; 상기 패턴닝된 레지스트를 갖는 기판 상부에 금속층을 증착하는 단계와; 상기 패턴닝된 레지스트와 그 상부의 금속층을 제거하여 패터닝된 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 소프트 몰딩을 이용한 잔여층 없는 패턴닝된 금속층의 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.