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초박막 투명 플렉서블 수직형 마이크로 발광 다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2019021415
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 간단한 모놀리식(monolithic) 제조방법에 의하여 제조될 수 있는 고성능의 유연한 수직형 마이크로 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 (a) 투명 기판상에서 성장된 Ⅲ-Ⅴ족 반도체의 표면에 금속을 코팅하는 단계; (b) 상기 금속이 코팅된 기판에 투명 기판 방향에서 레이저를 조사하여 반도체-금속 박막을 박리하는 단계; (c) 상기 박리된 반도체-금속 박막상의 반도체를 선택적으로 에칭(etching)하여 마이크로 LED 칩을 형성하는 단계; (d) 상기 마이크로 LED칩이 형성된 박막의 표면을 제 1 고분자 화합물로 패터닝하여 마이크로 LED칩의 n-type 영역 및 금속박막의 일부가 노출되도록 컨텍트 홀(Connect Hole)을 형성하는 단계; (e) 상기 제1고분자 화합물로 패터닝된 표면에 나노와이어를 코팅 및 패터닝하여 상기 마이크로 LED칩의 n-type 영역 및 금속박막의 일부를 연결하는 전극을 형성하는 단계; (f) 상기 (e)단계에서 형성된 전극의 표면을 제2고분자 화합물로 코팅하는 단계; (g) 상기 (a)단계에서 코팅된 금속박막을 제거하며 반도체를 노출시키는 단계; (h) 상기 노출된 반도체의 표면을 제 3 고분자 화합물로 패터닝하여 마이크로 LED칩의 p-type 영역이 노출되도록 컨텍트 홀(Connect Hole)을 형성하는 단계; (i) 상기 제3고분자 화합물로 패터닝된 표면에 나노와이어를 코팅 및 패터닝하여 상기 마이크로 LED칩의 p-type 영역을 연결하는 전극을 형성하는 단계; 및 (j) 상기 (i)단계에서 형성된 전극의 표면을 제4고분자 화합물로 코팅하는 단계를 포함하는 초박막 투명 플렉서블 수직형 마이크로 발광 다이오드 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/44 (2010.01.01) H01L 33/36 (2010.01.01) H01L 33/54 (2010.01.01) H01L 33/62 (2010.01.01)
CPC H01L 33/0093(2013.01) H01L 33/0093(2013.01) H01L 33/0093(2013.01) H01L 33/0093(2013.01) H01L 33/0093(2013.01) H01L 33/0093(2013.01)
출원번호/일자 1020180070381 (2018.06.19)
출원인 한국과학기술원, (재)한국나노기술원
등록번호/일자 10-2046982-0000 (2019.11.14)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20191120) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.06.19)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
2 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이건재 대전광역시 유성구
2 이한얼 대전광역시 유성구
3 신정호 대전광역시 유성구
4 신찬수 경기도 용인시 수지구
5 최재혁 경기도 화성
6 김창완 경기도 화성

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울시 서초구 서운로**, ***호(서초동, 중앙로얄오피스텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
2 (재)한국나노기술원 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0601728-29
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.01.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.02.14 수리 (Accepted) 9-1-2019-0008444-57
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0266821-34
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
6 [출원서 등 보완]보정서
2019.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2019-0600753-27
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2019-0600754-73
8 [공지예외적용 보완 증명서류]서류제출서
2019.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2019-0600752-82
9 등록결정서
Decision to grant
2019.08.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0589007-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 투명 기판상에서 성장된 Ⅲ-Ⅴ족 반도체의 표면에 금속을 코팅하는 단계;(b) 상기 금속이 코팅된 기판에 투명 기판 방향에서 레이저를 조사하여 반도체-금속 박막을 박리하는 단계;(c) 상기 박리된 반도체-금속 박막상의 반도체를 선택적으로 에칭(etching)하여 마이크로 LED 칩을 형성하는 단계;(d) 상기 마이크로 LED칩이 형성된 박막의 표면을 제 1 고분자 화합물로 패터닝하여 마이크로 LED칩의 n-type 영역 및 금속박막의 일부가 노출되도록 컨텍트 홀(Connect Hole)을 형성하는 단계;(e) 상기 제1고분자 화합물로 패터닝된 표면에 나노와이어를 코팅 및 패터닝하여 상기 마이크로 LED칩의 n-type 영역 및 금속박막의 일부를 연결하는 전극을 형성하는 단계;(f) 상기 (e)단계에서 형성된 전극의 표면을 제2고분자 화합물로 코팅하는 단계;(g) 상기 (a)단계에서 코팅된 금속박막을 제거하며 반도체를 노출시키는 단계;(h) 상기 노출된 반도체의 표면을 제 3 고분자 화합물로 패터닝하여 마이크로 LED칩의 p-type 영역이 노출되도록 컨텍트 홀(Connect Hole)을 형성하는 단계;(i) 상기 제3고분자 화합물로 패터닝된 표면에 나노와이어를 코팅 및 패터닝하여 상기 마이크로 LED칩의 p-type 영역을 연결하는 전극을 형성하는 단계; 및(j) 상기 (i)단계에서 형성된 전극의 표면을 제4고분자 화합물로 코팅하는 단계;를 포함하는 초박막 투명 플렉서블 수직형 마이크로 발광 다이오드 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 투명기판은 유리, 고분자, 실리콘 또는 사파이어로 제작된 투명기판인 것을 특징으로 하는 초박막 투명 플렉서블 수직형 마이크로 발광 다이오드 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 (a)단계의 금속은 구리, 알루미늄, 니켈, 철 또는 크롬인 것을 특징으로 하는 초박막 투명 플렉서블 수직형 마이크로 발광 다이오드 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 Ⅲ-Ⅴ족 반도체는 GaN, AlN, InN, AlGaN, InGaN, AlInGaN, GaAs, AlAs, InAs, AlGaAs, InGaAs, InAlGaAs, InP, InGaP, AlGaP, AlGaAsP, InAlGaAsP 또는 InGaAsP인 것을 특징으로 하는 초박막 투명 플렉서블 수직형 마이크로 발광 다이오드 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 (b) 단계의 레이저는 엑시머 레이저, 이산화탄소 레이저, 루비 레이저, 헬륨-네온레이저 또는 Nd-YAG 레이저이며, 180~380nm의 파장을 가지는 것을 특징으로 하는 초박막 투명 플렉서블 수직형 마이크로 발광 다이오드 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 (c) 단계의 에칭은 ?? 에칭(Wet etching) 또는 드라이 에칭(Dry etching)인 것을 특징으로 하는 초박막 투명 플렉서블 수직형 마이크로 발광 다이오드 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 제1고분자 화합물 및 제3고분자 화합물은 자외선 경화형 고분자 인 것을 특징으로 하는 초박막 투명 플렉서블 수직형 마이크로 발광 다이오드 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 자외선 경화형 고분자는 에폭시계 또는 폴리우레탄계 고분자인 것을 특징으로 하는 초박막 투명 플렉서블 수직형 마이크로 발광 다이오드 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 나노와이어는 은, 구리, 철, ITO, 탄소, 니켈, 크롬 또는 티타늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 초박막 투명 플렉서블 수직형 마이크로 발광 다이오드 제조방법
10 10
제1항에 있어서,상기 제2고분자 화합물 및 제4고분자 화합물은 생체적합성 물질인 것을 특징으로 하는 초박막 투명 플렉서블 수직형 마이크로 발광 다이오드 제조방법
11 11
제1항에 있어서,상기 (g) 단계의 코팅된 금속박막 제거는 ?? 에칭(Wet etching) 또는 드라이 에칭(Dry etching)으로 수행되며, 금속 박막을 선택적으로 제거할 수 있는 용액 또는 가스를 사용하여 에칭되는 것을 특징으로 하는 초박막 투명 플렉서블 수직형 마이크로 발광 다이오드 제조방법
12 12
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조되는 초박막 투명 플렉서블 수직형 마이크로 발광 다이오드
13 13
제12항에 있어서,상기 발광 다이오드는 한변의 크기가 5~100㎛인 것을 특징으로 하는 초박막 투명 플렉서블 수직형 마이크로 발광 다이오드
14 14
제12항에 있어서,상기 발광 다이오드는 2~100개가 평면상에 일정한 간격으로 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 초박막 투명 플렉서블 수직형 마이크로 발광 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.