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소자 상단에 구비되어 외부열을 소자 내부로 전달하도록, 금속성 도전 물질로 형성되는 접촉층과;외부로부터 전달된 열에너지에 의해 자성 벡터와 같은 방향의 스핀 극성을 띤 전류가 흐르도록 강자성 금속물질로 구성되는 자성층(Ferromagnetic layer)과;상기 자성층 하부에 구비되는 반도체층과;상기 자성층 및 반도체층 사이에 구비되어 상기 자성층과 반도체층을 구분하도록 비자성 금속물질로 형성되는 터널배리어; 그리고 상기 소자의 상기 접촉층 반대측 단부에 도전물질로 형성되는 단열층을 포함하여 구성되고:사이 단열층은,상기 접촉층보다 열전도도가 낮은 물질로 형성됨을 특징으로 하는 스핀 열전효과를 이용한 발광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 접촉층은,금(Au), 크롬(Cr) 또는 금(Au)과 크롬(Cr)의 합금으로 형성됨을 특징으로 하는 스핀 열전효과를 이용한 발광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 반도체층은,n형 반도체, i형 반도체 및 p형 반도체의 접합으로 구성되는 n-i-p 형 반도체임을 특징으로 하는 스핀 열전효과를 이용한 발광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 반도체층은,n형 반도체 및 p형 반도체의 접합으로 구성되는 n-p 형 반도체임을 특징으로 하는 스핀 열전효과를 이용한 발광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 자성층은,철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 호이슬러 합금(Heusler alloy), 코발트 합금(Co-based alloy), 철 합금(Fe-based alloy) 또는 반도체 합금(half-metal alloy)의 자성물질로 형성됨을 특징으로 하는 스핀 열전효과를 이용한 발광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 터널배리어는,금속산화막(Aluminum oxide(AlOx) 또는 산화마그네슘(MgO)), 그래핀 또는 비자성 금속 물질로 형성됨을 특징으로 하는 스핀 열전효과를 이용한 발광 소자
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제 3 항에 있어서,상기 반도체층의 각 층은,서로 다른 밴드갭을 가지는 양자 우물(Quantum Well) 형태로 조합됨을 특징으로 하는 스핀 열전효과를 이용한 발광 소자
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소자 상단에 구비되어 외부열을 소자 내부로 전달하도록, 금속성 도전 물질로 형성되는 접촉층과;외부로부터 전달된 열에너지에 의해 자성 벡터와 같은 방향의 스핀 극성을 띤 전류가 흐르도록 강자성 금속물질로 구성되는 자성층(Ferromagnetic layer)과;상기 자성층 하부에 구비되는 반도체층과;상기 자성층 및 반도체층 사이에 구비되어 상기 자성층과 반도체층을 구분하도록 비자성 금속물질로 형성되는 터널배리어; 그리고 상기 접촉층 반대측 단부에 상기 접촉층보다 열전도도가 낮은 도전물질로 형성되는 단열층을 포함하여 구성되는 스핀 열전효과를 이용한 발광 소자를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 스핀 열전효과를 이용한 발광 소자를 이용한 열감지센서
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10
제 9 항에 있어서,상기 접촉층은,금(Au), 크롬(Cr) 또는 금(Au)과 크롬(Cr)의 합금으로 형성됨을 특징으로 하는 스핀 열전효과를 이용한 발광 소자를 이용한 열감지센서
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11
제 9 항에 있어서,상기 반도체층은,n형 반도체, i형 반도체 및 p형 반도체의 접합으로 구성되는 n-i-p 형 반도체임을 특징으로 하는 스핀 열전효과를 이용한 발광 소자를 이용한 열감지센서
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제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 스핀 열전효과를 이용한 발광 소자는 다수개가 병렬 연결된 발광 소자 어레이로 구성됨을 특징으로 하는 스핀 열전효과를 이용한 발광 소자를 이용한 열감지센서
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