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기판; 상기 기판 상에 배치되고, 복수의 단위막(unit layer)이 적층된 반사 구조체; 및상기 반사 구조체 상에 배치되고, 제1 폭(width)을 갖는 제1 흡수층, 및 상기 제1 흡수층 상에 적층되고, 상기 제1 폭 보다 좁은 제2 폭을 갖는 제2 흡수층을 포함하는 흡수 구조체를 포함하되, 상기 제1 흡수층 및 상기 제2 흡수층의 폭 차이에 따라, 상기 흡수 구조체를 향해 입사된 광의 0차 회절광 및 1차 회절광 사이의 위상차가 제어되는 것을 포함하는 EUV 리소그리피용 마스크
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제1 항에 있어서, 상기 제1 흡수층 및 상기 제2 흡수층의 폭 차이는, 10 nm 초과 20 nm 미만인 것을 포함하는 EUV 리소그래피용 마스크
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제2 항에 있어서, 서로 인접한 상기 제1 흡수층의 일 단 및 상기 제1 흡수층 상에 배치된 상기 제2 흡수층의 일 단 사이의 거리, 또는 서로 인접한 상기 제1 흡수층의 타 단 및 상기 제1 흡수층 상에 배치된 상기 제2 흡수층의 타 단 사이의 거리는 5 nm 초과 10 nm 미만인 것을 포함하는 EUV 리소그래피용 마스크
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제1 항에 있어서, 상기 0차 회절광 및 상기 1차 회절광 사이의 위상차는 180°인 것을 포함하는 EUV 리소그래피용 마스크
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제1 항에 있어서, 상기 흡수 구조체의 굴절지수(refractive index), 및 소광계수(extinction coefficient)에 따라, 상기 흡수 구조체의 두께(thickness)가 제어되는 것을 포함하는 EUV 리소그래피용 마스크
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6
제5 항에 있어서, 상기 흡수 구조체의 굴절지수가 0
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제1 항에 있어서, 상기 제1 흡수층, 및 상기 제2 흡수층 사이에 배치되는 식각 정지막(etch stop layer)를 더 포함하는 EUV 리소그래피용 마스크
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8
제1 항에 있어서, 상기 반사 구조체, 및 상기 흡수 구조체 사이에 배치되는 캡핑막(capping layer)을 더 포함하는 EUV 리소그래피용 마스크
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9
제1 항에 있어서, 상기 제1 흡수층, 및 상기 제2 흡수층은 서로 다른 물질을 포함하는 EUV 리소그래피용 마스크
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10
제1 항에 있어서, 상기 제1 흡수층, 및 상기 제2 흡수층은 서로 같은 물질을 포함하는 EUV 리소그래피용 마스크
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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 복수의 단위막을 적층하여, 반사 구조체를 형성하는 단계; 및상기 반사 구조체 상에, 제1 폭(width)을 갖는 제1 흡수층, 및 상기 제1 흡수층 상에 적층되고, 상기 제1 폭 보다 좁은 제2 폭을 갖는 제2 흡수층을 포함하는 흡수 구조체를 형성하는 단계를 포함하는 EUV 리소그래피용 마스크 제조 방법
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제11 항에 있어서, 상기 흡수 구조체를 형성하는 단계는, 상기 반사 구조체 상에, 상기 제1 흡수층, 식각 정지막(etch stop layer), 상기 제2 흡수층, 및 하드 마스크층이 순차적으로 적층된 예비 흡수 구조체를 형성하는 단계; 상기 반사 구조체 상에, 상기 예비 흡수 구조체를 덮는 마스킹층을 형성하는 단계; 상기 마스킹층이 상기 예비 흡수 구조체 보다 좁은 폭을 갖도록, 상기 마스킹층을 식각하여, 상기 예비 흡수 구조체 상에 마스킹층 패턴을 형성하는 단계;상기 마스킹층 패턴을 마스크로 이용하여, 상기 하드 마스크층을 식각하고, 상기 마스킹층 패턴을 제거하는 단계;식각된 상기 하드 마스크층을 이용하여, 상기 예비 흡수 구조체의 식각 정지막이 노출되도록, 상기 제2 흡수층을 식각하는 단계; 및 식각된 상기 하드 마스크층을 제거하는 단계를 포함하는 EUV 리소그래피용 마스크 제조 방법
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제12 항에 있어서, 상기 제2 흡수층의 폭을 제어하여, 상기 흡수 구조체를 향해 입사된 광의 0차 회절광 및 1차 회절광 사이의 위상차를 제어하는 것을 포함하는 EUV 리소그래피용 마스크 제조 방법
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제12 항에 있어서, 상기 흡수 구조를 형성하는 단계에서, 상기 예비 흡수 구조체에 제공되는 식각 소스에 대해, 상기 식각 정지막은, 상기 제1 흡수층 및 상기 제2 흡수층과 비교하여 식각 선택비를 갖는 것을 포함하는 EUV 리소그래피용 마스크 제조 방법
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