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고굴절 계수의 투명전극층이 삽입된 탠덤 태양전지

  • 기술번호 : KST2019021755
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고굴절 계수의 투명전극층이 삽입된 탠덤 태양전지에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 탠덤 태양전지는 S, Se 캘코지나이드(Chalcogenide)계 박막태양전지를 포함하는 상부 태양전지층; 결정질 실리콘 태양전지를 포함하는 하부 태양전지층; 및 상부 태양전지층과 하부 태양전지층 사이에 형성되는 투명전극 삽입층을 포함하고, 투명전극 삽입층은 하부 태양전지층의 광활성층의 밴드갭 에너지보다 큰 파장 영역에서 광학적 굴절 계수가 1.8보다 큰 투명 도전성 산화물 소재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 31/0725 (2012.01.01) H01L 31/032 (2006.01.01) H01L 31/0232 (2014.01.01) H01L 31/036 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/0445 (2014.01.01)
CPC H01L 31/0725(2013.01) H01L 31/0725(2013.01) H01L 31/0725(2013.01) H01L 31/0725(2013.01) H01L 31/0725(2013.01) H01L 31/0725(2013.01) H01L 31/0725(2013.01) H01L 31/0725(2013.01) H01L 31/0725(2013.01)
출원번호/일자 1020180058387 (2018.05.23)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0133444 (2019.12.03) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.05.23)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김원목 서울특별시 성북구
2 정증현 서울특별시 성북구
3 김인호 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
3 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2018-0505367-10
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.07.11 수리 (Accepted) 9-1-2019-0032071-38
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0538920-14
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2019-0991585-12
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.09.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0991586-68
7 등록결정서
Decision to grant		 2020.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0151611-14
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
S, Se 캘코지나이드(Chalcogenide)계 박막태양전지를 포함하는 상부 태양전지층; 결정질 실리콘 태양전지를 포함하는 하부 태양전지층; 및상부 태양전지층과 하부 태양전지층 사이에 형성되는 투명전극 삽입층을 포함하고,투명전극 삽입층은 하부 태양전지층의 광활성층의 밴드갭 에너지보다 큰 파장 영역에서 광학적 굴절 계수가 1
2 2
제1항에 있어서,상부 태양전지층은 상부 투명전극층;버퍼층;S, Se 칼코지나이드(Chalcogenide)계 소재를 포함하는 광활성층을 포함하고, 투명전극 삽입층을 하부 전극층으로 포함하는, 탠덤 태양전지
3 3
삭제
4 4
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5 5
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6 6
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7 7
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8 8
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9 9
제1항에 있어서,투명 도전성 산화물의 비저항은 1Ωcm 보다 낮은(0초과), 탠덤 태양전지
10 10
제1항에 있어서,투명 도전성 산화물층의 두께는 1nm 이상 1000nm 이하인,탠덤 태양전지
11 11
삭제
12 12
제1항에 있어서,상부 태양전지의 광활성층은 밴드갭 에너지가 1
13 13
제1항에 있어서,상부 태양전지층의 광활성층은 Cu(In1-xGax)(Se,S)(0003c#x003c#1)인, 탠덤 태양전지
14 14
투명 기판;S, Se 캘코지나이드(Chalcogenide)계 소재를 포함하는 광활성층; 및투명 기판과 광활성층 사이에 형성되는 후면전극을 포함하고,후면전극은 광학적 굴절 계수가 1
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17 17
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18 18
제14항에 있어서후면전극이 제1 투명 도전성 산화물층 및 제2 투명 도전성 산화물층으로 구성되는 경우가, 후면전극이 제2 투명 도전성 산화물층으로만 구성되는 경우보다, 상대적으로 투명 기판을 통과하여 광활성층으로 흡수되는 빛의 양이 증가하는, 박막태양전지
19 19
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국과학기술연구원 신재생에너지핵심기술개발 26% 효율한계 극복을 위한 결정질 실리콘과 CIGS 박막 태양전지로 구성된 2단자형 탠덤구조 원천기술 개발
2 과학기술정보통신부 한국과학기술연구원 기후변화대응기술개발 수요대응형 태양광모듈 구현을 위한 비접촉식 박막미세가공 기술 개발