| 1 |
1
(a) 적어도 하나의 기능층을 포함하는 제1 블록층을 형성하는 단계;(b) 상기 제1 블록층을 기판 상에 전사(transfer)하는 단계;(c) 상기 제1 블록층 상의 적어도 일부에 코어-쉘 구조의 양자점을 포함하는 양자점층을 형성하는 단계;(d) 적어도 하나의 기능층을 포함하는 제2 블록층을 형성하는 단계; 및(e) 상기 제2 블록층을 상기 양자점층 상에 적층하는 단계를 포함하고,상기 기능층은 p형 반도체 또는 n형 반도체 특성을 가지고,상기 p형 반도체 기능층은 WSe2 로 형성되고, 상기 n형 반도체 기능층은 MoS2로 형성된, 3차원 적층구조체의 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 제2 블록층 상에, 상기 양자점층과 상기 제1 블록층 또는 상기 제2 블록층을 추가로 적층하는 단계를 더 포함하는, 3차원 적층구조체의 제조방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 (a) 단계는,(a1) 금속 판(Metal plate)층 상에 제1 기능층을 형성하는 단계;(a2) 상기 제1 기능층 상에 캐리어 고분자층을 형성하는 단계;(a3) 상기 금속 판층을 제거하는 단계 및(a4) 상기 캐리어 고분자층을 제거하는 단계를 포함하는, 3차원 적층구조체의 제조방법
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 (a3) 단계 이후,(a5) 금속 판층 상에 제2 기능층을 형성하는 단계;(a6) 상기 제2 기능층 상에 상기 제1 기능층 및 상기 캐리어 고분자층 전사하는 단계 및(a7) 상기 금속 판층을 제거하는 단계를 더 포함하는, 3차원 적층구조체의 제조방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 (d) 단계는,(d1) 금속 판층 상에 제3 기능층을 형성하는 단계;(d2) 상기 제3 기능층 상에 캐리어 고분자층을 형성하는 단계;(d3) 상기 금속 판층을 제거하는 단계 및(d4) 상기 캐리어 고분자층을 제거하는 단계를 포함하는, 3차원 적층구조체의 제조방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 (d3) 단계 이후,(d5) 금속 판층 상에 제4 기능층을 형성하는 단계;(d6) 상기 제4 기능층 상에 상기 제3 기능층 및 상기 캐리어 고분자층 전사하는 단계 및(d7) 상기 금속 판층을 제거하는 단계를 더 포함하는, 3차원 적층구조체의 제조방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 기능층은 기능성 물질 전구체를 이용하여 화학기상증착법(Chemical vapor deposition)으로 형성하는, 3차원 적층구조체의 제조방법
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
제1항에 있어서, 상기 양자점층은 코어-쉘 구조의 양자점을 스핀코팅(spin coating)하여 형성하는, 3차원 적층구조체의 제조방법
|
| 11 |
11
제1항에 있어서, 상기 코어-쉘 구조의 양자점은,상기 코어는 CdSe, CdTe, CdS, InP, ZnCdSe, PbS, PbSe, CGS, CIGS 및 CIS으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나이고, 상기 쉘은 ZnS, CdS 및 ZnSe으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인, 3차원 적층구조체의 제조방법
|
| 12 |
12
제1항에 있어서, 상기 기판은, 실리콘(Silicon) 및 실리콘옥사이드(Silicon oxide)를 포함하는, 3차원 적층구조체의 제조방법
|
| 13 |
13
제1항 내지 제7항 및 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조되는, 3차원 적층구조체
|
| 14 |
14
(a) 적어도 하나의 기능층을 포함하는 제1 블록층을 형성하는 단계;(b) 상기 제1 블록층을 기판 상에 전사(transfer)하는 단계;(c) 상기 제1 블록층 상의 적어도 일부에 코어-쉘 구조의 양자점을 포함하는 양자점층을 형성하는 단계;(d) 적어도 하나의 기능층을 포함하는 제2 블록층을 형성하는 단계; 및(e) 상기 제2 블록층을 상기 양자점층 상에 적층하는 단계를 포함하는 방법으로 제조되고,상기 기능층은 p형 반도체 또는 n형 반도체 특성을 가지고, 상기 p형 반도체 기능층은 WSe2 로 형성되고, 상기 n형 반도체 기능층은 MoS2로 형성된, 3차원 적층구조체를 포함하는 광전자소자
|
| 15 |
15
삭제
|
