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가스 분자를 흡착하는 센싱 영역(sensing area);상기 센싱 영역 아래에 배치되어, 상기 센싱 영역에 상기 가스 분자가 흡착될 경우, 전하량이 변하게 되는 플로팅 게이트(floating gate);상기 플로팅 게이트 아래에 배치되어, 상기 플로팅 게이트의 전하량이 변하게 될 경우, 전계효과에 따라 저항이 변화하는 나노 전계효과 트랜지스터 채널(nano Field Effect Transistor channel); 및 상기 나노 전계효과 트랜지스터 채널 아래에 배치되어, 게이트 전압을 공급받는 기판 게이트를 포함하는, 가스 분자 검출 센서
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상기 나노 전계효과 트랜지스터 채널은,상기 기판 게이트로부터 상기 게이트 전극의 전계효과에 의해 전도성 영역이 조절되도록 초기화되는, 가스 분자 검출 센서
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제1항에 있어서,상기 플로팅 게이트와 다른 기판 게이트에 형성된 다른 플로팅 게이트가 상호 전기적으로 연결되어, 상기 다른 기판 게이트에 형성된 다른 센싱 영역에 의해 확장된 센싱 표면을 가지는 적어도 하나의 다른 가스 분자 검출 센서를 더 포함하는, 가스 분자 검출 센서
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제3항에 있어서, 상기 적어도 하나의 다른 가스 분자 검출 센서는,상기 센싱 영역 및 상기 다른 센싱 영역의 가스 분자의 감도를 설정된 감도만큼 더 높이기 위한 히터부를 포함하는, 가스 분자 검출 센서
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제1항에 있어서, 상기 센싱 영역은,구성된 금속 산화물의 종류 및 구성된 펩타이드 리간드 종류에 따라 상기 가스 분자를 선택적으로 검출하는, 가스 분자 검출 센서
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센싱 영역에서 가스 분자를 흡착하는 과정;상기 센싱 영역에 상기 가스 분자가 흡착될 경우, 플로팅 게이트의 전하량이 변하는 과정; 및상기 플로팅 게이트의 전하량이 변하게 될 경우, 전계효과에 따라 나노 전계효과 트랜지스터 채널의 변화된 저항값의 비율과 변화된 시간 값의 비율에 따라 도출되는 흡착량에 비례하여 상기 가스 분자를 정략적으로 검출하는 과정을 포함하는, 가스 분자 검출 방법
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제6항에 있어서, 상기 나노 전계효과 트랜지스터 채널이, 기판 게이트로부터 게이트 전압을 전달받아 설정된 전압 값을 가지도록 초기화되는 과정을 더 포함하는, 가스 분자 검출 방법
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제6항에 있어서, 상기 플로팅 게이트와 다른 기판 게이트에 형성된 다른 플로팅 게이트가 상호 전기적으로 연결되는 과정; 및상기 다른 기판 게이트에 형성된 다른 센싱 영역에 의해 확장된 센싱 표면을 가지는 과정을 더 포함하는, 가스 분자 검출 방법
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