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이중 삽입층을 이용한 CIGS 흡수층 제조방법, 박막 태양전지 제조방법 및 박막 태양전지

  • 기술번호 : KST2019022552
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 상에 몰리브덴을 증착시켜 배면전극을 형성하는 배면전극 형성단계; 스퍼터링 방법으로 Cu-Se를 증착하여 상기 배면전극 상에 Cu-Se 박막(F1)을 형성하는 Cu-Se 박막(F1) 형성단계; 상기 Cu-Se 박막 (F1)을 승온하여 액상화시키는 Cu-Se 박막(F1) 액상화 단계; 상기 액상화된 Cu-Se 박막(F1)을 강온시키는 액상화된 Cu-Se 박막(F1) 강온단계; 스퍼터링 방법으로 상기 강온된 Cu-Se 박막(F1) 상에 Cu-Se를 추가로 증착하여 Cu-Se 박막(F2)을 형성하는 Cu-Se 박막(F2) 형성단계; 상기 Cu-Se 박막(F1)과 Cu-Se 박막(F2)를 승온하여 액상화시키는 Cu-Se 박막(F1+F2) 액상화 단계; 및 스퍼터링 방법으로 상기 액상화된 Cu-Se 박막(F1+F2) 상에 CIGS(Copper indium gallium selenide)를 증착하여 CIGS 박막을 형성하는 CIGS 박막 증착단계;를 포함하는 CIGS 흡수층 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01)
CPC H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01)
출원번호/일자 1020160176766 (2016.12.22)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1831700-0000 (2018.02.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180223) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.12.22)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태원 대한민국 광주광역시 광산구
2 김호성 대한민국 광주광역시 광산구
3 박재철 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이수열 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **(서초동) *층(국제특허다호)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-1262800-66
2 보정요구서
Request for Amendment		 2017.01.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0001617-12
3 직권정정안내서
Notification of Ex officio Correction		 2017.01.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0001618-57
4 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2017.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2017-0007477-52
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.05.12 수리 (Accepted) 9-1-2017-0015329-00
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2017.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2017-0573115-15
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0686033-33
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.11.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1184008-48
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-1183981-69
11 등록결정서
Decision to grant		 2018.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0104651-80
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 몰리브덴을 증착시켜 배면전극을 형성하는 배면전극 형성단계;스퍼터링 방법으로 Cu-Se를 증착하여 상기 배면전극 상에 Cu-Se 박막(F1)을 형성하는 Cu-Se 박막(F1) 형성단계;상기 Cu-Se 박막 (F1)을 승온하여 액상화시키는 Cu-Se 박막(F1) 액상화 단계;상기 액상화된 Cu-Se 박막(F1)을 강온시키는 액상화된 Cu-Se 박막(F1) 강온단계;스퍼터링 방법으로 상기 강온된 Cu-Se 박막(F1) 상에 Cu-Se를 추가로 증착하여 Cu-Se 박막(F2)을 형성하는 Cu-Se 박막(F2) 형성단계;상기 Cu-Se 박막(F1)과 Cu-Se 박막(F2)를 승온하여 액상화시키는 Cu-Se 박막(F1+F2) 액상화 단계; 스퍼터링 방법으로 상기 액상화된 Cu-Se 박막(F1+F2) 상에 CIGS(Copper indium gallium selenide)를 증착하여 CIGS 박막을 형성하는 CIGS 박막 증착단계; 및 상기 배면전극 형성단계 이후 및/또는 Cu-Se 박막(F2) 형성단계 이후에 진공증착(vacuum evaporation) 방식으로 상기 배면전극 상에 NaF를 증착하여 NaF 박막을 형성하는 NaF 박막 형성단계;를 포함하는 CIGS 흡수층 제조방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 NaF 박막 형성단계는 NaF 소스를 사용하고 진공증착(vacuum evaporation) 방식을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 CIGS 흡수층 제조방법
4 4
제3항에 있어서,상기 NaF 박막 형성단계는 상온~700℃의 기판 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 CIGS 흡수층 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 CIGS 박막 증착단계는 상기 스퍼터링 방법이 단일 공정 스퍼터링을 이용하여 CIGS(Copper indium gallium selenide) 단일 타겟을 스퍼터링시키는 방법인 것을 특징으로 하는 CIGS 흡수층 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 Cu-Se 박막(F1) 형성단계 및 Cu-Se 박막(F2) 형성단계는 각각 {50W~500W(RF Power Density: 0
7 7
제1항에 있어서,상기 Cu-Se 박막(F1) 형성단계 및 Cu-Se 박막(F2) 형성단계는 각각 기판 온도가 상온인 것을 특징으로 하는 CIGS 흡수층 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 Cu-Se 박막(F1) 형성단계 및 Cu-Se 박막(F2) 형성단계는 각각 상기 기판과 상기 Cu-Se 스퍼터링의 타겟 사이가 10㎜~200㎜ 이격된 것을 특징으로 하는 CIGS 흡수층 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 Cu-Se 박막(F1) 액상화 단계 및 Cu-Se 박막(F1+F2) 액상화 단계는 각각 상기 Cu-Se 박막이 200℃~700℃의 온도에서 후열처리되어 액상화되는 것을 특징으로 하는 CIGS 흡수층 제조방법
10 10
제1항에 있어서,상기 CIGS 박막 증착단계는 {50W~500W(RF Power Density: 0
11 11
제1항에 있어서,상기 CIGS 박막 증착단계는 상기 기판과 상기 CIGS 박막의 단일 타겟 사이가 10㎜~200㎜ 이격된 것을 특징으로 하는 CIGS 흡수층 제조방법
12 12
제1항에 있어서,상기 CIGS 박막의 단일 타겟은 CuyIn1-xGaxSe2(x=0~1, y=0
13 13
제1항에 있어서,상기 CIGS 박막 증착단계는 상온~700℃의 기판 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 CIGS 흡수층 제조방법
14 14
기판 상에 몰리브덴을 증착시켜 배면전극을 형성하는 배면전극 형성단계;스퍼터링 방법으로 Cu-Se를 증착하여 상기 배면전극 상에 Cu-Se 박막(F1)을 형성하는 Cu-Se 박막(F1) 형성단계;상기 Cu-Se 박막 (F1)을 승온하여 액상화시키는 Cu-Se 박막(F1) 액상화 단계;상기 액상화된 Cu-Se 박막(F1)을 강온시키는 액상화된 Cu-Se 박막(F1) 강온단계;스퍼터링 방법으로 상기 강온된 Cu-Se 박막(F1) 상에 Cu-Se를 추가로 증착하여 Cu-Se 박막(F2)을 형성하는 Cu-Se 박막(F2) 형성단계;상기 Cu-Se 박막(F1)과 Cu-Se 박막(F2)를 승온하여 액상화시키는 Cu-Se 박막(F1+F2) 액상화 단계;스퍼터링 방법으로 상기 액상화된 Cu-Se 박막(F1+F2) 상에 CIGS(Copper indium gallium selenide)를 증착하여 CIGS 박막을 형성하는 CIGS 박막 증착단계;상기 배면전극 형성단계 이후 및/또는 Cu-Se 박막(F2) 형성단계 이후에 진공증착(vacuum evaporation) 방식으로 상기 배면전극 상에 NaF를 증착하여 NaF 박막을 형성하는 NaF 박막 형성단계;상기 CIGS 박막 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 버퍼층 상에 상부 전극층이 형성되는 단계;를 포함하는 CIGS 박막 태양전지 제조방법
15 15
제14항의 CIGS 박막 태양전지 제조방법에 따라 제조된 CIGS 박막 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 기획재정부 한국생산기술연구원 기관고유임무형 역량강화과제 단일공정 스퍼터링법 기반 CIGS박막태양전지의 고효율화를 위한 후처리 공정 개발