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전도성 탄소계 물질을 포함하는 탄소구조체; 및 상기 탄소구조체 표면에 위치되고, 폴리아믹산을 포함하는 폴리아믹산층을 포함하는 소듐-이온 전지용 양극재
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제1항에 있어서, 상기 전도성 탄소계 물질은 탄소나노튜브, 카본블랙, 그래핀, 및 흑연으로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것인 소듐-이온 전지용 양극재
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제1항에 있어서, 상기 폴리아믹산은 디아민 및 디안하이드라이드가 결합된 것인 소듐-이온 전지용 양극재
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제3항에 있어서, 상기 디아민은 옥시디아닐린, 페닐렌디아민, 디아미노톨루엔, 크실릴렌디아민, 디아미노비페닐, 디아미노벤조페논, 아미노페닐 설폰, 디아미노디페닐 설파이드, 디아미노디페닐메탄, 디메틸벤지딘, 이소프로필리덴 디아닐린, 비스(파라-아미노페녹시)벤젠, 사이클로헥산디아민, 또는 디아미노디사이클로헥실메탄인 것인 소듐-이온 전지용 양극재
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제3항에 있어서, 상기 디안하이드라이드는 피로멜리틱 디안하이드라이드, 벤조페논-테트라카복실릭 디안하이드라이드, 비스(디카복시페닐)프로판 디안하이드라이드, 비스(디카복시페닐)-헥사플루오르프로판 디안하이드라이드, 비페닐테트라카복실릭 디안하이드라이드, 나프탈렌테트라카복실릭 디안하이드라이드, 비스(디카복시페닐에테르) 디안하이드라이드, 또는 비스(디카복시페닐설폰) 디안하이드라이드인 것인 소듐-이온 전지용 양극재
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제1항에 있어서, 상기 폴리아믹산층의 두께는 1 내지 100nm인 것인 소듐-이온 전지용 양극재
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전도성 탄소계 물질을 포함하는 탄소구조체; 및 상기 탄소구조체 표면에 위치되고, 폴리아믹산을 포함하는 폴리아믹산층을 포함하는 소듐-이온 전지용 양극재를 포함하는 소듐-이온 전지용 양극
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소듐-이온 전지용 양극; 소듐-이온 전지용 음극; 및 상기 소듐-이온 전지용 양극 및 상기 소듐-이온 전지용 음극 간 소듐 이온을 이송하는 전해질을 포함하고, 상기 소듐-이온 전지용 양극은 소듐-이온 전지용 양극재를 포함하고; 상기 소듐-이온 전지용 양극재는 제1전도성 탄소계 물질을 포함하는 제1탄소구조체, 및 상기 제1탄소구조체 표면에 위치되고 제1폴리아믹산을 포함하는 제1폴리아믹산층을 포함하는 것인 소듐-이온 전지
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제8항에 있어서, 상기 소듐-이온 전지용 음극은 소듐-이온 전지용 음극재를 포함하고; 상기 소듐-이온 전지용 음극재는 제2전도성 탄소계 물질을 포함하는 제2탄소구조체, 상기 제2탄소구조체 표면에 위치되고 폴리이미드를 포함하는 폴리이미드층, 및 상기 폴리이미드층 표면에 위치되고 폴리피롤을 포함하는 폴리피롤층을 포함하는 것인 소듐-이온 전지
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제8항에 있어서, 상기 전해질은 수계 전해질인 것인 소듐-이온 전지
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폴리아믹산을 포함하는 폴리아믹산 용액을 제조하는 단계; 전도성 탄소계 물질을 유기 용매에 투입하는 단계; 및 상기 전도성 탄소계 물질이 투입된 상기 유기 용매에 상기 폴리아믹산 용액을 주입하여, 상기 전도성 탄소계 물질을 포함하는 탄소구조체가 상기 폴리아믹산을 포함하는 폴리아믹산층으로 코팅되는 단계를 포함하는 소듐-이온 전지용 양극재의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 폴리아믹산 용액을 제조하는 단계는 디아민을 폴리아믹산용 유기 용매에 용해하는 단계; 및 상기 디아민이 용해된 상기 폴리아믹산용 유기 용매에 디안하이드라이드를 투입하여, 상기 디아민 및 상기 디안하이드라이드가 결합되는 단계를 포함하는 것인 소듐-이온 전지용 양극재의 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 디아민은 옥시디아닐린, 페닐렌디아민, 디아미노톨루엔, 크실릴렌디아민, 디아미노비페닐, 디아미노벤조페논, 아미노페닐 설폰, 디아미노디페닐 설파이드, 디아미노디페닐메탄, 디메틸벤지딘, 이소프로필리덴 디아닐린, 비스(파라-아미노페녹시)벤젠, 사이클로헥산디아민, 또는 디아미노디사이클로헥실메탄인 것인 소듐-이온 전지용 양극재의 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 디안하이드라이드는 피로멜리틱 디안하이드라이드, 벤조페논-테트라카복실릭 디안하이드라이드, 비스(디카복시페닐)프로판 디안하이드라이드, 비스(디카복시페닐)-헥사플루오르프로판 디안하이드라이드, 비페닐테트라카복실릭 디안하이드라이드, 나프탈렌테트라카복실릭 디안하이드라이드, 비스(디카복시페닐에테르) 디안하이드라이드, 또는 비스(디카복시페닐설폰) 디안하이드라이드인 것인 소듐-이온 전지용 양극재의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 전도성 탄소계 물질은 탄소나노튜브, 카본블랙, 그래핀, 및 흑연으로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것인 소듐-이온 전지용 양극재의 제조방법
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폴리아믹산을 포함하는 폴리아믹산 용액을 제조하는 단계; 전도성 탄소계 물질을 유기 용매에 투입하는 단계; 상기 전도성 탄소계 물질이 투입된 상기 유기 용매에 상기 폴리아믹산 용액을 주입하여, 상기 전도성 탄소계 물질을 포함하는 탄소구조체가 상기 폴리아믹산을 포함하는 폴리아믹산층으로 코팅되는 단계; 상기 폴리아믹산층으로 코팅된 상기 탄소구조체를 바인더 및 도전재와 혼합하여, 슬러리가 제조되는 단계; 및 상기 슬러리를 금속 기판에 도포하여, 소듐-이온 전지용 양극이 제조되는 단계를 포함하는 소듐-이온 전지용 양극의 제조방법
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소듐-이온 전지용 양극을 제조하는 단계; 소듐-이온 전지용 음극을 제조하는 단계; 및 전해질을 상기 소듐-이온 전지용 양극 및 상기 소듐-이온 전지용 음극에 접촉시켜, 소듐 이온 채널이 형성되는 단계를 포함하고, 상기 소듐-이온 전지용 양극을 제조하는 단계는 제1폴리아믹산을 포함하는 제1폴리아믹산 용액을 제조하는 단계; 제1전도성 탄소계 물질을 제1유기 용매에 투입하는 단계; 상기 제1전도성 탄소계 물질이 투입된 상기 제1유기 용매에 상기 제1폴리아믹산 용액을 주입하여, 상기 제1전도성 탄소계 물질을 포함하는 제1탄소구조체가 상기 제1폴리아믹산을 포함하는 제1폴리아믹산층으로 코팅되는 단계; 상기 제1폴리아믹산층으로 코팅된 상기 제1탄소구조체를 제1바인더 및 제1도전재와 혼합하여, 제1슬러리가 제조되는 단계; 및 상기 제1슬러리를 제1금속 기판에 도포하여, 상기 소듐-이온 전지용 양극이 제조되는 단계를 포함하는 것인 소듐-이온 전지의 제조방법
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제17항에 있어서, 상기 소듐-이온 전지용 음극을 제조하는 단계는 제2폴리아믹산을 포함하는 제2폴리아믹산 용액을 제조하는 단계; 제2전도성 탄소계 물질을 제2유기 용매에 투입하는 단계; 상기 제2전도성 탄소계 물질이 투입된 상기 제2유기 용매에 상기 제2폴리아믹산 용액을 주입하여, 상기 제2전도성 탄소계 물질을 포함하는 제2탄소구조체가 상기 제2폴리아믹산을 포함하는 제2폴리아믹산층으로 코팅되는 단계; 상기 제2폴리아믹산층으로 코팅된 상기 제2탄소구조체를 가열하여, 상기 제2폴리아믹산층이 폴리이미드층으로 되는 단계; 상기 폴리이미드층으로 코팅된 상기 제2탄소구조체를 폴리피롤과 혼합하여, 상기 폴리이미드층이 폴리피롤층으로 코팅되는 단계; 상기 폴리이미드층 및 상기 폴리피롤층으로 코팅된 상기 제2탄소구조체를 제2바인더 및 제2도전재와 혼합하여, 제2슬러리가 제조되는 단계; 및 상기 제2슬러리를 제2금속 기판에 도포하여, 상기 소듐-이온 전지용 음극이 제조되는 단계를 포함하는 것인 소듐-이온 전지의 제조방법
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제17항에 있어서, 상기 전해질은 수계 전해질인 것인 소듐-이온 전지의 제조방법
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