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내화학층을 이용한 입체 회로기판 제조방법(Method of preparing three-dimensional circuit board using chemical resistance layer)

  • 기술번호 : KST2018005726
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예는 기판상에 베이스층을 형성하는 단계; 상기 베이스층 상에 내화학층을 형성하는 단계; 상기 내화학층 및 상기 베이스층에 레이저를 조사하여 도금활성영역을 형성하는 단계; 및 상기 도금활성영역을 도금하는 단계;를 포함하는 도전성 패턴 형성방법 및 상기 형성방법에 의하여 제조되는 입체회로를 제공한다.
Int. CL H05K 3/18 (2006.01.01) H05K 3/24 (2006.01.01) H05K 3/28 (2006.01.01) H05K 3/00 (2006.01.01) H05K 1/02 (2006.01.01)
CPC H05K 3/184(2013.01) H05K 3/184(2013.01) H05K 3/184(2013.01) H05K 3/184(2013.01) H05K 3/184(2013.01)
출원번호/일자 1020160143437 (2016.10.31)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0049328 (2018.05.11) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.10.31)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이호년 대한민국 인천광역시 연수구
2 이홍기 대한민국 인천광역시 연수구
3 허진영 대한민국 인천 연수구
4 이창면 대한민국 인천광역시 연수구
5 김현종 대한민국 경기도 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한상수 대한민국 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2016-1061597-77
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.01.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0010028-07
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0044759-15
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.03.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0273987-87
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0274004-11
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
8 등록결정서
Decision to grant
2018.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0488101-96
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번호 청구항
1 1
기판 상에 베이스층을 형성하는 단계; 상기 베이스층 상에 0
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 베이스층은, 감광성 수지 및 금속촉매를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴 형성방법
5 5
제4항에 있어서,상기 감광성 수지는 플라스틱 수지 및 감광성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴 형성방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 베이스층의 두께는 0
7 7
제4항에 있어서,상기 금속촉매는, Pd(팔라듐), Ni(니켈), Cu(구리), Fe(철), Ag(은), Au(금), Pt(백금) 및 Co(코발트)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴 형성방법
8 8
제7항에 있어서,상기 Pd(팔라듐)을 포함하는 촉매는, PdCl2, PdSO4, Pd(NO3)2, K2[PdCl4], [Pd(NH3)4Cl2], 및 [Pd(NH3)2(NO2)2]로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 팔라듐염을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴 형성방법
9 9
삭제
10 10
제1항에 있어서, 상기 내화학층은, 초발수성 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴 형성방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 초발수성 화합물은, 아크릴 실리콘 화합물, 알킬 사슬 실리콘 화합물, 알킬 실리콘 화합물, 플루오르 화합물 및 알루미늄 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴 형성방법
12 12
삭제
13 13
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14 14
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15 15
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16 16
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17 17
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 기획재정부 한국생산기술연구원 기관고유임무형 다공성 나노구조 전극 표면처리기술 개발