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챔버 내부에 제공되는 기판 상에 플라즈마 공정을 수행하기 위해 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 장치에 있어서,제1 주파수의 고주파 전력을 제공하는 제1 고주파 전원;상기 제1 주파수보다 낮은 제2 주파수의 고주파 전력을 제공하는 제2 고주파 전원;상기 제1 고주파 전원으로부터 고주파 전력을 공급받아 챔버 내부에 공급되는 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 제1 플라즈마 소스; 및상기 제2 고주파 전원으로부터 고주파 전력을 공급받아 상기 챔버 내부에 공급되는 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 제2 플라즈마 소스;를 포함하며,상기 제1 플라즈마 소스 및 상기 제2 플라즈마 소스는 각각 복수의 안테나를 포함하고, 상기 챔버의 중앙에서 외측 방향으로 상기 제1 플라즈마 소스의 안테나와 상기 제2 플라즈마 소스의 안테나가 교대로 배치되되,상기 안테나들 사이에는 각각 하나의 가변 소자가 연결되는 플라즈마 발생 장치
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제1 항에 있어서,상기 챔버 내부의 영역은 중앙에 가까운 내측 영역 및 중앙에서 먼 외측 영역으로 구분되고, 상기 제1 플라즈마 소스는 상기 챔버의 내측 영역에 플라즈마를 발생시키도록 제공되며, 상기 제2 플라즈마 소스는 상기 챔버의 외측 영역에 플라즈마를 발생시키도록 제공되는 플라즈마 발생 장치
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제1 항에 있어서,상기 플라즈마 발생 장치는,상기 가변 소자의 소자값을 제어하여 상기 복수의 안테나에 흐르는 전류를 조절하는 제어부를 더 포함하는 플라즈마 발생 장치
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제1 항에 있어서,상기 가변 소자는 가변 커패시터를 포함하는 플라즈마 발생 장치
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내부에 기판을 처리하는 공간을 갖는 챔버;상기 챔버 내에 위치하며, 상기 기판을 지지하는 기판 지지 어셈블리;상기 챔버 내부로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및상기 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 유닛을 포함하며, 상기 플라즈마 발생 유닛은: 제1 주파수의 고주파 전력을 제공하는 제1 고주파 전원; 상기 제1 주파수보다 낮은 제2 주파수의 고주파 전력을 제공하는 제2 고주파 전원; 상기 제1 고주파 전원으로부터 고주파 전력을 공급받아 챔버 내부에 공급되는 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 제1 플라즈마 소스; 및 상기 제2 고주파 전원으로부터 고주파 전력을 공급받아 상기 챔버 내부에 공급되는 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 제2 플라즈마 소스;를 포함하며,상기 제1 플라즈마 소스 및 상기 제2 플라즈마 소스는 각각 복수의 안테나를 포함하고, 상기 챔버의 중앙에서 외측 방향으로 상기 제1 플라즈마 소스의 안테나와 상기 제2 플라즈마 소스의 안테나가 교대로 배치되되,상기 안테나들 사이에는 각각 하나의 가변 소자가 연결되는 기판 처리 장치
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제7 항에 있어서,상기 챔버 내부의 영역은 중앙에 가까운 내측 영역 및 중앙에서 먼 외측 영역으로 구분되고, 상기 제1 플라즈마 소스는 상기 챔버의 내측 영역에 플라즈마를 발생시키도록 제공되며, 상기 제2 플라즈마 소스는 상기 챔버의 외측 영역에 플라즈마를 발생시키도록 제공되는 기판 처리 장치
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제7 항에 있어서,상기 플라즈마 발생 유닛은,상기 가변 소자의 소자값을 제어하여 상기 복수의 안테나에 흐르는 전류를 조절하는 제어부를 더 포함하는 기판 처리 장치
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제7 항에 있어서,상기 가변 소자는 가변 커패시터를 포함하는 기판 처리 장치
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