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중성 빔 그리드 구조

  • 기술번호 : KST2015143039
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 중성 빔 식각장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 그리드에 형성되는 슬릿의 형태를 개선하여 전체 그리드 면적대비 높은 추출구 비율을 가지는 그리드 구조에 관한 것으로, 플라즈마로부터 이온 빔을 발생하는 이온소스로부터 발생된 이온 빔의 진행 경로상에 위치하여 이온 빔의 방향을 조절하는 복수개의 그리드를 포함하고, 상기 복수개의 그리드의 표면에는 각각 수직으로 다수개의 슬롯이 형성되어 있는 그리드 구조를 제공함으로써, 보다 높은 밀도의 이온을 추출할 수 있고, 그리드의 기계적 강도를 고려함으로서 쉽게 파손 되지 않으며, 변환되는 중성 빔의 직진성을 유지하도록 하여 미세 패턴 가공이 가능하도록 하는 효과가 있다. 이온 빔, 중성 빔, 그리드, 슬롯
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01)
CPC H01J 37/32422(2013.01) H01J 37/32422(2013.01)
출원번호/일자 1020080061416 (2008.06.27)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0081873 (2008.09.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자 10-2007-0021847 (2007.03.06)
관련 출원번호 1020070021847
심사청구여부/일자 Y (2012.03.06)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 염근영 대한민국 서울특별시 송파구
2 박상덕 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 박병재 대한민국 충청남도 계룡시 신도안면 신도안*길 **, 군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인정직과특허 대한민국 서울 강남구 선릉로 ***(논현동, 썬라이더빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2008.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0463487-71
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.03.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0181723-43
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0181736-36
4 보정요구서
Request for Amendment
2012.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0027206-75
5 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2012.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0205664-00
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
7 보정요구서
Request for Amendment
2012.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0058289-69
8 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2012.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0383131-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0363763-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0678601-05
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.09.24 무효 (Invalidation) 1-1-2012-0774813-07
14 보정요구서
Request for Amendment
2012.10.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0124581-79
15 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2012.11.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0138017-12
16 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0708920-49
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
이온 빔을 추출하는 중성 빔 식각장치에 사용하는 그리드에 있어서, 상기 그리드 표면에 수직으로 형성하는 다수개의 슬릿을 포함하는 것을 특징으로 하는 중성 빔 그리드 구조
2 2
제1항에 있어서, 상기 다수개의 슬릿은 일정 간격으로 이격되어 형성하는 것을 특징으로 하는 중성 빔 그리드 구조
3 3
제1항에 있어서, 상기 다수개의 슬릿의 길이 방향에 소정각도로 위치하는 반사체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 중성 빔 그리드 구조
4 4
제3항에 있어서, 상기 소정각도는 직각인 것을 특징으로 하는 중성 빔 그리드 구조
5 5
제1항에 있어서, 상기 슬릿은 막대바 형상의 타원형으로 형성하는 것을 특징으로 하는 중성 빔 그리드 구조
6 6
제5항에 있어서, 상기 타원형의 슬릿의 크기는 홀 사이즈 대비 지름이 1 : 0
7 7
제6항에 있어서, 상기 다수개의 타원형 슬릿은 크기가 균일한 것을 특징으로 하는 중성 빔 그리드 구조
8 8
플라즈마로부터 이온 빔을 발생하는 이온소스로부터 발생된 이온 빔의 진행 경로상에 위치하여 이온 빔의 방향을 조절하는 복수개의 그리드를 포함하고, 상기 복수개의 그리드의 표면에는 각각 수직으로 다수개의 슬롯이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 중성 빔 그리드 구조
9 9
제8항에 있어서, 상기 복수개의 슬릿의 길이 방향에 소정각도로 위치하는 반사체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 중성 빔 그리드 구조
10 10
제9항에 있어서, 상기 소정각도는 직각인 것을 특징으로 하는 중성 빔 그리드 구조
11 11
제8항에 있어서, 상기 다수개의 슬릿은 일정 간격으로 이격되어 형성하는 것을 특징으로 하는 중성 빔 그리드 구조
12 12
제8항 또는 제11항에 있어서, 상기 슬릿은 막대바 형상의 타원형으로 형성하는 것을 특징으로 하는 중성 빔 그리드 구조
13 13
제12항에 있어서, 상기 타원형의 슬릿의 크기는 홀 사이즈 대비 지름이 1 : 0
14 14
제13항에 있어서, 상기 다수개의 타원형 슬릿은 크기가 균일한 것을 특징으로 하는 중성 빔 그리드 구조
15 15
제8항에 있어서, 상기 그리드 표면에 형성되는 슬릿의 개수는 그리드 면적 및 이격거리에 따라 결정하는 것을 특징으로 하는 중성 빔 그리드 구조
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.