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제 1 전하 트랩층을 포함한 복수의 표면 전하 유도부를 포함한 표면 전하 유도 장치; 및상기 표면 전하 유도 장치의 상부에 상기 표면 전하 유도 장치와 이격되어 배치된 복수의 압력 전달부를 포함한 압력 전달 장치를 포함하고,상기 압력 전달부는 제 2 전하 트랩층 및 상기 제 2 전하 트랩층 상에 배치된 압력 전달 돌기를 포함하며,상기 표면 전하 유도 장치의 각각의 표면 전하 유도부에서 유도된 표면 전하의 극성에 따라 상기 압력 전달 장치의 압력 전달부에 척력 또는 인력을 인가하여 압력 전달부를 이동시키는,촉각 피드백 장치
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제 1 항에 있어서,상기 복수의 표면 전하 유도부는 복수의 픽셀로 이루어지며,상기 픽셀 별로 각각 상기 압력 전달부가 복수개 배치되어 있는,촉각 피드백 장치
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제 2 항에 있어서,상기 표면 전하 유도부의 각각의 픽셀은,기판;상기 기판 상의 일부에 배치된 게이트 전극;상기 게이트 전극을 절연시키도록 덮고 있는 산화물층;상기 산화물층의 내부에 배치된 제 1 전하 트랩층;상기 산화물층을 상에 배치된 채널층; 및상기 채널층의 양단에 배치된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는,촉각 피드백 장치
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4
제 3 항에 있어서,상기 산화물층은 터널링 산화물층 및 게이트 산화물층으로 이루어진,촉각 피드백 장치
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5
제 4 항에 있어서,상기 터널링 산화물층은 상기 채널층 및 상기 제 1 전하 트랩층 사이에 배치되고,상기 게이트 산화물층은 상기 게이트 전극 및 상기 제 1 전하 트랩층 사이에 배치되는,촉각 피드백 장치
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6
제 3 항에 있어서,상기 채널층은 2차원 물질인,촉각 피드백 장치
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7
제 6 항에 있어서,상기 2차원 물질은 낮은 캐리어 농도를 갖는 전계 차폐를 최소화하는 소재가 이용되는,촉각 피드백 장치
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8
제 7 항에 있어서,상기 낮은 캐리어 농도를 갖는 전계 차폐를 최소화하는 소재는 MoS2, WSe2, MoTe2, WS2 중 어느 하나 이상이 이용되는,촉각 피드백 장치
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9
삭제
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10
제 1 항에 있어서,상기 제 2 전하 트랩층은 일렉트렛인,촉각 피드백 장치
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11
제 1 항에 있어서,상기 제 2 전하 트랩층은 고밀도 전하 수용이 가능하며 수용된 전하의 반영구적 유지가 가능한 소재로 이루어진,촉각 피드백 장치
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12
제 11 항에 있어서,상기 고밀도 전하 수용이 가능하며 수용된 전하의 반영구적 유지가 가능한 소재는, CYTOP, TEFLON AF, Parylene 중 어느 하나 이상이 이용되는,촉각 피드백 장치
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13
제 3 항에 있어서,상기 제 1 전하 트랩층으로 고밀도 전하수용이 가능하며 표면전하 제어가 가능한 소재가 이용되는,촉각 피드백 장치
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14
제 13 항에 있어서,상기 고밀도 전하수용이 가능하며 표면전하 제어가 가능한 소재는, CYTOP, TEFLON AF, Parylene 중 어느 하나 이상이 이용되는,촉각 피드백 장치
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삭제
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16
제 1 항에 있어서,상기 압력 전달 돌기의 소재로 P(VDF-TrFE), PFA, TEFLON, KAPTON, PDMS 중 어느 하나 이상이 이용되는,촉각 피드백 장치
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17
제 1 항에 있어서,상기 압력 전달 돌기는 압력 전달 돌기 지지대 상에 배치되고, 압력 전달 돌기의 상부는 지지대 위로 노출되어 지지대에 걸쳐 있으며 압력 전달 돌기의 하부는 지지대 아래로 배치되어 상기 제 2 전하 트랩층과 결합되어 있는,촉각 피드백 장치
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