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낮은 일함수 전자방출 물질 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019023109
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Hf2S와 Hf2S1-y (0 003c# y ≤ 0.1) 복합구조체(Hf2S1-y의 부피 분율, 0 ≤ f ≤ 0.4), 상기 복합구조체를 포함하는 전자방출 물질, 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 복합구조체는 계면에서 2DEG 형성으로 인해 Hf2S 단일구조체보다 낮은 일함수 특성을 보이므로 FED 및 형광판에 유용하게 사용될 수 있다.
Int. CL C01G 27/00 (2006.01.01) H01J 1/30 (2006.01.01) H01J 9/02 (2006.01.01)
CPC C01G 27/00(2013.01) C01G 27/00(2013.01) C01G 27/00(2013.01)
출원번호/일자 1020170029988 (2017.03.09)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1857550-0000 (2018.05.08)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180514) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.03.09)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성웅 대한민국 서울특별시 서초구
2 이규형 대한민국 서울특별시 동대문구
3 강세황 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김인철 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, 매강빌딩*층 에이치앤에이치 H&H 국제특허법률사무소 (서초동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교 산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2017-0235697-26
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0171201-41
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0827814-04
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.01.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0062539-53
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-0062536-16
7 등록결정서
Decision to grant		 2018.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0288600-21
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 물질과 화학식 2로 표시되는 물질을 포함하는 복합구조체:003c#화학식 1003e#Hf2S003c#화학식 2003e#Hf2S1-y (0 003c# y ≤ 0
2 2
제 1항에서, Hf2S1-y (0 003c# y ≤ 0
3 3
제 1항에서, Hf2S의 일함수는 2
4 4
제 1항에서, Hf2S와 Hf2S1-y (0 003c# y ≤ 0
5 5
제 1항에서, Hf2S와 Hf2S1-y (0 003c# y ≤ 0
6 6
제 1항에서, Hf2S와 Hf2S1-y (0 003c# y ≤ 0
7 7
제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항의 복합구조체를 포함하는 전자방출 물질
8 8
제 7항의 전자방출 물질의 분말을 표면에 노출되게 포함하는 전자 이미터
9 9
제 8항의 전자 이미터를 구비하고 있는 형광관
10 10
복합구조체의 제조방법에 있어서,Hf 분말 및 S 분말을 혼합한 후 500 내지 600℃의 온도로 열처리하여 화합물 원료를 얻는 제 1 단계; 및상기 제 1 단계에서 얻어진 화합물 원료를 2500 내지 3000℃로 용융한 다음, 상온까지 급속 냉각하는 제 2 단계;를 포함하고, 상기 복합구조체는 하기 화학식 1로 표시되는 물질과 화학식 2로 표시되는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 복합구조체의 제조방법:003c#화학식 1003e#Hf2S003c#화학식 2003e#Hf2S1-y (0 003c# y ≤ 0
11 11
삭제
12 12
제 10항에 있어서,제조된 복합구조체를 볼 밀링, 어트리션 밀링, 고에너지 밀링, 제트 밀링 또는 막자 사발을 이용한 분쇄의 방법으로 분말화하거나, 또는 가스 원자화에 의해 분말화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 복합구조체의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 성균관대학교 미래소재디스커버리사업 전자화물 안정화 및 기능특성 극대화를 위한 소재 인자 제어능 한계 극복 공정 기술 개발