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전도체 또는 반도체 물질로 이루어진 기판층;상기 기판층 상에 위치된 절연체층; 상기 절연체층 위에 위치된 2D(2-Dimensional) 물질층; 및상기 2D 물질층에 접촉 모드(contact mode)에서 마찰되어 전하를 전달하여, 상기 절연체층으로 전하를 주입할 수 있는 주사 탐침 현미경(Scanning probe microscopy, SPM) 탐침을 포함하고,상기 SPM 탐침을 이용하여 전하를 주입한 후, 비-접촉 모드에서, 상기 탐침에 전압을 가하면서, 상기 절연체층의 표면을 스캔하며,상기 탐침은 상기 표면 포텐셜이 변화된 부분에서 휘게 되고, 상기 탐침에 흐르는 전류 값이 변화하게 되어, 데이터를 읽을 수 있는, SPM 탐침을 이용한 전하주입 방식의 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 2D 물질층은 반금속(semi-metal), 반도체, 절연체 중 어느 하나인, SPM 탐침을 이용한 전하주입 방식의 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 2D 물질층은 그래핀, MoS2, WSe2, 및 h-BN 중 어느 하나인, SPM 탐침을 이용한 전하주입 방식의 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 2D 물질층의 두께는 원자단위 두께로, 상기 SPM 탐침에 의하여 주입된 전하 터널링효과로 투과되는, SPM 탐침을 이용한 전하주입 방식의 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 2D 물질층은 단일층 또는 다층인, SPM 탐침을 이용한 전하주입 방식의 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 절연체층은 PET, SiO2, 및 Al2O3 중 어느 하나를 포함하는, SPM 탐침을 이용한 전하주입 방식의 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 SPM 탐침은 도체 또는 반도체로 이루어진, SPM 탐침을 이용한 전하주입 방식의 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 SPM 탐침의 직경은 나노크기인, SPM 탐침을 이용한 전하주입 방식의 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 SPM 탐침은 하나의 탐침으로 구비되거나, 탐침 어레이(array)로 구비되는, SPM 탐침을 이용한 전하주입 방식의 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 SPM 탐침에 가해진 전압에 따라 양전하 또는 음전하가 상기 2D 물질층으로 주입되고, 반대방향의 전압을 다시 가해줌에 따라 전하가 방출되는, SPM 탐침을 이용한 전하주입 방식의 메모리 소자
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