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극자외선(EUV) 생성을 위한 플라즈마 소스를 공급하는 원료 공급부;레이저를 발진하여 상기 플라즈마 소스로부터 플라즈마를 생성하는 극자외선 광원부;상기 플라즈마로부터 발생된 광이 입사하는 전면 및 상기 전면의 반대에 위치한 후면을 가지며, 상기 광으로부터 극자외선 광을 추출하는 필터; 상기 필터의 상기 전면에 배치된 제1 보호막; 및상기 필터 또는 상기 제1 보호막의 적어도 일부를 노출하는 제1 영역을 가지며, 상기 제1 보호막 상에 배치되는 프레임; 을 포함하며,상기 필터의 상기 전면에 수평한 방향에서 상기 제1 영역의 폭은, 상기 제1 보호막의 폭 보다 작고 상기 필터의 폭보다 작거나 같은 극자외선 발생 장치
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제1 항에 있어서,상기 제1 보호막은 상기 필터의 상기 전면에 직접 접촉하는 극자외선 발생 장치
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제1 항에 있어서,상기 필터는 금속 물질을 포함하고,상기 필터의 상기 전면과 상기 제1 보호막의 사이에는 금속 산화층이 존재하지 않는 극자외선 발생 장치
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제1 항에 있어서,상기 제1 보호막의 두께는 0
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제1 항에 있어서,상기 제1 보호막과 상기 프레임 사이에 배치되며, 상기 제1 영역에 대응하여 상기 제1 보호막의 적어도 일부를 노출시키는 제2 영역을 갖는 폴리머층을 더 포함하고,상기 프레임은 상기 필터의 상기 전면을 향하는 극자외선 발생 장치
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제5 항에 있어서,상기 폴리머층은 PDMS(Polydimethyl siloxane) 및 PMMA(Polymethyl methacrylate) 중 적어도 하나를 포함하는 극자외선 발생 장치
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제5 항에 있어서,상기 폴리머층의 두께는 100nm 내지 500nm의 범위인 극자외선 발생 장치
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제5 항에 있어서,상기 필터의 상기 후면에 배치되는 제2 보호막을 더 포함하는 극자외선 발생 장치
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제1 항에 있어서,상기 필터는 상기 제1 영역 내에 배치되며,상기 프레임은 상기 필터의 측면을 둘러싸는 극자외선 발생 장치
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광이 입사하는 전면 및 상기 전면의 반대에 위치한 후면을 가지며 상기 광으로부터 극자외선 광을 추출하는 필터, 상기 필터의 상기 전면에 배치된 보호막, 및 상기 보호막의 적어도 일부를 노출하며 상기 보호막 상에 순차로 적층된 폴리머층 및 프레임을 포함하고, 상기 광의 진행 경로 상에 배치되는 필터부; 및상기 극자외선 광을 포토마스크를 향해 반사시키는 적어도 하나의 미러를 포함하는 미러부를 포함하는 극자외선 시스템
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제10 항에 있어서,상기 포토마스크로부터 반사된 극자외선 광을 검출하는 검출부를 더 포함하는 극자외선 시스템
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제11 항에 있어서,상기 포토마스크와 상기 검출부 사이에 배치되며, 상기 반사된 극자외선 광이 통과하는 적어도 하나의 관통홀을 갖는 어퍼쳐(aperture)를 더 포함하는 극자외선 시스템
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제10 항에 있어서,상기 미러부와 상기 포토마스크 사이에 배치되고, 상기 극자외선 광이 입사하는 전면 및 상기 전면의 반대에 위치한 후면을 가지며, 상기 극자외선 광을 상기 포토마스크에 집속시키는 존 플레이트(zone plate) 렌즈; 및 상기 존 플레이트 렌즈의 상기 전면 및 상기 후면 중 적어도 하나에 배치된 렌즈 보호막; 을 더 포함하는 극자외선 시스템
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제13 항에 있어서,상기 존 플레이트 렌즈와 상기 포토마스크 사이에 배치되고, 적어도 하나의 핀홀을 갖는 OSA(order sorting aperture) 렌즈를 더 포함하는 극자외선 시스템
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제10 항에 있어서,상기 미러는 상기 극자외선 광이 입사하는 전면을 가지며, 상기 미러의 상기 전면에 배치된 미러 보호막을 더 포함하는 극자외선 시스템
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제15 항에 있어서,상기 미러 보호막 상에 배치되며, 상기 미러 보호막의 적어도 일부를 노출시키는 폴리머층을 더 포함하는 극자외선 시스템
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제10 항에 있어서,레이저를 생성하는 극자외선 광원부 및 내부에 비활성 기체가 채워지고, 상기 레이저로부터 극자외선을 포함하는 상기 광을 생성하는 가스 셀을 포함하는 광 생성부를 더 포함하는 극자외선 시스템
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제10 항에 있어서,상기 극자외선 광의 파장은 4nm 내지 124nm의 범위인 극자외선 시스템
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극자외선 광을 발생시키는 극자외선 광원 시스템;상기 극자외선 광을 포토마스크의 표면으로 조사하는 조명 시스템; 및상기 포토마스크에 의해 반사된 극자외선 광을 반도체 웨이퍼의 표면으로 조사하는 투영 시스템; 을 포함하되,상기 극자외선 광원 시스템은,광원으로부터 상기 극자외선 광을 추출하는 필터, 상기 필터의 전면에 배치된 보호막, 및 상기 보호막 상에 배치되며 상기 필터 또는 상기 보호막의 적어도 일부를 노출시키는 프레임을 포함하는 필터부를 포함하고,상기 필터는 금속 물질을 포함하고, 상기 보호막은 흑연 및 그래핀 중 적어도 하나를 포함하되,상기 필터와 상기 보호막 사이에는 금속 산화층이 존재하지 않는 극자외선 시스템
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제1 보호막을 준비하는 단계;상기 제1 보호막 상에 폴리머층을 부착하는 단계;상기 제1 보호막 또는 상기 폴리머층 상에 상기 제1 보호막 또는 상기 폴리머층의 적어도 일부를 노출하는 노출 영역을 갖는 프레임을 부착하는 단계; 및상기 제1 보호막의 표면에 필터를 증착하는 단계; 를 포함하는 극자외선 발생 장치의 제조 방법
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