| 1 |
1
2차원 평면 구조의 베이스부의 표면에서 돌출되고 서로 이격되어 배열된 다수의 나노 컬럼들을 포함하는 블랙 실리콘 기재; 및상기 나노 컬럼들의 표면에 직접 접합되어 상기 블랙 실리콘 기재와 이종접합을 형성하고, 상기 블랙 실리콘 기재보다 작은 밴드갭을 가지며, 상기 나노 컬럼들 사이의 공간에 배치된 다수의 탄소나노튜브들을 포함하는,광촉매 전극 구조체
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브에서 상기 블랙 실리콘 기재로 전자가 이동하고,상기 블랙 실리콘 기재에서 상기 탄소나노튜브로 정공이 이동하는 것을 특징으로 하는,광촉매 전극 구조체
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 나노 컬럼들 각각에 대해서 상기 나노 컬럼을 기둥으로 하여 다수의 상기 탄소나노튜브들이 가지형 구조로 상기 나노 컬럼의 표면에 이종 접합된 것을 특징으로 하는,광촉매 전극 구조체
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브들 각각의 표면에 이종 접합되어 배치된 다수의 금속 산화물 입자들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는,광촉매 전극 구조체
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 탄소나노튜브에서 상기 금속 산화물 입자들로 정공이 이동하고,상기 탄소나노튜브에서 상기 블랙 실리콘 기재로 전자가 이동하는 것을 특징으로 하는,광촉매 전극 구조체
|
| 6 |
6
제4항에 있어서,상기 금속 산화물 입자들은 산화니켈(NiO)로 형성된 것을 특징으로 하는,광촉매 전극 구조체
|
| 7 |
7
2차원 평면 구조의 베이스부의 표면에서 돌출되고 서로 이격되어 배열된 다수의 나노 컬럼들을 포함하는 블랙 실리콘 기재를 형성하는 단계; 및상기 나노 컬럼들 각각의 표면에 탄소나노튜브 성장을 위한 촉매층을 형성하는 단계; 및상기 촉매층으로부터 다수의 탄소나노튜브들을 성장시키는 단계를 포함하고,상기 탄소나노튜브들은 상기 나노 컬럼들의 표면에 직접 접합되어 상기 블랙 실리콘 기재와 이종접합을 형성하고, 상기 블랙 실리콘 기재보다 작은 밴드갭을 가지며, 상기 나노 컬럼들 사이의 공간에 배치되는 것을 특징으로 하는,광촉매 전극 구조체의 제조 방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 블랙 실리콘 기재는 식각 공정을 이용하여 제조하는 것을 특징으로 하는,광촉매 전극 구조체의 제조 방법
|
| 9 |
9
제7항에 있어서,상기 탄소나노튜브들 각각의 표면에 금속 산화물 입자들을 접합시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,광촉매 전극 구조체의 제조 방법
|
| 10 |
10
물을 수용하는 챔버;2차원 평면 구조의 베이스부의 표면에서 돌출되고 서로 이격되어 배열된 다수의 나노 컬럼들을 포함하는 블랙 실리콘 기재; 상기 나노 컬럼들의 표면에 직접 접합되어 상기 블랙 실리콘 기재와 이종접합을 형성하고, 상기 블랙 실리콘 기재보다 작은 밴드갭을 가지며, 상기 나노 컬럼들 사이의 공간에 배치된 다수의 탄소나노튜브들; 및 상기 탄소나노튜브들 각각의 표면에 이종 접합되고 상기 나노 컬럼들 사이의 공간에 배치되고 상기 탄소나노튜브들로부터의 정공을 수용할 수 있는 가전자대(valence band) 에너지 레벨을 가지며 상기 탄소나노튜브들로부터의 전자는 차단하는 전자친화도를 갖는 다수의 금속 산화물 입자들을 포함하고, 상기 챔버에 수용된 물로 정공을 제공하는 광촉매 전극 구조체; 및상기 광촉매 전극 구조체로부터 전자를 제공받아 상기 챔버에 수용된 물로 전자를 제공하는 반대 전극을 포함하는,수소발생장치
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 광촉매 전극 구조체는 산소발생 전극이고,상기 반대 전극은 수소발생 전극인 것을 특징으로 하는,수소발생장치
|
