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제1 트렌치 평균 선폭을 갖는 요철 패턴이 형성된 베이스의 표면 위에 상기 요철 패턴의 프로파일을 따라 스페이서 재료층을 형성하여 상기 제1 트렌치 평균 선폭보다 감소된 제2 트렌치 평균 선폭을 갖는 나노 임프린팅 스탬프를 준비하는 단계;상기 나노 임프린팅 스탬프를 이용하는 패터닝 공정의 대상체로서, 기판 상에 나노 박막, 희생층 및 레지스트층을 순차로 형성하는 단계; 상기 레지스트층을 향하여 상기 나노 임프린팅 스탬프를 가압하여 예비 레지스트층 패턴을 형성하는 단계;상기 예비 레지스트층 패턴 및 희생층을 이방성 식각하여 상기 나노 박막의 상면을 노출시키는 레지스트층 패턴 및 희생층 패턴을 각각 형성하는 단계; 및상기 레지스트층 패턴 및 상기 희생층 패턴을 마스크로 이용하여 상기 나노 박막을 식각하여 상기 기판 상에 나노 박막 패턴을 형성하는 단계를 포함하고,상기 스페이서 재료층은 원자층 증착(Atomic layer deposition) 공정을 통해 형성되고,상기 희생층은 지용성 고분자 및 수용성 고분자로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 요철 패턴이 형성된 베이스는 유리, 석영 및 실리콘으로 이루어진 하드 스탬프 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 요철 패턴이 형성된 베이스는 고분자 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 트렌치 평균 선폭은 50 내지 200 nm 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 스페이서 재료층은 알루미늄 산화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화질화물, 마그네슘 산화물, 인듐 산화물, 하프늄 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물, 타타늄 산화물, 망간 산화물, 텅스텐 산화물 및 마그네슘 불화물로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 나노 박막은 Al, Au, Ni, Cr, Ti, Si, Zr, Ge, Zn, Pt, SiN, SiO2, TiO2, Al2O3, HfO2, MnO2, CrO2, RuO2, MoO3, WO3, V2O5, TaO3, LaNb2O7, (Ca,Sr)2Nb3O10, Bi4Ti3O12, Ca2Ta2TiO10 Ni(OH)2, Eu(OH)2, Graphene, hBN, BCN, Fluorographene, Graphene oxide, MoS2, WS2, MoSe2, WSe2, MoTe2, WTe2, ZrS2, ZrSe2, NbSe2, NbS2, TaS2, TiS2, NiSe2 GaSe, GaTe, InSe, 및 Bi2Se3로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 예비 레지스트층 패턴 및 상기 희생층을 식각하는 단계는 플라즈마 식각(Plasma etching), 반응성 이온 식각(Reactive ion etching), 반응성 이온 빔 식각(Reactive ion beam etching), MERIE (Magnetically enhanced RIE), ICP-RIE (Inductively coupled plasma RIE), Ion milling 및 RF sputtering 공정 중 적어도 하나를 수행하는 것을 특징으로 하는 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 나노 박막을 식각하는 단계는 플라즈마 식각(Plasma etching), 반응성 이온 식각(Reactive ion etching), 반응성 이온 빔 식각(Reactive ion beam etching), MERIE (Magnetically enhanced RIE), ICP-RIE (Inductively coupled plasma RIE), Ion milling 및 RF sputtering 공정 중에서 선택된 적어도 하나를 수행하는 것을 특징으로 하는 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 나노 박막 패턴은 5 내지 60 nm 범위의 평균 선폭을 갖는 것을 특징으로 하는 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 베이스의 스페이서 재료층 상에 점착 방지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 점착 방지층은 불소계 고분자, 실리콘계 고분자, 실란계 고분자 및 자기조립단분자막(Self assembled monolayers)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 나노 박막 패턴을 형성한 후, 상기 레지스트층 패턴 및 상기 희생층 패턴을 상기 기판으로부터 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 나노 박막 패턴을 형성한 후, 상기 나노 박막 패턴을 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 박막 패턴 구조물의 제조 방법
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