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기판 상에 수열합성법으로 형성된 랜덤 나노 구조를 포함하고,상기 랜덤 나노 구조는,빛을 증폭시키는 이득 매질 및 빛의 경로를 산란시키는 산란 매질을 포함하는 피드백 루프를 포함하고,상기 랜덤 나노 구조의 양자 활성을 통하여 일정 패턴의 레이저를 발진하는 양자 기반 물리적 복제 방지 장치
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제 1항에 있어서,상기 랜덤 나노 구조는, 동일한 생성 조건에서 생성된 다른 랜덤 나노 구조와 다른 형태를 가지고 다른 패턴의 레이저를 발진하는양자 기반 물리적 복제 방지 장치
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제 1항에 있어서,상기 랜덤 나노 구조는,기 설정된 값 이상의 여기 에너지가 입력되면, 상기 랜덤 나노 구조의 형태에 의해 형성되는 가상의 공진 구조에 의해 상기 일정 패턴의 레이저를 발진하고,상기 여기 에너지는,빛 에너지 또는 전기 에너지인 양자 기반 물리적 복제 방지 장치
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제 1항에 있어서,상기 일정 패턴은,상기 레이저가 발진되는 포인트, 상기 레이저의 발진 방향 및 상기 레이저의 파장 중 적어도 하나를 포함하는양자 기반 물리적 복제 방지 장치
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제 1항에 있어서,상기 랜덤 나노 구조는,복수의 파장의 레이저들을 발진하고,동일한 온도 및 동일한 여기 에너지에서, 상기 복수의 파장의 레이저들의 패턴들은 일정하고,상기 복수의 파장의 레이저들의 패턴들은 서로 상이한양자 기반 물리적 복제 방지 장치
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제 1항에 있어서,상기 랜덤 나노 구조는,상기 산란 매질 및 상기 이득 매질 모두로 작용하는 특정 물질로 구성되고,상기 특정 물질은,ZnO, ZnS, BaSO4, GaN 및 GaAs 중 어느 하나인양자 기반 물리적 복제 방지 장치
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제 1항에 있어서,상기 랜덤 나노 구조는,상기 산란 매질로 작용하는 제1 물질 및 상기 이득 매질로 작용하는 제2 물질을 포함하는양자 기반 물리적 복제 방지 장치
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기판 상에 수열합성법으로 형성된 랜덤 나노 구조를 포함하는 양자 기반 물리적 복제 방지 장치; 및상기 랜덤 나노 구조에서 발진되는 레이저의 패턴을 검출하는 검출 장치를 포함하고,상기 랜덤 나노 구조는,빛을 증폭시키는 이득 매질 및 빛의 경로를 산란시키는 산란 매질을 포함하는 피드백 루프를 포함하고,상기 랜덤 나노 구조의 양자 활성을 통하여 일정 패턴의 레이저를 발진하는 양자 기반 물리적 복제 방지 시스템
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제 8항에 있어서,상기 검출 장치는,상기 랜덤 나노 구조에서 발진되는 레이저를 수신하여 패턴 이미지를 획득하는 이미지 센서를 포함하고,상기 패턴 이미지를 이용하여 인증을 수행하고,상기 패턴 이미지는, 동일한 온도 및 동일한 여기 에너지에서 일정한양자 기반 물리적 복제 방지 시스템
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제 8항에 있어서,상기 검출 장치는,상기 랜덤 나노 구조에서 발진되는 복수의 파장의 레이저들 중 특정 파장의 레이저의 패턴 이미지를 이용하여 인증을 수행하는양자 기반 물리적 복제 방지 시스템
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제 8항에 있어서,상기 검출 장치는,상기 랜덤 나노 구조에서 발진되는 복수의 파장의 레이저들 중 둘 이상의 파장의 레이저들의 패턴 이미지들을 이용하여 인증을 수행하는양자 기반 물리적 복제 방지 시스템
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