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반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015174043
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 분포궤환 반도체 레이져 소자의 제조방법이 개시된다. 회절격자를 채널 내에만 형성하기 위해서, 광도파로 구조를 형성시에 이용된 식각마스크를 잔류시킨다. 또한 오믹콘택층의 측면 부위의 일부를 제거한다. 리프오프방식으로 회절격자의 위치 외에 잔류하는 금속층을 제거한다. 본 발명은 또한 분포궤환 레이저의 회절격자를 형성하는데 있어서 홀로그램 노광 방법 혹은 나노 임프린트 방법을 이용하며, 자기정렬 방식으로 회절격자가 형성된다. 본 발명에 따라 제조된 분포궤환 레이저는 대량생산에 적합한 기술과 구조를 사용할 수 있고, 또한 뛰어난 재현성을 보장하며, 나아가 생산 단가를 낮추어 기존 분포궤환 레이저의 단점을 보완할 수 있다.분포궤환, 오믹콘택층, 자기정렬마스크, 홀로그램 노광
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01S 5/00 (2011.01) H01S 3/063 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020070006908 (2007.01.23)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0839343-0000 (2008.06.11)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080617) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.01.23)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장성준 대한민국 광주 북구
2 이용탁 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김상철 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)(특허법인이상)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0067396-02
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.11.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2007-0073672-48
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0680811-63
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.02.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0111300-42
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0111281-62
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0311476-40
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판 상에 광도파로가 스택방식으로 형성되는, 분포궤환 반도체 레이저 소자의 제조방법에 있어서:(1) 적어도 활성층을 포함하는 하부 구조가 형성된 반도체 기판을 제공하는 단계;(2) 상기 반도체 기판의 상기 하부 구조 상에 아래로부터 클래딩층, 오믹콘택층 및 마스크층의 순서로 된 돌출 적층 구조를 형성하는 단계;(3) 전면에 형성되어, 상기 클래딩층의 측방 위치인 회절격자가 형성되는 부위를 노출시키는, 포토레지스트의 자기정렬마스크층을 형성하는 단계;(4) 상기 자기정렬마스크층이 형성된 기판 전면에 회절격자를 형성하기 위한 금속층을 증착하는 단계; 및(5) 상기 (3)단계의 자기정렬마스크층 및 상기 (2)단계의 마스크층을 제거함과 동시에 리프트오프로서 그 위에 형성된 금속층을 선택적으로 제거함으로써 회절격자를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 레이저 소자 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 (2) 단계의 마스크층은 상기 클래딩층 및 상기 오믹콘택층의 패터닝에 이용된 식각마스크를 잔류시킨 것인 반도체 레이저 소자 제조방법
3 3
청구항 2에 있어서,상기 식각마스크는 산화막인 것인 반도체 레이저 소자 제조방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 (2) 단계는,등방성 식각을 이용하여 상기 오믹콘택층의 측면 부위의 일부를 선택적으로 제거하는 공정을 더 포함하는 것인 반도체 레이저 소자 제조방법
5 5
청구항 4에 있어서,상기 등방성 식각에 의해 상기 회절격자가 형성될 부위가 노출되는 것인 반도체 레이저 소자 제조방법
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 (3)단계의 포토레지스트의 자기정렬마스크층을 형성하는 단계는:상기 적층구조 상에 포토레지스트를 평탄하도록 형성하는 공정;상기 포토레지스트에 요철(凹凸) 형상을 형성하는 공정;상기 포토레지스트의 철 부위 상에만 선택적으로 금속마스크층을 형성하는 공정; 및상기 금속마스크층을 마스크로하여, 상기 회절격자가 형성되는 부위를 노출하도록 상기 포토레지스트의 요부 부위를 선택적으로 제거하는 공정을 포함하는 것인 반도체 레이저 소자 제조방법
7 7
청구항 6에 있어서,상기 포토레지스트에 요철 형상을 형성하는 것은 홀로그램 노광 방식을 이용하는 것인 반도체 레이저 소자 제조방법
8 8
청구항 7에 있어서,상기 금속마스크층의 형성은, 상기 반도체 기판을 일측부가 상향되도록 경사지게 하여 금속마스크층의 일부를 증착하고 나서 상기 반도체 기판을 타측부가 상향되도록 경사지게 하여 금속마스크층의 일부를 증착하는 과정을 1회 이상 반복하여 수행하는 것인 반도체 레이저 소자 제조방법
9 9
청구항 6에 있어서,상기 포토레지스트의 요부 부위의 제거는 이온 식각으로 수행하는 것인 반도체 레이저 소자 제조방법
10 10
청구항 6에 있어서,상기 (3)단계의 포토레지스트의 자기정렬마스크층을 형성하는 단계는 나노임프린트 방식을 이용하는 것인 반도체 레이저 소자 제조방법
11 11
청구항 1에 있어서,상기 (1) 단계의 하부 구조는 최상면에 형성된 식각정지층을 포함하는 것인 반도체 레이저 소자 제조방법
12 12
청구항 1에 있어서,상기 (1) 단계의 하부 구조는, 상기 반도체 기판 상에 아래로부터 활성층, 스페이서층 및 식각정지층이 순차로 적층된 조인 것인 반도체 레이저 소자 제조방법
13 13
분포궤환 반도체 레이저 소자 제조방법에 있어서:반도체 기판 상에 활성층, 스페이서층, 식각정지층, 클래딩 재료층 및 오믹콘택 재료층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 오믹콘택 재료층 상에 산화막으로된 식각마스크를 형성하는 단계;상기 오믹콘택 재료층 및 상기 클래딩 재료층을 식각하여, 오믹콘택층 및 클래딩층을 형성하여 양쪽 측방에 채널을 가지는 광도파로 구조를 형성하는 단계;상기 식각마스크를 잔류시킨 상태에서 포토레지스트를 도포하는 단계;홀로그램 노광 및 현상을 이용하여, 포토레지스트에 회절격자 형성을 위한 요철 형상들을 형성하는 단계;상기 포토레지스트의 철부들 상에 금속마스크층을 선택적으로 형성하는 단계;상기 금속 마스크를 이용하여, 상기 식각정지층의 소정 영역이 노출되도록 상기 포토레지스트의 요부 부위들을 선택적으로 제거하는 단계;상기 요부들이 제거된 포토레지스트를 포함하는 전면에 회절격자로 사용될 금속층을 증착하는 단계;리프트-오프 공정으로, 잔여 포토레지스트 및 그 위의 금속마스크층을 제거하는 단계; 및상기 식각마스크를 제거하면서 그 위에 형성된 금속층을 선택적으로 제거함으로써 상기 광도파로 구조의 양 측방에 회절격자를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 레이저 소자 제조방법
14 14
청구항 13에 있어서,상기 광도파로 구조를 형성하는 단계는, 일차로 상기 식각마스크를 이용하여 건식식각을 행하고, 이차로 습식식각을 행하여 상기 오믹콘택층의 측면 부위의 일부를 제거하는 것을 포함하는 반도체 레이저 소자 제조방법
15 15
청구항 14에 있어서,상기 건식식각에 의한 클래딩 재료층의 식각은, 상기 식각정지층이 노출되지 않을 정도까지 수행되고, 상기 습식식각은 상기 식각정지층이 노출되도록 수행되는 것인 반도체 레이저 소자 제조방법
16 16
청구항 13에 있어서,상기 포토레지스트의 철부들 상에 금속마스크층을 선택적으로 형성하는 단계는, 상기 반도체 기판을 일측부가 상향되도록 경사지게 하여 금속마스크층의 일부를 증착하고 나서 상기 반도체 기판을 타측부가 상향되도록 경사지게 하여 금속마스크층의 일부를 증착하는 과정을 1회 이상 반복하여 수행하는 것인 반도체 레이저 소자 제조방법
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1 US20080261157 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2008261157 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.